公开(公告)号：US07690912B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11364631

申请日：2006-02-27

Applicant: Toshinobu Tokita ,  Hirohisa Ota ,  Eigo Kawakami ,  Kazuyuki Kasumi ,  Takashi Nakamura

Inventor： Toshinobu Tokita ,  Hirohisa Ota ,  Eigo Kawakami ,  Kazuyuki Kasumi ,  Takashi Nakamura

IPC: B29C33/44 ,  B29C35/08

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/036 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: One object of the present invention is to provide a pattern transferring mold which can provide a starting area of mold release easily and certainly and a pattern transferring apparatus with the same. A pattern transferring mold is disclosed which is used in a pattern transferring apparatus that brings the mold into contact with a photo-curing resin on a substrate and cures the photo-curing resin by light irradiation to transfer a pattern formed on the mold onto the photo-curing resin. The mold comprises a bottom face which contacts the photo-curing resin, the bottom face portion including a first area in which the pattern is formed and a second area formed outside the first area. The mold has a mold-releasing shape in the second area, the mold-releasing shape providing a starting area of mold release from the cured photo-curing resin.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种图案转印模具，其可以容易且确定地提供脱模的起始区域和具有该图案转印模具的图案转印装置。 公开了一种图案转印模具，其用于使模具与基板上的光固化树脂接触的图案转印装置，并通过光照射固化光固化树脂，以将形成在模具上的图案转印到照片上 固化树脂。 模具包括与光固化树脂接触的底面，底面部分包括形成图案的第一区域和形成在第一区域外部的第二区域。 模具在第二区域具有脱模形状，脱模形状提供了从固化的光固化树脂脱模的起始区域。

公开(公告)号：US20060192320A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11364631

申请日：2006-02-27

Applicant: Toshinobu Tokita ,  Hirohisa Ota ,  Eigo Kawakami ,  Kazuyuki Kasumi ,  Takashi Nakamura

Inventor： Toshinobu Tokita ,  Hirohisa Ota ,  Eigo Kawakami ,  Kazuyuki Kasumi ,  Takashi Nakamura

IPC: B29C59/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/036 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: One object of the present invention is to provide a pattern transferring mold which can provide a starting area of mold release easily and certainly and a pattern transferring apparatus with the same. A pattern transferring mold is disclosed which is used in a pattern transferring apparatus that brings the mold into contact with a photo-curing resin on a substrate and cures the photo-curing resin by light irradiation to transfer a pattern formed on the mold onto the photo-curing resin. The mold comprises a bottom face which contacts the photo-curing resin, the bottom face portion including a first area in which the pattern is formed and a second area formed outside the first area. The mold has a mold-releasing shape in the second area, the mold-releasing shape providing a starting area of mold release from the cured photo-curing resin.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种图案转印模具，其可以容易且确定地提供脱模的起始区域和具有该图案转印模具的图案转印装置。 公开了一种图案转印模具，其用于使模具与基板上的光固化树脂接触的图案转印装置，并通过光照射固化光固化树脂，以将形成在模具上的图案转印到照片上 固化树脂。 模具包括与光固化树脂接触的底面，底面部分包括形成图案的第一区域和形成在第一区域外部的第二区域。 模具在第二区域具有脱模形状，脱模形状提供了从固化的光固化树脂脱模的起始区域。

公开(公告)号：US20040055151A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：US10461825

申请日：2003-06-13

Inventor： Samuel Obi ,  Michael Gale

IPC: G02B006/00 ,  H01R043/00 ,  G02B001/00 ,  G02F001/00

CPC classification number: B81C1/0019 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0152 ,  Y10T29/49117

Abstract: A method for fabricating optical MEMS (optical Micro-Electro-Mechanical Systems or Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems (MOEMS)) is described. The basic process involves deposition and patterning of a sacrificial spacer layer and a combined moulding and photolithography step. The method described allows the fabrication of micromechanical elements incorporating micro-optical structures such as lenses (diffractive or refractive), gratings (for polarisers or resonant filters), waveguides or other micro-optical relief structures fabricated by UV-curing replication processes.

