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公开(公告)号：KR100301116B1
公开(公告)日：2001-10-20
申请号：KR1019980052529
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/82
Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 갖는 화합물반도체 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 다수의 유전체 박막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 유전체 박막 패턴을 포함하는 기판의 노출된 영역상에 피라미드 형태의 버퍼층 및 장벽층을 차례로 형성하는 단계와; 상기 각각의 장벽층상에 Ga 드롭렛을 형성하는 단계와; 상기 Ga 드롭렛을 GaAs 양자점으로 전환시키는 단계와; 양자효과를 위해, 상기 기판에 열처리를 실시한 후, 상기 GaAs 양자점을 감싸는 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 원하는 위치에 정렬시킨 양자점을 형성하는 양자점 구조(quantum dot)를 간단한 공정을 이용하여 제작하여 반도체 레이저(laser)와 같은 광소자나 트랜지스터 및 기억소자와 같은 전자소자에 이용할 수 있는 양자점 구조를 갖는 화합물반도체 기판의 제조 방법을 제안하고자 한다.-
公开(公告)号：KR100249774B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970062773
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , Y10S438/962
Abstract: 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH
3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH
3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100243388B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970063248
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020030094711A
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020020031972
申请日：2002-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).
Abstract translation: 目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本 它们。 反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。 形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。 下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。 形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100349662B1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1019990057255
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/32
Abstract: 본발명은산화알루미늄층을이용한전류차단구조와그를이용한양자점레이저다이오드의제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명의전류차단구조형성방법은제1 도전형기판상에제1 도전형제1클래딩층을형성하는제 1 단계, 상기제1클래딩층상부에자발적으로양자점활성층을성장시키는제 2 단계, 상기양자점활성층을산화마스크로이용하여상기제1클래딩층을산화시켜전류차단층을형성하는제 3 단계, 상기전류차단층을포함한양자점활성층상에제2 도전형제2클래딩층을형성하는제 4 단계, 상기제2 도전형제2클래딩층상에제2 도전형캡층을형성하는제 5 단계를포함하여이루어진다.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020000037777A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980052526
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a quantum wire is provided to obtain a quantum wire which has a better physical characteristics than a quantum well device. CONSTITUTION: A photosensitive layer is coated on an N-type semiconductor material, and then the photosensitive layer is patterned. The N-type semiconductor material is etched to form a V-shaped substrate. Then, the photosensitive pattern is removed. The V-shaped substrate is loaded on depositing equipment. A well layer that has a thickness, which is equal to the width of the upper surface of the V-shaped recess, is formed. A P-type semiconductor layer is formed on the above-mentioned structure.
Abstract translation: 目的：提供量子线的制造方法，以获得具有比量子阱器件更好的物理特性的量子线。 构成：将感光层涂覆在N型半导体材料上，然后对感光层进行图案化。 蚀刻N型半导体材料以形成V形基板。 然后，去除感光图案。 V形基板装载在沉积设备上。 形成具有与V形凹部的上表面的宽度相等的厚度的阱层。 在上述结构中形成P型半导体层。
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公开(公告)号：KR100243383B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960061305
申请日：1996-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명은 불활성기체의 저에너지 이온 빔을 이용하여 GaAs등의 화합물 반도체 및 Si 등의 반도체 박막을 낮은 성장온도에서 기판의 국부적인 영역에만 선택적으로 성장하는 방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 고온 공정이 수반되는 불순물의 확산, 계면에서의 물질확산, 비균형 열 팽창에 따르는 결함이 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판 위에 소정 패턴의 유전체 마스크를 형성한 후, 그 결과물 전면에 불활성 기체의 저에너지 이온을 원료물질과 동시에 공급하여 상기 유전체 마스크가 형성되지 않은 부분에 반도체 박막을 형성하는 공정을 수행함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 공정을 일괄적으로 수행함으로써 특성이 우수한 소자를 제작할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR100238452B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970037363
申请日：1997-08-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L21/31116 , Y10S438/962
Abstract: 본 발명은 양자세선이나 양자점 등의 초미세 저차원 구조를 이용하는 반도체 소자 제작공정시 균일한 크기의 양자세선과 양자점을 형성하는 초미세 구조 제작 방법에 관한 것으로서, 간단한 장비와 공정을 이용하여 우수한 특성을 가진 양자세선과 양자점을 제작하여 양자세선과 양자점과 같은 초미세 저차원 구조를 이용하는 소자 제작시 경제적 장점이 있는 소자제작공정을 확립하고, 포토리소그래피와 습식식각 등의 간단한 장비와 효율적인 방법으로 공정 시간이 짧고, 공정 수행이 용이하며, 제작된 소자의 특성과 수율이 우수한 양자소자 제작공정을 확보함으로써, 전자 빔 리소그래피 공정과 건식식각 공정 없이 기판의 원하는 부위에 양자세선이나 양자점 같은 초미세 구조를 간단한 방법으로 형성할 수 있으므로 공정을 단순화 할 수 있고, 건� ��식각을 사용함에 따라 공정 수행시 유발되는 결함의 형성을 원칙적으로 제거하여 제작된 소자의 특성을 향상시킬 수가 있으며, 실리콘 산화물 마스크 위에는 박막이 성장되지 않아 상부의 양자우믈 구조가 형성되지 않으므로 이를 제거하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않고, 전자 빔 리소그래피 및 건식식각 공정을 이용하지 않으므로 공정시간을 대폭 단축할 수 있을 뿐 아니라 저가의 장비를 사용하기 때문에 소자 제작공정의 경제적 경쟁력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990042070A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062773
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH
3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH
3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.
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