公开(公告)号：CN101578232A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001744.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

Abstract: 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。

公开(公告)号：CN107195538A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610609059.X

申请日：2016-07-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 周国耀

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2016 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法。首先，提供一衬底，于衬底上形成一目标层；再于目标层上形成多个第一抗蚀图案；然后于第一抗蚀图案上全面沉积一定向自组装材料层，其中定向自组装材料层填满第一抗蚀图案之间的空隙；之后对定向自组装材料层进行一自组装过程，于定向自组装材料层中形成重复排列的嵌段共聚物图案；最后从定向自组装材料层中移除不需要的部分，于目标层上形成第二抗蚀图案。

公开(公告)号：CN107075050A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059546.7

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 崔银英 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  李济权 ,  具世真 ,  李美宿 ,  柳亨周 ,  尹圣琇

IPC: C08F293/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: G03F7/165 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  C08F214/182

Abstract: 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可提供表现出优异的自组装性并因此可以有效地用于多种应用的嵌段共聚物以及其用途。

公开(公告)号：CN104231514B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410288684.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： R·夏尔马 ,  P·D·胡斯塔德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  D·王 ,  李明琦 ,  J·J·张

IPC: C08L53/00 ,  C08L33/12 ,  C08L33/14

CPC classification number: C09D153/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08G77/442 ,  C08L53/00 ,  C08L83/10 ,  G03F7/0002 ,  C08L33/12

Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。

公开(公告)号：CN105051870B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201480016295.X

申请日：2014-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  西村荣一 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN105980494A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480068285.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 阿科玛法国公司 ,  国家科学研究中心 ,  波尔多理工学院 ,  波尔多大学

Inventor： M.马姆塔兹 ,  K.艾苏 ,  C.布罗乔恩 ,  E.克劳泰特 ,  G.弗洛瑞 ,  G.哈德齐奥阿诺 ,  C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  X.希瓦利埃

IPC: C09D153/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: C09D183/00 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C08G77/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及通过嵌段共聚物的自组装允许纳米结构的产生的方法，其中所述嵌段共聚物的至少一个嵌段可以是结晶的或具有至少一个液晶相。

公开(公告)号：CN103402908B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201180049660.3

申请日：2011-10-12

Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会

Inventor： C·莫尔哈德 ,  C·帕霍尔斯基 ,  J·P·施帕茨 ,  R·布伦纳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B29C59/002 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及一种特别在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法，所述结构可用作NIL、热压印或注射成型工艺中的母模。所述方法涉及以下步骤：使用通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列装饰表面；以50?500nm的深度将主基底蚀刻，其中所述纳米粒子作为掩膜，并且由此制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列；在结构化过程使用纳米结构化的母模或者模板。而且，已完成的纳米结构化的基底表面可以用作涂覆有连续的金属层的牺牲母模，并且然后将该母模蚀刻掉，以留下具有纳米孔的有序阵列的金属模板，其中所述纳米孔的有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列。

公开(公告)号：CN105899557A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072800.2

申请日：2014-12-08

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金廷根 ,  李政圭 ,  李济权 ,  李美宿 ,  朴鲁振 ,  具世真 ,  崔银英 ,  吴诚浚 ,  尹圣琇

IPC: C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08F293/005 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C07C35/48 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C217/84 ,  C07C2601/16 ,  C07D209/48 ,  C07F7/1804 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/30 ,  C08F2438/03 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J7/14 ,  C08J2353/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物及其用途。本发明可以提供具有优异的自组装特性并因此可以有效应用于多种用途的嵌段共聚物及其用途。

公开(公告)号：CN105733161A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510958811.7

申请日：2015-12-18

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ,  陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： P·D·赫士德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  S-W·张

IPC: C08L53/00 ,  C08L25/06

CPC classification number: C08L53/00 ,  B81C2201/0149 ,  C08L33/12 ,  C08L25/06

Abstract: 本文中公开一种组合物，其包括嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物包括第一聚合物和第二聚合物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同，并且所述嵌段共聚物形成相分离结构；和添加剂聚合物；其中所述添加剂聚合物包括与其上安置所述添加剂聚合物的衬底反应的反应性部分；并且其中所述添加剂聚合物包括化学上和结构上与所述嵌段共聚物中的一种聚合物相同的均聚物，或其中所述添加剂聚合物包括与所述嵌段共聚物的一个嵌段具有优先相互作用的无规共聚物。

公开(公告)号：CN105555705A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480052091.1

申请日：2014-07-14

Applicant: 光州科学技术院

Inventor： 尹明汉 ,  李世宁

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于硅基板上；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层。根据本发明，工艺简单，费用低，通过大面积工艺能够实现批量生产，在资源有限的地方也能够制备纳米线，可以独立控制纳米线的结构。