DISPOSITIF DE GENERATION D'UNE TENSION DE REFERENCE DE BANDE INTERDITE AJUSTABLE A FORT TAUX DE REJECTION D'ALIMENTATION

    公开(公告)号:FR2975510A1

    公开(公告)日:2012-11-23

    申请号:FR1154266

    申请日:2011-05-17

    Abstract: Le dispositif de génération d'une tension de référence ajustable de bande interdite, comprend des premiers moyens de génération d'un courant proportionnel à la température absolue comportant des premiers moyens de traitement connectés aux bornes d'un cœur (CR) et agencés pour égaliser les tensions aux bornes du coeur, des deuxièmes moyens de génération d'un courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat) connectés au cœur, et un module de sortie (MDS) agencé pour générer la tension de référence (VBG) ; les premiers moyens de traitement comprennent un premier amplificateur (AMP1) possédant au moins un premier étage (ET1), polarisé à partir du courant inversement proportionnel à la température absolue, agencé selon un montage replié et comportant des premiers transistors PMOS (M3, M4) agencés selon un montage grille commune, et un étage de contre-réaction (ETR) dont l'entrée est connectée à la sortie de l'amplificateur et dont la sortie est connectée à l'entrée du premier étage ainsi qu'à au moins une borne (BE1, BE2) du coeur, les deuxièmes moyens de génération comprennent un montage amplificateur suiveur (AMP2, M15) connecté à une borne (BE2) du cœur et séparé du premier amplificateur (AMP1), et le module de sortie (MDS) est connecté à l'étage de contre-réaction.

    Régulateur de tension
    23.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3102581B1

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:FR1911832

    申请日:2019-10-23

    Inventor: FORT JIMMY

    Abstract: Régulateur de tension La présente description concerne un dispositif comprenant : un premier transistor (108) connecté entre un rail (100) d'application d'un premier potentiel (Vcc) et une borne de sortie (106) du dispositif (1) ; un deuxième transistor (110) connecté entre la borne de sortie (106) et une première borne (128) d'une première source de courant (112), une deuxième borne de la première source de courant (112) étant connectée à un rail (102) d'application d'un deuxième potentiel (GND) ; et un circuit amplificateur à gain variable (114, 116, 120) configuré pour fournir un potentiel (V2) à une borne de commande du premier transistor (108) à partir d'un potentiel (V1) disponible sur la première borne (128) de la première source de courant (112), le gain du circuit amplificateur étant déterminé par un potentiel (Vout) sur la borne de sortie (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    Régulateur de tension
    24.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3102581A1

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:FR1911832

    申请日:2019-10-23

    Inventor: FORT JIMMY

    Abstract: Régulateur de tension La présente description concerne un dispositif comprenant : un premier transistor (108) connecté entre un rail (100) d'application d'un premier potentiel (Vcc) et une borne de sortie (106) du dispositif (1) ; un deuxième transistor (110) connecté entre la borne de sortie (106) et une première borne (128) d'une première source de courant (112), une deuxième borne de la première source de courant (112) étant connectée à un rail (102) d'application d'un deuxième potentiel (GND) ; et un circuit amplificateur à gain variable (114, 116, 120) configuré pour fournir un potentiel (V2) à une borne de commande du premier transistor (108) à partir d'un potentiel (V1) disponible sur la première borne (128) de la première source de courant (112), le gain du circuit amplificateur étant déterminé par un potentiel (Vout) sur la borne de sortie (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    CIRCUIT ELECTRONIQUE AVEC DISPOSITIF DE SURVEILLANCE DE L'ALIMENTATION

    公开(公告)号:FR3072842A1

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:FR1759915

    申请日:2017-10-20

    Abstract: Circuit électronique comportant une borne d'alimentation configurée pour recevoir une tension d'alimentation, une première borne de sortie et une borne de référence destinée à recevoir une tension de référence, et comportant un dispositif de surveillance de la tension d'alimentation, comportant un cœur de générateur de tension de bande interdite comprenant une première borne et une deuxième borne couplées à la borne d'alimentation par l'intermédiaire d'un module d'alimentation en tension, et des moyens de contrôle connectés aux deux bornes du cœur et configurés pour délivrer un signal de contrôle sur la première borne de sortie ayant un premier état lorsque la tension d'alimentation augmente et reste à un premier seuil, et un deuxième état lorsque la tension d'alimentation devient supérieure ou égale au premier seuil, le premier seuil étant au moins égal à la tension de bande interdite.

    REGULATEUR A FAIBLE CHUTE DE TENSION A STABILITE AMELIOREE.

    公开(公告)号:FR2988184A1

    公开(公告)日:2013-09-20

    申请号:FR1252322

    申请日:2012-03-15

    Abstract: Le régulateur à faible chute de tension comprend un amplificateur d'erreur (AMPE) comportant une paire différentielle de transistors d'entrée (M1, M2) et un circuit à structure différentielle cascode repliée (M5, M6, M7, M8) connecté à la sortie de ladite paire différentielle, un étage de sortie (ETS) connecté au noeud de sortie (GP) de l'amplificateur d'erreur, et un condensateur de compensation Miller (CM) connecté entre l'étage de sortie (ETS) et le noeud cascode côté sortie (XP) du circuit cascode ; l'amplificateur d'erreur (AMPE) comprend en outre au moins un module amplificateur inverseur (MAIV1, MAIV2) rebouclé entre ledit noeud cascode (XP3, XN) et la grille du transistor cascode (M6, M5) du circuit cascode connecté entre ledit noeud cascode (XP, XN) et ledit noeud de sortie (GP).

    PROCEDE ET DISPOSITIF DE GENERATION D'UNE TENSION DE REFERENCE AJUSTABLE DE BANDE INTERDITE

    公开(公告)号:FR2975512A1

    公开(公告)日:2012-11-23

    申请号:FR1154268

    申请日:2011-05-17

    Abstract: Le procédé de génération d'une tension de référence ajustable de bande interdite comprend une génération d'un courant proportionnel à la température absolue (Iptat) comportant une égalisation des tensions aux bornes (BE1, BE2) d'un cœur (CR) agencé pour être alors parcouru par ledit courant proportionnel à la température absolue, une génération d'un courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), une sommation de ces deux courants et une génération de ladite tension de référence de bande interdite (VBG) à partir de ladite somme de courants ; ladite égalisation comprend une connexion aux bornes du cœur (CR) d'un premier amplificateur (AMP1) contre-réactionné possédant au moins un premier étage (ET1) agencé en montage replié et comportant des premiers transistors PMOS agencés selon un montage grille commune, et une polarisation dudit premier étage à partir dudit courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), ladite sommation des deux courants s'effectuant dans l'étage de contre-réaction (ETR) du premier amplificateur.

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