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公开(公告)号：CN101820570B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101506987B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780031774.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101820570A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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24.发明公开MEMS SENSOR STRUCTURE COMPRISING MECHANICALLY PRELOADED SUSPENSION SPRINGS 审中-公开微机电传感器麦克风机器人VORGESPANNTENAUFHÄNGUNGSFEDERN
公开(公告)号：EP3152151A1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：EP15730062.5
申请日：2015-06-08
Applicant: Stichting VU-VUmc , FOM-Nikhef
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2203/0163 , G01P15/125
Abstract: A MEMS sensor comprising preloaded suspension springs and a method for mechanically preloading suspension springs of a MEMS sensor are described. The MEMS sensor comprises a MEMS support structure; a plurality of suspension springs connected to said support structure; and, a proof mass flexibly suspended by said suspension springs; wherein at least one of said suspension springs is mechanically preloaded with a compressive force for reducing the natural frequency of said proof mass.
Abstract translation: 描述了包括预加载悬架弹簧的MEMS传感器和用于机械预加载MEMS传感器的悬架弹簧的方法。 MEMS传感器包括MEMS支撑结构; 连接到所述支撑结构的多个悬架弹簧; 以及由所述悬架弹簧柔性地悬挂的证明质量块; 其中所述悬架弹簧中的至少一个机械地预加载有用于减小所述证明物质的固有频率的压缩力。
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25.发明申请INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SINGLE CRYSTALLINE BEAM, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURE 审中-公开具有单晶光束的集成半导体器件，制造方法和设计结构
公开(公告)号：WO2013070294A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/US2012/050743
申请日：2012-08-14
Inventor： HARAME, David, L. , STAMPER, Anthony, K.
IPC: H03H9/54
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/0285 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L41/1136 , H01L2224/73265 , H03H3/02 , H03H9/1007 , H03H9/173 , H03H2001/0064 , H03H2003/027 , H03H2009/155 , H03H2009/241
Abstract: Bulk acoustic wave filters and/or bulk acoustic resonators integrated with CMOS devices, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming a single crystalline beam (18) from a silicon layer (14) on an insulator (12). The method further includes providing a coating of insulator material (22) over the single crystalline beam. The method further includes forming a via (34a) through the insulator material exposing a wafer (10) underlying the insulator. The insulator material remains over the single crystalline beam. The method further includes providing a sacrificial material (36) in the via and over the insulator material. The method further includes providing a lid (38) on the sacrificial material. The method further includes venting, through the lid, the sacrificial material and a portion of the wafer under the single crystalline beam to form an upper cavity (42a) above the single crystalline beam and a lower cavity (42b) in the wafer, below the single crystalline beam.
Abstract translation: 提供了与CMOS器件集成的体声波滤波器和/或体声波谐振器，制造方法和设计结构。 该方法包括从绝缘体（12）上的硅层（14）形成单晶束（18）。 该方法还包括在单晶束上提供绝缘体材料（22）的涂层。 该方法还包括通过暴露出绝缘体下方的晶片（10）的绝缘体材料形成通孔（34a）。 绝缘体材料保留在单晶束上。 该方法还包括在通孔和绝缘体材料上提供牺牲材料（36）。 该方法还包括在牺牲材料上提供盖（38）。 该方法还包括在单结晶体束下通过盖子将牺牲材料和晶片的一部分排出，以在晶片上方形成上空腔（42a），并在晶片的下方形成下空腔（42b） 单晶束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP3252478A1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：EP16743057.8
申请日：2016-01-08
Applicant: Hitachi Automotive Systems, Ltd.
Inventor： DEGAWA Munenori , KIKUCHI Hiroshi , OKAMOTO Akihiro , YURA Masashi , HAYASHI Masahide
IPC: G01P15/08 , B81B3/00 , G01C19/5747 , G01C19/5769 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L29/84
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/00 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , G01C19/5747 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L29/84 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The purpose of the present invention is to improve the pressure resistance of a cavity in a semiconductor sensor device employing a resin package, and to do so without adversely affecting the embeddability of an electrically conductive member. The semiconductor sensor device has a gap 1a sealed in an airtight manner inside a laminate structure of a plurality of laminated substrates 1, 4, and 5, and has a structure in which the outside of the laminate structure is covered by a resin, wherein a platy component 2 having at least one side that is greater in length than the length of one side of the gap 1a along this side is arranged to the outside of an upper wall 1b of the gap 1, the upper wall 1b of the gap being mechanically suspended by the platy component 2.
Abstract translation: 本发明的目的在于提高采用树脂封装的半导体传感器装置中的腔体的耐压性，并且不会不利地影响导电构件的嵌入性。 半导体传感器装置具有在多个层叠基板1,4,5的层叠结构内以气密方式密封的间隙1a，并且具有层叠结构的外侧被树脂覆盖的结构，其中， 在间隙1的上壁1b的外侧配置有至少一侧的长度大于间隙1a的沿该侧的一侧的长度的板状部件2，该间隙的上壁1b机械地 悬挂在板状部件2上。
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公开(公告)号：EP1696206B1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：EP06003942.7
申请日：2006-02-27
Applicant: Sony Corporation
Inventor： Inaguma, Teruo Sony Corporation , Honda, Junichi Sony Corporation , Suzuki, Koji Sony Corporation , Takahashi, Kazuo Sony Corporation , Nakashio, Eiji Sony Corporation
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B2201/0285 , B81B2203/0118 , G01C19/5663 , G01P15/0802
Abstract: A vibrating gyrosensor includes a support substrate on which a wiring pattern having a plurality of lands is formed, and a vibrating element mounted on a surface of the support substrate. The vibrating element includes a base part having a mounting surface on which a plurality of terminals, and a vibrator part integrally projected in a cantilever manner from one of the sides of the base part and having a substrate-facing surface coplanar with the mounting surface of the base part. The vibrator part has a first electrode layer, a piezoelectric layer, and a second electrode layer, which are formed on the substrate-facing surface in that order. Furthermore, a reinforcing part is formed at the base end of the vibrator part so that the sectional area of the vibrator part gradually increases toward the base part.
