公开(公告)号：KR100734860B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050119285

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동철 ,  전민용 ,  임영안 ,  심은덕 ,  박경현 ,  김성복

IPC: G02B6/26

CPC classification number: H04B10/299

Abstract: Provided is an apparatus and method for simultaneous optical wavelength conversion and optical clock signal extraction using semiconductor optical amplifiers (SOAs). The apparatus includes: a wavelength converter receiving a pump beam having input information and a probe beam having a different wavelength from the pump beam, and outputting the pump beam with an overshoot shifted to a red wavelength and an undershoot shifted to a blue wavelength due to non-linear characteristics and self-phase modulation of semiconductor optical amplifiers (SOAs) and the probe beam delivered the input information from the pump beam; an optical divider dividing output paths of the probe beam to which the input information has been delivered and the pump beam having the overshoot and the undershoot; a converted-wavelength extractor filtering the probe beam received from the optical divider; and a clock data regenerator obtaining a pseudo return-to-zero (PRZ) signal from the pump beam received from the optical divider and extracting a clock signal from the PRZ signal. The apparatus and method can simultaneously perform wavelength conversion and optical clock signal extraction on an NRZ signal using an optical method, without converting the NRZ signal into an electrical signal.

公开(公告)号：KR100601046B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020030096221

申请日：2003-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대수 ,  임영안 ,  박경현 ,  김동철 ,  김성복

IPC: H04B10/00

CPC classification number: H04B10/299

Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
완전광, 클럭, 재생, 루프, 레이저, 주입잠금

公开(公告)号：KR1020060067107A

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020050039412

申请日：2005-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현

IPC: G10L15/08

Abstract: 본 발명은 연속음성을 인식하는데 있어서 기존의 음향모델을 사용하지 않고 조음특징값(articulatory features)을 이용한 조음모델(articulatory model)을 사용하여 음성인식을 수행하는 조음모델을 이용한 연속음성인식 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 입력되는 음성신호에서 특징벡터를 추출하는 특징 추출부와, 상기 특징 추출부에서 추출된 특징벡터에서 조음모델을 생성한 후, 조음모델 DB를 구축하여, 그 조음모델 DB에서 상기 음성신호에서 해당되는 음소를 탐색한 후, 기 구축된 발음사전 DB와 언어모델 DB를 이용하여 최종 단어열을 탐색하는 탐색부와, 상기 탐색부에서 탐색된 최종 단어열을 음성 인식 결과로 출력하는 인식 결과 출력부로 구성된다.
조음특징, 연속음성인식, 발성유형, 조음위치, 조음방법, 전사문

公开(公告)号：KR1020050064649A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030096221

申请日：2003-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대수 ,  임영안 ,  박경현 ,  김동철 ,  김성복

IPC: H04B10/00

CPC classification number: H04B10/299

Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050046121A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：KR1020030080118

申请日：2003-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  박준

IPC: G06F17/28

Abstract: 본 발명은 종결어휘와 피치를 이용한 문형정보 추출방법에 관한 것으로, 자동통역 장치의 음성인식 결과에 따른 종결어휘를 이용하여 1차적으로 문형정보를 추출하고, 2차적으로 음성으로부터 피치를 추출한 후, 종결어휘의 문형별 출현 빈도율과 조합하여 문형정보를 추출함으로서 보다 높은 정확률을 얻을 수 있다.
본 발명은 문형별 종결어휘 사전을 이용하여 음성인식 장치로부터 전달된 음성인식 결과에 따른 문형정보를 추출하는 1차 문형판단 단계와, 상기 1차 문형판단 단계에서 문형정보가 추출되었는가 판단하여, 상기 문형정보가 추출되었을 경우, 언어번역 장치로 상기 문형정보와 음성인식 결과를 전달하는 단계와, 상기 1차 문형판단 단계에서 문형정보가 추출되지 않았을 경우, 입력된 음성으로부터 피치를 검출하고, 문형별 출현 빈도율을 계산하는 단계 및 상기 문형별 출현 빈도율과 피치의 선형조합 방법에 의해 파라메터를 결정하여 문형정보를 추출하는 2차 문형판단 단계로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020020058606A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020000086719

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김종회 ,  백용순 ,  박문호 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: G02B6/02

CPC classification number: G02B6/1228 ,  G02B6/12004 ,  G02B2006/12176 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/2081

