公开(公告)号：EP3226007B1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：EP16194689.2

申请日：2016-10-19

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： TOCCHIO, Alessandro ,  GATTERE, Gabriele

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08

公开(公告)号：EP3301398A1

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP17162662.5

申请日：2017-03-23

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： GATTERE, Gabriele ,  TOCCHIO, Alessandro ,  VALZASINA, Carlo

IPC: G01C19/5726 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5755

Abstract: A MEMS device including a main die (22) that may be coupled to a secondary die (2), which forms a frame (4), and at least one first mobile mass (6) elastically coupled to the frame, the main die (22) forming: a driving stage (20, 24) that drives the first mobile mass so that it oscillates, parallel to a first direction, with frequency-modulated displacements; and a processing stage (35), which generates an output signal indicating an angular velocity of the MEMS device (100) as a function of displacements parallel to a second direction that are made by the first mobile mass, when driven by the driving stage, on account of a Coriolis force.

Abstract translation: 一种MEMS器件，包括可以耦合到形成框架（4）的次级管芯（2）的主模具（22）以及弹性耦合到框架的至少一个第一移动质量块（6），主管芯 22）形成：驱动台（20,24），所述驱动台驱动所述第一可移动质量块，使得所述第一可移动质量块平行于第一方向以频率调制位移振荡; 以及处理级（35），当由所述驱动级驱动时，所述处理级生成表示所述MEMS装置（100）的角速度的输出信号，所述输出信号作为由所述第一移动质量块形成的平行于第二方向的位移的函数， 由于科里奥利部队。

公开(公告)号：EP3281911A1

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：EP17162605.4

申请日：2017-03-23

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： TOCCHIO, Alessandro ,  CORSO, Lorenzo

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0771 ,  B81C2203/0792

Abstract: A process for manufacturing an integrated semiconductor device (55), envisages: forming a MEMS structure (26); forming an ASIC electronic circuit (36); and electrically coupling the MEMS structure to the ASIC electronic circuit (36). The MEMS structure and the ASIC electronic circuit are integrated starting from a same substrate (20) including semiconductor material; wherein the MEMS structure (26) is formed at a first surface (20a) of the substrate, and the ASIC electronic circuit is formed at a second surface (20b') of the substrate (20), vertically opposite to the first surface (20a) in a direction transverse to a horizontal plane of extension of the first surface (20a) and of the second surface (20b').

Abstract translation: 用于制造集成半导体器件（55）的工艺设想：形成MEMS结构（26）; 形成ASIC电子电路（36）; 以及将MEMS结构电耦合到ASIC电子电路（36）。 MEMS结构和ASIC电子电路从包括半导体材料的相同衬底（20）开始集成; 其中所述MEMS结构（26）形成在所述衬底的第一表面（20a）处，并且所述ASIC电子电路形成在所述衬底（20）的第二表面（20b'）处，与所述第一表面（20a） ）在横向于第一表面（20a）和第二表面（20b'）的延伸的水平面的方向上延伸。