公开(公告)号：JP6861095B2

公开(公告)日：2021-04-21

申请号：JP2017107394

申请日：2017-05-31

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 池邊 洋平 ,  笑喜 勉 ,  尾上 貴弘 ,  小坂井 弘文

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/32 ,  G03F7/20 ,  G03F1/24

公开(公告)号：JP6815995B2

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：JP2017525171

申请日：2016-06-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 小林 巧 ,  浜本 和宏 ,  淺川 竜男 ,  笑喜 勉

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24

公开(公告)号：JPWO2019131506A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：JP2018047246

申请日：2018-12-21

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 中川 真徳 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/40 ,  G03F1/48 ,  G03F1/72 ,  G03F1/24

Abstract: 機械強度が高い裏面導電膜を有し、かつ反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供する。 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板(10)の主表面上の一方の表面に、導電膜(23)が形成された導電膜付き基板(50)であって、前記導電膜は、前記基板側に設けられた透明導電層(23a)と、前記透明導電層の上に設けられた上層(23b)とを含み、前記導電膜の波長532nmの光における透過率が10%以上であり、前記上層は、タンタル(Ta)及びホウ素(B)を含む材料からなり、前記上層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする導電膜付き基板である。

公开(公告)号：JP6425951B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2014188680

申请日：2014-09-17

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  淺川 竜男

IPC: G03F1/86 ,  C23C14/46 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G03F1/24

公开(公告)号：JP6388841B2

公开(公告)日：2018-09-12

申请号：JP2015052132

申请日：2015-03-16

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  淺川 竜男 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F7/2004

公开(公告)号：JP6157874B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2013035705

申请日：2013-02-26

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  淺川 竜男 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/24 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20

公开(公告)号：JP6133189B2

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：JP2013211713

申请日：2013-10-09

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/24 ,  C03C15/00 ,  G03F1/60

公开(公告)号：JP6105700B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2015202958

申请日：2015-10-14

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/60 ,  C03C19/00 ,  C03C15/02 ,  G03F1/22

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334

公开(公告)号：JP2016046370A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：JP2014169303

申请日：2014-08-22

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  池邊 洋平

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/58 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】EUVリソグラフィのシャドーイング効果、及びマスク上の位相シフトパターン側壁のラフネス(LER)を低減し、且つ高い洗浄耐性を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 【解決手段】基板上に多層反射膜と、保護膜と、タンタルと窒素を含むタンタル系材料層と該タンタル系材料層上にクロムと酸素を含むクロム系材料層とを有する位相シフト膜がこの順に形成された反射型マスクブランクであって、前記タンタル系材料層におけるタンタルと窒素の比(Ta:N)が、1:0.05から1:0.3であり、前記クロム系材料層におけるクロムと酸素の比(Cr:O)が、1:0.2から1:0.6であって、前記クロム系材料層の膜厚が、5nm以上25nm以下とする反射型マスクブランク、及びそのマスクブランクを用いた反射型マスクとする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有高水平的清洁阻力的反射掩模坯料和反射掩模，并且能够减少EUV光刻阴影效应，以及掩模上的相移图案侧壁的粗糙度（LER） ，从而稳定地制造具有高转印精度的半导体器件。解决方案：反射掩模板包括多层反射膜，保护膜和具有包括钽和氮的钽基材料层的相移膜和基于铬的 在钽基材料层上包括铬和氧的材料层，其依次形成在基板上。 在钽基材料层中，钽和氮的比例（Ta：N）为1:0.05〜1:0.3。 在铬系材料层中，铬和氧的比例（Cr：O）为1:0.2〜1:0.6。 铬基材料层的膜厚为5〜25nm。 一个反光罩包括面罩。选择图：图1

公开(公告)号：JP2015133514A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2015052132

申请日：2015-03-16

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  淺川 竜男 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/24 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F7/2004

Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にする反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】マスクブランク用基板10の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜26及び吸収体膜24を含む多層膜26を有し、マスクブランク表面における3μm×3μmの領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.5nm以下であり、且つ、空間周波数1〜10μm −1 のパワースペクトル密度が50nm 4 以下である。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种反射性掩模坯料，其可以在高灵敏度缺陷检查期间检测由基材或膜的表面粗糙度引起的假缺陷的检测，并且可以将诸如异物，划痕和 可以容易地发现。解决方案：反光掩模坯料在掩模坯料基板10的主表面上具有交替层叠高折射率层和低折射率层的多层反射膜26 以及包括吸收体膜24的多层膜26.在掩模坯料的表面上的3μm×3μm的面积中，使用原子力显微镜的测定得到的均方根粗糙度（Rms）为0.5nm或 在1-10μm的空间频率下的功率谱密度为50nm以下。