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公开(公告)号：KR1019970003527B1
公开(公告)日：1997-03-18
申请号：KR1019940010564
申请日：1994-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581
CPC classification number: H04Q11/0062 , H04B10/2503 , H04J14/0227 , H04J14/0245 , H04J14/0249 , H04J14/0283 , H04L12/42 , H04Q11/0066 , H04Q2011/0009 , H04Q2011/0013 , H04Q2011/0015 , H04Q2011/002 , H04Q2011/0039 , H04Q2011/0041 , H04Q2011/0092
Abstract: This invention is about the multichannel all-optical ring network. The multichannel optical ring network enhances communication network performance by decreasing signal propagation delay time in the communication network, by forming ring networks composed of a wavelength channel group of O1, O3, O5,... propagating counterclockwise and a group of O2, O4, O6,... propagating clockwise and injecting signals through the short path to the target node by the control of a node controller.
Abstract translation: 本发明涉及多通道全光环网。 多通道光环网络通过减少通信网络中的信号传播延迟时间，通过形成由波长通道组O1，O3，O5，...逆时针传播的波形通道组和一组O2，O4， O6，...通过节点控制器的控制传播顺时针并通过短路径将信号注入到目标节点。
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公开(公告)号：KR1019960013957B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930026791
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The header detector for a photonic packet switch outputs the correlated pulse signal to the other side by the optical signal of digital input information being summed in an optical fiber coupler connected with an information input terminal by being reflected from a dielectric mirror(3) to obtain the time delay effect by the interval in an optical fiber delay line matching filter(4) formed in an optical fiber(1) through one side of the optical fiber(1).
Abstract translation: 用于光子分组开关的标题检测器通过由与电介质镜（3）反射的与信息输入端连接的光纤耦合器中的数字输入信息的光信号将相关脉冲信号输出到另一侧，以获得 在通过光纤（1）的一侧形成在光纤（1）中的光纤延迟线匹配滤波器（4）中的间隔的时间延迟效应。
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公开(公告)号：KR1019960027094A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033093
申请日：1994-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 광대역 광통신을 위한 파장분할 또는 주파수 분할다중 구도에 관한 것으로, 단일 펌프 광원(LD)의 출력을 파장분할다중 커플러(WDM-C)로 입력되어 다분지 광섬유 커플러(1×N coupler)로 분지된 여러 광경로(Path)에 있는 어븀 첨가된 광섬유(EDF)를 펌프하고 각 광경로에 파장가변 광필터(TF)를 삽입하여 파장 가변 다파장 광섬유 레이저를 구성하고, 다른 경로에서 발진되는 다른 파장의 레이저 모드들과 간섭을 줄여 레이저 출력의 안정화를 유도하기 위해 각 광경로에 광 아이소레이터(ISO)를 사용하고, 각 파장 모드들간의 모드 비팅(mode beating)을 조정하여 다파장 레이저 발진이 가능하도록 하기 위해 광 감쇠기(Atn)를 이용하며, 가변형 광섬유 커플러(VC)는 광섬유 레이저의 출력이 최대가 되도록 레이저 공진기의 커플링(coupling) 비율을 조정하는 기능 출력 단자의 역할을 하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 단일 펌프 광원을 이용한 파장가변형 다파장 광섬유 레이저 구도를 이용하면, 파장 가변성이 있는 다파장 레이저 출력을 얻을 수 있으며, 기존의 방식에서 보다 부품수를 줄이거나 또는 레이저 출력 특성을 향상 및 실용성이 나은 구도를 제공한다.
각 파장의 레이저 출력 파장은 독립적으로 가변되어질 수 있고, 이 파장가변 다파장 광섬유 레이저는 앞으로 파장분할다중 광통신과 4광파혼합에 의한 새로운 파장에서의 광신호 생성등에 광원으로 응용이 가능하며, 이 분야의 발전에 기여하리라 기대된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960024474A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940036351
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명에서는 순방향 및 역방향 ASE를 가장 잘 차단하는 구조인 기존의 광 아이솔레이터와 광 필터를 동시에 갖는 2단 증폭기에서 광 아이솔레이터와 광 필터 사이에 이득 매질로서 어븀첨가광섬유(erbium-doped fiber)를 삽입하고 여기광원을 효율적으로 분배함으로써 낮은 잡음지수와 넓은 동적 영역을 동시에 얻을 수 있는 3단 EDFA 구조를 제시한다.
이러한 광섬유증폭기는 낮은 잡음지수하에서 넓은 동적 영역과 높은 소신호 이득을 가지므로 광통신 시스템에서 전치 증폭이나 중계 증폭기로 이용될 수 있고, 광 교환망에서 광세기 균일화기 등에서 다양하게 사용될 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019960004904B1
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: The method of growing GaAs on a porous silicon substrate includes the steps of forming a porous layer(2) on a silicon substrate(1) containing impurities, and trimethyl gallium and AsH3 gas are alternately sprayed to the porous layer(2) on the silicon substrate(1) using ALE and UHVCVD apparatuses, thereby forming a GaAs thin film(3) which is an epitaxial layer.
Abstract translation: 在多孔硅衬底上生长GaAs的方法包括在含有杂质的硅衬底（1）上形成多孔层（2）的步骤，并将三甲基镓和AsH 3气体交替地喷射到硅上的多孔层（2）上 基板（1）使用ALE和UHVCVD装置，从而形成作为外延层的GaAs薄膜（3）。
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公开(公告)号：KR1019960004590B1
公开(公告)日：1996-04-09
申请号：KR1019920024319
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: The surface stabilizing method of a porous silicon substrate is characterized by forming a porous layer on the other side of the silicon substrate doped with an impurity and formed with a positive electrode on the one side of the substrate, (b) removing the positive electrode, (c) spraying a trimethyl gallium and an arsine gas to the other side of the substrate at 400˜500deg. C, and (d) depositing a surface stabilizing layer of gallium arsenic(GaAs) compound on the other side of the substrate by the automatic layer epitaxy(ALE) process.
Abstract translation: 多孔硅衬底的表面稳定化方法的特征在于在掺杂有杂质的硅衬底的另一侧上形成多孔层，并在衬底一侧形成正极，（b）去除正极， （c）以400〜500度将三甲基镓和胂气体喷射到基材的另一侧。 C，和（d）通过自动层外延（ALE）工艺在衬底的另一侧上沉积砷化镓（GaAs）化合物的表面稳定层。
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