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公开(公告)号：CN1290932A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00108882.3
申请日：2000-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/0052 , G11B7/24 , G11B7/24085 , G11B7/252
Abstract: 在一种包括一具有凸起和凹坑和/或能够形成记录标记的信息记录表面的光学信息介质中,加入一功能层。当波长大于4NA·PL的读取光被照射到由该功能层构成的信息记录表面，或通过功能层到达信息记录表面或通过信息记录表面到达功能层时，在上述信息记录表面上记载的信息能被读出,其中PL是上述凸起和凹坑或上述记录标记的最小尺寸,MA是读取光学系统的数值孔径。从功能层反射的反射光的光强按照线性比例随着读取光的功率改变而改变。此介质能以超出衍射极限的高分辨率来读取。
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公开(公告)号：CN115668039A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036144.0
申请日：2021-07-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该光调制器(200)包括具有第1光波导(11)、第2光波导(12)、对第1光波导(11)施加电场的第1电极(21)和对第2光波导(12)施加电场的第2电极(22)的光调制元件(100)以及控制第1电极(21)与第2电极(22)之间的施加电压的控制部，控制部在令光调制元件(100)的半波长电压为Vπ，令作为施加于光调制元件(100)的施加电压的振幅的施加电压幅度为Vpp时，令Vpp为0.06×Vπ≤Vpp≤0.4×Vπ，在令施加于光调制元件(100)的电压的最小值和最大值分别为Vmin和Vmax，令光调制元件(100)的null点电压为Vn时，令Vn≤Vmin≤Vn+0.29×Vπ，或Vn‑0.29×Vπ≤Vmax≤Vn。
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公开(公告)号：CN114497116A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111228410.8
申请日：2021-10-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的发送接收装置具备：接收装置，其具有具备第1铁磁性层、第2铁磁性层和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹着的间隔层的磁性元件，并接收光信号；发送装置，其具有调制光输出元件，并发送光信号；和电路芯片，其具有与所述磁性元件和所述调制光输出元件电连接的集成电路。
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公开(公告)号：CN109073597A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780020095.5
申请日：2017-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543
Abstract: 本发明公开了一种可以获得高检测精度的化学传感器。化学传感器(100)的特征在于，具有软磁膜(2)、磁阻效应元件(3)、配置于软磁膜(2)上的第一膜(10)、配置于磁阻效应元件(3)上的第二膜(20)，软磁膜(2)配置为，从与软磁膜(2)的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与磁阻效应元件(3)重叠，磁阻效应元件(3)配置为，从与软磁膜(2)的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与软磁膜(2)重叠，第二膜(20)相对于某特定液体的溶解度比第一膜(10)大。
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公开(公告)号：CN109073596A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780020068.8
申请日：2017-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01N27/72 , G01N33/543
Abstract: 本发明公开了一种可以获得高检测精度的化学传感器。化学传感器(100)的特征在于，具有基板(1)、在基板(1)上沿基板面内方向排列配置的两个以上的磁阻效应元件(3)、配置于相邻的磁阻效应元件(3)之间的区域上的第一膜(10)、配置于磁阻效应元件(3)上的第二膜(20)，第二膜(20)相对于某特定液体的溶解度比第一膜(10)大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101300624B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680040936.0
申请日：2006-12-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
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公开(公告)号：CN101300624A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040936.0
申请日：2006-12-20
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
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公开(公告)号：CN100373467C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480018847.7
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00452 , G11B7/24038 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括基板(11)、透光层(12)，和插入到所述透光层(12)和所述基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。当将激光束(40)施加到透光层(12)侧时，将数据记录/再现。当λ为激光束(40)的波长并且NA为物镜的数值孔径时，将λ/NA设置为640nm或更小。当Pw和Pr分别为所述激光束(40)的记录功率和再现功率时，设置Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.5。因此，记录包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记序列和从所述记录标记序列再现数据。
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公开(公告)号：CN1839433A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480024159.1
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/00736 , G11B7/24065 , G11B7/243
Abstract: 本发明公开了一种光学记录介质，包括：支撑基板(11)和透光层(12)，以及，当从透光层侧观看，以下述次序在透光层与支撑基板(11)之间进一步设置的电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。透光层(22)包含由下式表示的材料作为主要成分(SbaTe1－a)1－bMAb(其中，MA是除锑(Sb)和碲(Te)之外的元素，0＜a＜1且0≤b＜1=，此外，该材料区别于由下式表示的金属互化物{(GeTe)c(Sb2Te3)1－c}dMB1－d(其中，MB是除锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)之外的元素，c为1/3、1/2或2/3，且0＜d≤1)。
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公开(公告)号：CN1816850A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018847.7
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00452 , G11B7/24038 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括基板(11)、透光层(12)，和插入到所述透光层(12)和所述基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。当将激光束(40)施加到透光层(12)侧时，将数据记录/再现。当λ为激光束(40)的波长并且NA为物镜的数值孔径时，将λ/NA设置为640nm或更小。当Pw和Pr分别为所述激光束(40)的记录功率和再现功率时，设置Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.5。因此，记录包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记序列和从所述记录标记序列再现数据。
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