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公开(公告)号：WO2012072586A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/EP2011/071194
申请日：2011-11-28
Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , BOISSEAU, Sébastien , DESPESSE, Ghislain
Inventor： BOISSEAU, Sébastien , DESPESSE, Ghislain
CPC classification number: H02N1/002 , B81B3/0086 , B81B2201/0285 , H02N1/08 , Y10T29/49226
Abstract: L'invention concerne un dispositif de conversion d'énergie(10), comprenant : -des première (20) et deuxième (30) électrodes destinées à être connectées aux bornes d'une charge électrique (60); -un électret (40) placé en vis-à-vis de la première électrode (20), monté mobile par rapport à la première électrode (20) selon un degré de liberté dans un plan, de sorte qu'un mouvement relatif entre l'électret et la première électrode induise une différence de potentiel entre les électrodes. De plus: -l'électret (40) comporte une couche continue présentant une série de saillies (42) s'étendant selon une direction (z) perpendiculaire audit plan, les saillies étant réparties avec un pas (P) inférieur à la course entre la première électrode et l'électret; -la première électrode (20) présente des faces (21) en vis-à-vis de l'électret, ces faces étant réparties avec un pas identique au pas des saillies de l'électret.
Abstract translation: 本发明涉及一种能量转换装置（10），包括： - 第一（20）和第二（30）电极，用于连接到电负载（60）的端子; - 与第一电极（20）相对放置的驻极体（40），其相对于第一电极（20）根据平面的自由度可移动地安装，使得驻极体和第一电极之间的相对运动引起 电极之间的电位差。 此外： - 驻极体（40）包括连续层，其具有沿着垂直于所述平面的方向（z）延伸的一系列突起（42），所述突起以间距（P）分布，该间距小于 第一电极和驻极体; - 第一电极（20）具有与驻极体相对的面（21），这些面以与驻极体的突起的间距相同的间距分布。
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公开(公告)号：WO2008044381A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/JP2007/064368
申请日：2007-07-20
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: Ｓｉ基板１２の表面にＳｉＯ ２ 薄膜からなる保護膜２０を形成し、その一部を除去して開口したエッチング窓２２に多結晶Ｓｉからなる犠牲層２３を成膜する。犠牲層２３の上からＳｉ基板１２表面にＳｉＯ ２ からなる保護膜２４を成膜し、その上から多結晶Ｓｉからなる素子薄膜１３を成膜する。裏面の保護膜２１に裏面エッチング窓２６を開口する。ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。犠牲層２３が貫通孔１４内に露出したら、犠牲層２３がエッチング除去し、保護膜２４とＳｉ基板１２の間に隙間１９を生成し、Ｓｉ基板１２を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。
Abstract translation: 在Si衬底（12）的前表面上形成SiO 2薄膜的保护膜（20），并且去除保护膜（20）的一部分以形成蚀刻窗口 （22）。 在蚀刻窗（22）中形成多晶Si的牺牲层（23）。 在牺牲层（23）的顶部的Si衬底（12）的前表面上形成有SiO 2的保护膜（24），作为元件的薄膜（13） 在保护膜（24）上进一步形成多晶Si。 在Si衬底（12）的背侧上的保护膜（21）中打开背面蚀刻窗（26）。 Si衬底（12）浸泡在TMAH中，通过背面蚀刻窗（26）在Si衬底（12）中进行晶体各向异性蚀刻，以在Si衬底（12）中提供通孔（14）。 当牺牲层（23）暴露于通孔（14）的内部时，牺牲层（23）被蚀刻去除，以在保护膜（24）和Si衬底（24）之间提供间隙（19） 12）和Si衬底（12）的晶体各向异性蚀刻从其正面和背面进行。
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30.发明申请MEMS SENSOR STRUCTURE COMPRISING MECHANICALLY PRELOADED SUSPENSION SPRINGS 审中-公开MEMS传感器结构包含机械预先悬挂弹簧
公开(公告)号：WO2015185222A1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/EP2015/001150
申请日：2015-06-08
Applicant: STICHTING VU-VUMC , FOM-NIKHEF
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2203/0163 , G01P15/125
Abstract: A MEMS sensor comprising preloaded suspension springs and a method for mechanically preloading suspension springs of a MEMS sensor are described. The MEMS sensor comprises a MEMS support structure; a plurality of suspension springs connected to said support structure; and, a proof mass flexibly suspended by said suspension springs; wherein at least one of said suspension springs is mechanically preloaded with a compressive force for reducing the natural frequency of said proof mass.
Abstract translation: 描述了包括预加载悬架弹簧的MEMS传感器和用于机械预加载MEMS传感器的悬架弹簧的方法。 MEMS传感器包括MEMS支撑结构; 连接到所述支撑结构的多个悬架弹簧; 以及由所述悬架弹簧柔性地悬挂的证明质量块; 其中所述悬架弹簧中的至少一个机械地预加载有用于减小所述证明物质的固有频率的压缩力。
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