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公开(公告)号：CN105424780A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510845956.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京代尔夫特电子科技有限公司
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/414 , B81B2201/0214
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓传感器、制备方法和多传感器系统，该传感器包括：异质半导体衬底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT结构的晶体管；其中，所述晶体管的源极和漏极金属均设置在晶体管顶层的半导体之上，栅极表面具有经功能化处理得到的功能化膜，源极和漏极之间裸露的栅极区域形成传感区域；通过检测所述传感区域的电流变化，实现对与所述传感区域接触的待检测物的浓度检测。本发明的方案，可以克服现有技术中灵敏度低、检测范围小和便携性差等缺陷，实现灵敏度高、检测范围大和便携性好的有益效果。
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公开(公告)号：CN103025648B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180032552.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 原子能和替代能源委员会
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G03F7/24 , B81B2201/0214 , B81B2201/058 , B81B2201/06 , B81C1/00206 , B81C2201/0154 , F04B19/006
Abstract: 本发明涉及一种用于使微机械器件中的流体管道(1b)功能化的方法，所述流体管道的壁包括不透明层。为此目的，本发明提供一种用于使设置有流体管道的微机械器件功能化的方法，所述流体管道包括外围壁(5)，所述外围壁具有在所述管道外面的表面(2)和内表面(3)，所述内表面限定流体能在其中循环的空间(1b)，所述外围壁至少部分地包括硅层(5a)。所述方法包括下列步骤：a)提供器件，所述器件的外围壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度(e)的硅层(5a)；c)至少硅烷化所述流体管道的内表面；d)通过在所述壁上具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度的点处使所述外围壁曝光，而至少在硅烷化器件的内表面上局部地、选择性地光去保护。
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公开(公告)号：CN101920995A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010201121.4
申请日：2010-06-09
Applicant: 索尼公司
Inventor： 伊藤大辅
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2201/0292 , B81B2203/0361 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/16 , C30B29/60 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/46 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66462 , H01L29/775 , Y02E60/13
Abstract: 本文公开了沿着[110]方向细长生长的二氧化钒纳米线。
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公开(公告)号：CN100514098C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710003975.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B81C1/0046 , B29C43/021 , B29C2043/025 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供在用纳米转印法制作的具有凹凸的结构体中，可以很容易地只在该凹部或该凸部的特定的部位上有选择地实施物理或化学修复的方法。通过将具有凹凸的模板按压在至少由化学成分彼此不同的2层构成的高分子基板上，一直被最表面层掩盖的、从表面开始数第2个层作为柱状物部的剖面而显露出来。通过预先将该第2个层在化学方面设为所需的成分，或者，在形成了柱状物之后将第2个层的剖面进行化学修复的方式，可以实现部位特异的柱状物的化学修复。
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公开(公告)号：CN101100639A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610171911.6
申请日：2006-07-05
Applicant: ST微电子公司
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , Y10S438/911
Abstract: 一种制造包括一片测微齿棱的装置的方法，包括以下步骤：在载体上形成多晶层；使用包括氯气和氦气的气体混合物各向异性等离子体刻蚀全部或部分多晶层，由此在多晶层表面形成齿棱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101070154A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710091933.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 富士通株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: B81C1/00206 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361
Abstract: 本发明提供由碳纳米管构成的碳纳米管链、适于用作例如目标检测器或传感器的碳纳米管链、以及提供高效的碳纳米管链生产工艺。该碳纳米管链包括载体和一端与载体表面结合的多个碳纳米管，其中该多个碳纳米管定向于与载体表面基本上成一直角的方向。
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公开(公告)号：CN1174237C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN99805124.1
申请日：1999-02-04
Applicant: 汉斯·戈兰·伊瓦尔德·马丁 , 珀·奥夫·厄曼
Inventor： 汉斯·戈兰·伊瓦尔德·马丁 , 珀·奥夫·厄曼
CPC classification number: B81C1/0046 , B81B2201/0214 , B81B2203/0136 , B81C2201/034 , G01J5/12 , G01N21/3504 , G02B6/3652 , G02B6/3696 , G02B6/4219 , G02B6/423 , G02B6/4246 , H01L21/4803 , H01L35/08 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种制造气敏传感器的方法，所述气敏传感器与检测器配合，用于检测穿过气室的红外线这样的电磁波。气室(2)包括用于包围气体容积(G)以进行估算测量的空腔(21)。形成气室或空腔内壁的表面或部分表面涂有一个或多个金属层(M1，M2)，用于提供高度反射所述电磁波的反射表面。检测器(3)由热敏元件组成且形成在基座(31)上。形成所述检测器的那部分基座由一个或多个拓扑结构的表面区域组成。至少所述那个表面区域或那些表面区域涂有用于形成所述热电偶的第一和第二导电金属层(分别为M1和M2)。第一金属层(M1)以非90°的第一角施加，第二金属层也以非90°且不同于第一角的第二角施加。利用第一和第二金属层(M1，M2)彼此叠加在离散的与检测器相关的表面部分内的优点，包括由此涂敷的导电层的拓扑图形结构和/或轮廓提供了一个或多个热电偶的功能。
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公开(公告)号：CN108627181A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810230223.5
申请日：2018-03-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/135 , B81B3/0054 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , G01K3/005 , G01K5/48 , H01H1/0036 , H01H35/14 , H01H35/42 , H01H2001/0042 , H01H2001/0047 , H01H2001/0063 , H01H2037/008 , H01H2300/032 , G01D5/12 , G01D5/16 , G01D5/24
Abstract: 本发明涉及一种传感器装置（1），其具有传感器（2），所述传感器包括静止的第一元件（3）和在起始位置与所述静止的第一元件（3）隔开的活动的第二元件（4），其中所述第二元件（4）的活动如此依赖于待检测的物理量，使得这样设立所述第二元件（4），从而在超过所述待检测的物理量的预先给定值时，所述第二元件（4）接触所述第一元件（3），其中如此设立所述第二元件（4），使得当所述待检测的物理量再次下降低于所述预先给定值时，所述第二元件（4）于是也仍然接触所述第一元件（3），其中检测装置（16）被设置用于确定所述第二元件与所述第一元件（4,3）的接触。
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公开(公告)号：CN104362142B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410454357.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：第一层，包括半导体管芯的有源电路；在所述半导体管芯上的包括电路元件的第二层；将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；以及与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统(MEMS)部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信。
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公开(公告)号：CN107589182A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710552064.6
申请日：2017-07-07
Applicant: 阿尔法莫斯公司
IPC: G01N30/02
CPC classification number: G01N30/04 , B01J2219/00657 , B01J2219/00702 , B81B2201/0214 , B82Y15/00 , G01N27/227 , G01N30/64 , G01N30/78 , G01N33/0031 , G01N33/0047 , G01N2030/025
Abstract: 描述了一种在气相色谱分析柱中包括金属氧化物传感器的混合设备，从而来自MOS设备的读数将对样本做出反应而沿着所述柱改变，反映取决于镶嵌所述柱的吸附剂对于各自组份的洗脱效应的、施加于样本的组分上的差分延迟。通过这种手段，获得了一系列读数，其中的任意一个读数可以针对特定的样本更容易解释，并且其可以在它们之间进行比较，从而提供额外的测量维度。柱或传感器的后续区段的行为可以根据在较早阶段获得的读数在测量循环期间动态地修改。
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