公开(公告)号：CN107055461A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610919522.0

申请日：2016-10-21

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 常洪龙 ,  郝永存 ,  谢建兵 ,  苑伟政

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明公开了一种SOI基微惯性传感器封装应力隔离方法，属于微机电系统领域。该方法通过一种位于基底层3上的应力隔离结构实现，所述应力隔离结构形式为：基底3为一镂空结构，其包括外围的用于固定敏感结构层1的框架4、处于芯片中心的圆柱6，以及连接框架4和圆柱6的弹性梁5；整个SOI基微惯性传感器仅通过所述圆柱6的底面9涂胶与管壳粘接。有益效果：圆柱6的底面9比芯片敏感结构层1面积小，因此减小了传感器的粘接面积，降低了封装应力；弹性梁5使由圆柱6传递至陀螺结构层1的应力进一步降低，起到应力隔离作用，同时该应力隔离结构对芯片敏感结构不产生影响，降低芯片敏感结构设计难度。

公开(公告)号：CN106946214A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610832295.8

申请日：2016-09-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 查德·S·道森 ,  斯蒂芬·R·胡珀 ,  李丰园 ,  阿尔温德·S·萨利安

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00865 ,  B81C2203/0109 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器封装，MEMS传感器封装包括MEMS管芯，MEMS管芯包括具有在其上形成的传感器的基板和耦合到基板的顶盖层。顶盖层具有上覆于传感器所驻留的基板区的空腔。端口在空腔和MEMS管芯的侧壁之间延伸，并使流体能够进入到所述空腔中。制造方法涉及提供具有在其上形成的传感器的基板结构，提供具有朝内延伸的空腔的顶盖层结构，以及在空腔对之间形成通道。顶盖层结构与基板结构耦合，并且每一通道插入在一对空腔之间。切割过程产生一对传感器封装，传感器封装各自具有通过分割所述通道形成的端口，其中端口在切割期间暴露，在其相应的空腔和所述传感器封装的侧壁之间延伸。

公开(公告)号：CN106829853A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710068614.7

申请日：2017-02-08

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈跃华 ,  熊磊 ,  奚裴

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00388 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：步骤11、采用光刻工艺硅晶圆上定义出需要刻蚀的区域；步骤12、采用BOSCH刻蚀工艺对定义的区域进行深硅刻蚀；步骤13、进行光刻胶的干法剥离工艺，干法剥离工艺温度设定到避免聚合物产生硬化的低温范围；步骤14、进行光刻胶的湿法剥离工艺。本发明还公开了一种硅基MEMS运动传感器的制造方法。本发明能降低聚合物残留以及防止沟槽两侧的电极片粘合在一起，从而能提高产品良率。

公开(公告)号：CN106744656A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611095013.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 任玉龙

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/019

Abstract: 本发明实施例公开了一种微机电系统器件封装方法及结构。所述方法包括：在MEMS晶圆上形成器件结构，第一密封圈以及与多个金属焊盘；在盖帽的第一表面形成凹槽和多个直孔；在盖帽的第一表面形成多条第一金属导线和第二密封圈；多条第一金属导线的第一端分别延伸至多个直孔底面，多条第一金属导线的第二端以及第二密封圈位于第一表面的非凹槽区域；第二密封圈环绕凹槽和第一金属导线的第二端，并与第一密封圈对应设置；将第一金属导线的第二端与金属焊盘键合；将第一密封圈与第二密封圈相连接以密封盖帽和MEMS晶圆；刻蚀盖帽的第二表面以裸露出第一金属导线的第一端。本发明实施例提供了一种在保证气密性的同时，提高MEMS器件性能的封装方案。

公开(公告)号：CN106629578A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710080817.8

申请日：2017-02-15

Applicant: 浙江大立科技股份有限公司

Inventor： 池积光 ,  金杰 ,  姜利军

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01J5/10

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/01 ,  G01J5/10

Abstract: 一种具有微桥结构的红外探测器及其制造方法，所述红外探测器包括：基底，所述基底表面内形成有金属互连层；部分悬空于所述基底上方的图形化的微桥结构，所述微桥结构包括桥腿和桥梁，所述桥腿与所述金属互连层电连接，所述桥梁悬空且向上翘起；部分悬空于微桥结构上方的图形化的红外敏感层，且所述红外敏感层与所述微桥结构的桥梁电连接，由所述桥梁支撑。所述红外探测器的良率提高，具有更高的性能。