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a side-tapered waveguide by using a strain distributed pad is provided to save manufacturing costs and to increase the period of an assembly of the optical device. CONSTITUTION: A method for manufacturing a side-tapered waveguide by using a strain distributed pad includes steps of forming a waveguide layer(102) on a semi-finished substrate(101), forming a mask pattern(103a,103b) on the waveguide layer(102), etching the waveguide layer(102) by using the mask pattern(103a,103b) and a portion of the waveguide layer(102) corresponding to the strain distributed pad. In this method, the mask pattern(103a,103b) forming step is performed by a photolithography process using a contact lithography device. In this step, the mask has a side-tapered pattern gradually becoming thinner at both ends and connecting strain distributed pads to each of the ends.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用应变分布焊盘制造侧锥形波导的方法，以节省制造成本并增加光学装置的组装周期。 构成：通过使用应变分布焊盘制造侧锥形波导的方法包括以下步骤：在半成品基板（101）上形成波导层（102），在波导层上形成掩模图案（103a，103b） （102），通过使用掩模图案（103a，103b）和对应于应变分布焊盘的波导层（102）的一部分来蚀刻波导层（102）。 在该方法中，通过使用接触式光刻装置的光刻工艺进行掩模图案（103a，103b）形成步骤。 在该步骤中，掩模具有在两端逐渐变薄的侧锥形图案，并且将应变分布垫连接到每个端部。

公开(公告)号：KR1020010057711A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990061097

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문호 ,  오대곤 ,  오광룡 ,  정종술 ,  백용순 ,  박경현

IPC: H01L29/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gain clamped semiconductor optical amplifier(SOA) is provided to constantly fix the intensity of carriers within a resonant with oscillation of a laser using a distributed Bragg reflector(DBR) lattice. CONSTITUTION: A method for manufacturing a gain clamped semiconductor optical amplifier(SOA) forms a passive waveguide layer(12) and an InP spacer(13) on a N-InP substrate(11). The first oxide layer(14) is formed on the InP spacer. The first oxide layer is selectively removed by patterning using electronic beam lithography to form a selective active layer growth mask pattern(16). A lattice pattern(17) and an active layer waveguide(18) are simultaneously formed by selective active layer growth using organic metal chemical vapor deposition. A mesa structure for growing a current shield layer(19) is formed on the resulting surface using light lithography. The current shield layer is grown by organic metal chemical vapor deposition. A n-InP buffer layer(19a) is formed on the entire surface including the current shield layer. The second oxide layer is formed on the n-InP buffer layer. The second oxide layer is patterned to form a metal electrode connected to the active layer waveguide.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造增益钳位的半导体光放大器（SOA）的方法，以使用分布式布拉格反射器（DBR）晶格在激光振荡的谐振中恒定地固定载流子的强度。 构成：制造增益钳位半导体光放大器（SOA）的方法在N-InP衬底（11）上形成无源波导层（12）和InP间隔物（13）。 第一氧化物层（14）形成在InP间隔物上。 通过使用电子束光刻的图案化选择性地去除第一氧化物层以形成选择性有源层生长掩模图案（16）。 通过使用有机金属化学气相沉积的选择性有源层生长，同时形成晶格图案（17）和有源层波导（18）。 使用光刻法在所得表面上形成用于生长电流屏蔽层（19）的台面结构。 电流屏蔽层通过有机金属化学气相沉积生长。 在包括电流屏蔽层的整个表面上形成n-InP缓冲层（19a）。 第二氧化物层形成在n-InP缓冲层上。 图案化第二氧化物层以形成连接到有源层波导的金属电极。

公开(公告)号：KR100289043B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019980016754

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/12

Abstract: PURPOSE: A vertical fluorescent integrated circuit is provided to perform simultaneously a light emitting function and a light receiving function by forming a laser diode and a photo diode into one device. CONSTITUTION: A lower resonator(3) is installed on a semiconductor substrate(1) in order to transmit an optical signal having a wavelength of 1.3 micro meter and receive an optical signal having a wavelength of 1.55 micro meter. An upper resonator(5) is laminated on the lower resonator(3). The upper resonator(5) is used for coupling and detecting the optical signals of 1.55 micro meter when a backward bias is applied. An auxiliary optical waveguide(12) is installed between the lower resonator(3) and the upper resonator(5) in order to prevent transmission of the optical signal of 1.3 micro meter to the upper resonator(5) or couple efficiently the optical signals of 1.33 micro meter. Cathodes(10,9) are formed on the substrate(1) and a metal contact layer(7), respectively. A common anode is formed on the optical waveguide(12).

公开(公告)号：KR100248431B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019960062714

申请日：1996-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.

公开(公告)号：KR100238422B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970032813

申请日：1997-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L31/153 ,  H01L27/14

Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.