公开(公告)号：FR3043837A1

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：FR1561044

申请日：2015-11-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BARRAUD SYLVAIN ,  AUGENDRE EMMANUEL ,  MAITREJEAN SYLVAIN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: Procédé de réalisation d'un transistor (100) à nanofil semi-conducteur, comportant les étapes : - réaliser, sur un support (102), un nanofil semi-conducteur dont une portion (123) est recouverte d'une grille sacrificielle entourée, avec le nanofil, d'une couche diélectrique, - retirer la grille sacrificielle, formant un premier espace entouré de premières parties de la couche diélectrique, - implanter ioniquement une deuxième partie de la couche diélectrique sous ladite première portion, lesdites premières parties protégeant des troisièmes parties (136) de la couche diélectrique, - graver ladite deuxième partie, formant un deuxième espace, - réaliser une grille (140, 142) dans les espaces, et une portion diélectrique (148) sur la grille et lesdites premières parties, - implanter ioniquement des quatrièmes parties de la couche diélectrique entourant des deuxièmes portions du nanofil, la portion diélectrique protégeant lesdites premières et troisièmes parties, - graver lesdites quatrièmes parties.

公开(公告)号：FR3041471A1

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：FR1558845

申请日：2015-09-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/336

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation d'espaceurs d'une grille (150) d'un transistor à effet de champ (100), la grille (150) comprenant des flancs et un sommet et étant située au-dessus d'une couche (146) en un matériau semi-conducteur , le procédé comprenant une étape (410) de formation d'une couche diélectrique (152) recouvrant la grille du transistor, le procédé comprenant : - après l'étape de formation de la couche diélectrique (152), au moins une étape de modification (430) de ladite couche diélectrique (152) par mise en présence de la couche diélectrique (152) avec un plasma créant un bombardement d'ions légers ; - au moins une étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée (158 ; caractérisé en ce que l'étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée (158) comprend : - une gravure sèche (441) réalisée par mise en présence d'un mélange gazeux, de préférence uniquement gazeux, comprenant au moins un premier composant à base d'acide fluorhydrique (HF), l'acide fluorhydrique transformant en résidus non-volatiles la couche diélectrique modifiée (158), - un retrait (442) des résidus non-volatiles par un nettoyage humide effectué uniquement après la gravure sèche (441) ou un recuit thermique de sublimation effectué après ou pendant la gravure sèche (441).

公开(公告)号：FR3041119A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558481

申请日：2015-09-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  PIMENTA BARROS PATRICIA ,  SARRAZIN AURELIEN

IPC: G03F7/20 ,  C09D153/00

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche (20) de copolymère à blocs assemblé comprenant des première et seconde phases de polymère (20A-20B ), le procédé de gravure comportant une première étape de gravure par un premier plasma formé à partir du monoxyde de carbone ou d'un premier mélange de gaz comprenant un gaz fluorocarboné et un gaz dépolymérisant, la première étape de gravure étant réalisée de façon à graver partiellement la première phase de polymère (20A) et à déposer une couche carbonée (23) sur la deuxième phase de polymère (20B), et une deuxième étape de gravure (S2) par un deuxième plasma formé à partir d'un deuxième mélange de gaz comprenant un gaz dépolymérisant et un gaz choisi parmi les oxydes de carbone et les gaz fluorocarbonés, la deuxième étape de gravure étant réalisée de façon à graver la première phase de polymère (20A) et la couche carbonée (23) sur la deuxième phase de polymère (20B).