公开(公告)号：CN106586944A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611064839.7

申请日：2016-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 袁竹君 ,  王新强 ,  王平 ,  盛博文 ,  李沫 ,  张健 ,  沈波

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/13

CPC classification number: B81B7/00 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02104 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层，获得多种二维通道结构，适用材料范围广；各层的间距精确可控，二维通道结构设计约束少，适用众多图案；适合工业化生产，图案精度高且适用于多种工业化生产方法，制作方法简单，成本低，用途广泛；工艺约束小，适合多种工艺；可以在隔离层上设计电路，通过外接电源或电信号或光源，或通过调制不同入口压强，控制离子或分子走向，达到能量转换或药物合成等目的；图案配合适当的探测手段(如拉曼光谱，荧光谱等)能有效实现单分子探测或其他生物探测及化学探测，可配合的系统广泛。

公开(公告)号：CN106495085A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610922482.5

申请日：2016-10-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 王璐珩

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/18

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/01 ,  G01L1/18

Abstract: 一种石墨烯填充硅橡胶复合材料压阻传感器及其研制方法，属于测量技术领域。该方法将堆积密度为0.20g/cm3、直径为5μm、厚度小于15nm、碳含量大于98wt％的石墨烯作为导电填料，将介电常数为3.0、介电强度为15kV/mm的硅橡胶作为基体相，用溶液混合法和旋涂法制备出基于石墨烯填充硅橡胶复合材料的压阻薄膜，再用热压封装法将压阻薄膜和聚酰亚胺覆铜薄膜制备成石墨烯填充硅橡胶复合材料压阻传感器。利用本发明提出的方法所研制的压阻传感器压阻特性单调、灵敏度高、量程大、柔性好、可以应用于电子皮肤研制和曲面层间压力测量等领域中。

公开(公告)号：CN108692836A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710942568.9

申请日：2017-10-11

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： E·杜奇 ,  L·巴尔多 ,  R·卡尔米纳蒂

IPC: G01L1/14 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00222 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01 ,  G01L1/144 ,  G01L1/148 ,  G01P15/125

Abstract: 本公开提供了一种包括电容式压力传感器的MEMS器件及其制造方法。该MEMS器件中由半导体材料制成的主体包含腔室以及所述腔室内的第一柱。半导体材料的盖附接到所述主体并形成第一隔膜、第一腔和第一通道。所述腔室在所述盖的侧面封闭。所述第一隔膜、所述第一腔、所述第一通道和所述第一柱形成电容式压力传感器结构。所述第一隔膜布置在所述第一腔和第二面之间，所述第一通道在所述第一腔和第一面之间或所述第一腔和所述第二面之间延伸，所述第一柱向所述第一隔膜延伸并与所述第一隔膜一起构成第一电容器元件的极板。

公开(公告)号：CN107915200A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710933276.9

申请日：2017-10-10

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: B81B7/00

CPC classification number: G01N33/0027 ,  G01N27/128 ,  G01N27/14 ,  G01N33/0014 ,  B81B7/0032 ,  B81C2201/01

Abstract: 具有低热导率的微传感器封装包括：衬底，在其上形成金属图案；设置在衬底上的感测芯片；罩，其覆盖感测芯片并且形成有用于向感测芯片供应气体的孔；以及覆盖孔的过滤器，其中感测芯片包括：传感器平台，其具有沿上下方向形成的多个第一孔隙；和传感器电极，其在传感器平台的上部分或下部分上形成并且电连接到金属图案。

公开(公告)号：CN107814353A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711020715.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 武汉大学 ,  武汉大学苏州研究院

Inventor： 肖湘衡 ,  李文庆 ,  蒋昌忠

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明提供了一种透明柔性衬底上制备纳米针尖阵列的方法，实现在柔性衬底上制备纳米针尖阵列，有着制备面积大、工艺简单的特点，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1.通过液面自组装制备PS球阵列模板；步骤2.利用氧等离子体刻蚀结合离子束辐照在衬底上构建出纳米针尖阵列模板；步骤3.在表面带有纳米针尖阵列模板的衬底上旋涂PDMS，随后剥离得到PDMS模板；步骤4.在透明柔性衬底上旋涂一层紫外固化光剂，将PDMS模板压在透明柔性衬底上，使用紫外灯辐照固化后，揭下PDMS模板，得到纳米针尖阵列。