公开(公告)号：FR3023973B1

公开(公告)日：2016-08-05

申请号：FR1555666

申请日：2015-06-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR3023970B1

公开(公告)日：2016-08-05

申请号：FR1456930

申请日：2014-07-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/52

公开(公告)号：FR3023970A1

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：FR1456930

申请日：2014-07-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/52

Abstract: L'invention décrit un procédé de réalisation d'ouvertures de contact (352) pour la connexion d'un transistor (200) à partir d'un empilement de couches comprenant une couche active (146) en un matériau semi-conducteur, une couche de siliciure (441) surmontant la couche active, une couche à base de nitrure (452) surmontant la couche de siliciure, et une couche isolante (442) électriquement surmontant la couche à base de nitrure, le procédé comprenant les étapes suivantes : une étape d'ouverture (410) pour former dans la couche isolante une ouverture (352) mettant à nu sur la couche à base de nitrure et délimitée par des flancs de la couche isolante, et une étape de retrait (420) de la couche à base de nitrure comprenant une étape de modification (530) de la couche à base de nitrure au droit de l'ouverture en utilisant un plasma dans lequel on introduit du CxHy où x est la proportion de carbone et y est la proportion d'ions hydrogène (H) et comprenant des ions plus lourds que l'hydrogène ; les conditions du plasma, en particulier la concentration en CxHy, l'énergie des ions et la direction principale d'implantation étant choisies de manière à modifier une portion (168) de la couche à base de nitrure et à former un film carboné (271) protecteur sur lesdits flancs de la couche isolante au moins une étape de retrait (540) de la portion modifiée (168) à base de nitrure à l'aide d'une gravure sélective de la portion modifiée (168) vis-à-vis des portions non-modifiées de la couche à base de nitrure et vis-à-vis au film carboné.

公开(公告)号：FR3017241A1

公开(公告)日：2015-08-07

申请号：FR1450781

申请日：2014-01-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： JOUBERT OLIVIER ,  CUNGE GILLES ,  DESPIAU-PUJO EMILIE ,  PARGON ERWINE ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une séquence d'étapes comprenant au moins: une étape de formation d'une couche réactive (710) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s), le plasma de gaz réactif(s) formant avec la couche à graver une couche réactive (110) qui pénètre dans la couche à graver au fur et à mesure de la gravure de la couche à graver, les paramètres de l'étape de formation d'une couche réactive (710) permettant à la couche réactive (110) d'atteindre, à l'issue d'une durée déterminée d'injection du gaz réactif, une épaisseur stationnaire dans le temps, caractérisé en ce que : l'injection du gaz réactif est interrompue avant ladite durée déterminée de manière à ce qu'à l'issue de l'étape de formation d'une couche réactive (710) l'épaisseur de la couche réactive (110) est inférieure à ladite épaisseur stationnaire dans le temps, et en ce que la séquence d'étapes comprend au moins une étape de retrait (720) de la couche réactive (110), l'étape de retrait (720) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer uniquement la couche réactive (110). L'invention porte également sur un système pour la mise en œuvre de l'invention.

公开(公告)号：FR3013895A1

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：FR1361585

申请日：2013-11-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs d'une grille (120) d'un transistor (200) comprenant une couche active (146) surmontée par la grille ; l'invention comprenant une étape de formation (520) d'une couche poreuse (256) recouvrant la grille et présentant une constante diélectrique égale ou inférieure à celle de l'oxyde de silicium, une étape de formation (530) d'une couche de protection (152) recouvrant la couche poreuse et la grille, une étape de gravure (540) de la couche de protection réalisée de manière anisotrope de sorte à conserver des portions résiduelles (152a, 152b) de la couche de protection uniquement au niveau des flancs de la grille, une modification (550) de la couche poreuse effectuée par pénétration d'ions au sein de la couche poreuse pour former une couche modifiée (166), la modification étant réalisée de manière anisotrope et de sorte à modifier la couche poreuse sur toute son épaisseur au dessus de la grille et au-dessus de la couche active et de sorte à ne pas modifier toute l'épaisseur de la couche poreuse située sur les flancs de la grille, cette dernière étant protégée par les espaceurs de protection et constituant des espaceurs poreux (256a, 256b) pour la grille, et une étape de retrait (560) de la couche modifiée à l'aide d'une gravure, cette étape de retrait étant effectuée de manière à laisser en place les espaceurs de protection.

公开(公告)号：FR3000600A1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：FR1262958

申请日：2012-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV JOSEPH FOURIER

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  JOUBERT OLIVIER ,  VALLIER LAURENT

IPC: H01L21/306

Abstract: L'invention concerne un procédé microélectronique de gravure d'une couche à graver, comprenant les étapes suivantes: - modification de la couche à graver depuis la surface de la couche à graver et sur une profondeur correspondant à une portion au moins de l'épaisseur de la couche à graver de manière à former un film, la modification comprenant l'implantation d'ions légers dans la couche à graver; - retrait du film comprenant une gravure sélective du film par rapport à au moins une couche sous jacente au film.

公开(公告)号：FR2970812B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1100201

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78