Abstract translation: 描述了制造光学MEMS（光学微机电系统或微机电系统（MOEMS））的方法。 基本过程涉及牺牲间隔层的沉积和图案化以及组合的模制和光刻步骤。 所描述的方法允许制造结合微光学结构的微机械元件，例如透镜（衍射或折射），光栅（用于偏振器或谐振滤光器），波导或通过UV固化复制工艺制造的其它微光学浮雕结构。

公开(公告)号：US06455227B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09473655

申请日：1999-12-29

Applicant: Masaki Hara

Inventor： Masaki Hara

IPC: G03F726

CPC classification number: G03F7/2022 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/0197 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11

Abstract: A multilayer resist structure is irradiated more than one time with ultraviolet rays through a photomask. Each time the structure is irradiated, ultraviolet rays of a little greater quantity of light than those used in the last irradiation are used. Also, with each exposure, a photomask which has a larger lightproof section than that used in the last irradiation is used. Next, the multilayer resist structure is developed, and the exposed area of each photoresist is removed with a developing solution. Also, in amorphous silicon layers, the areas under the removed photoresist are easily removed with the developing solution. A resist structure having desired steps is thus completed. Using the resist structure, a three-dimensional microstructure can be formed.

Abstract translation: 通过光掩模用紫外线照射多层抗蚀剂结构多次。 每次照射结构时，使用比上次照射中使用的光量稍大的紫外线。 此外，对于每次曝光，使用具有比在最后照射中使用的遮光部分更大的遮光部分的光掩模。 接下来，显影多层抗蚀剂结构体，用显影液去除各光致抗蚀剂的露出面积。 此外，在非晶硅层中，去除的光致抗蚀剂下的区域容易用显影液除去。 因此完成了具有所需步骤的抗蚀剂结构。 使用抗蚀剂结构，可以形成三维微结构。

公开(公告)号：WO2009064816A1

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/US2008/083283

申请日：2008-11-12

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  KHINE, Michelle ,  CHEN, Chi-shuo ,  GRIMES, Anthony ,  BRESLAUER, David Nate ,  LEE, Luke ,  DUNLAP, Michael ,  GOPINATHAN, Ajay ,  GHOSH, Sayantani

Inventor： KHINE, Michelle ,  CHEN, Chi-shuo ,  GRIMES, Anthony ,  BRESLAUER, David Nate ,  LEE, Luke ,  DUNLAP, Michael ,  GOPINATHAN, Ajay ,  GHOSH, Sayantani

IPC: C12M1/34

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01F5/0057 ,  B01F5/0646 ,  B01F5/0647 ,  B01F13/0059 ,  B01F2215/0037 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0867 ,  B01L2300/0887 ,  B81B1/002 ,  B81B2201/051 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0152 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02271

Abstract: A method is provided to prepare one or more microfluidic channels on a receptive material by applying an image-forming material to a heat sensitive thermoplastic receptive material in a designed pattern and heating the material under conditions that reduce the size of the thermoplastic receptive material by at least about 60%. In an alternative aspect, the microfluidic channels on receptive material are prepared by etching a designed pattern into a heat sensitive thermoplastic material support and then heating the material under conditions that reduce the size of the thermoplastic receptive material by at least about 60%.

Abstract translation: 提供了一种通过将图像形成材料以设计图案施加到热敏性热塑性接受材料上并在加热材料的条件下，通过在下述条件下加热该材料的方法来制备接受材料上的一个或多个微流体通道： 至少约60％。 在另一方面，接收材料上的微流体通道是通过将设计的图案蚀刻成热敏热塑性材料载体，然后在将热塑性接受材料的尺寸减小至少约60％的条件下加热材料来制备的。

公开(公告)号：WO2007026605A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/JP2006/316682

申请日：2006-08-25

Applicant: 独立行政法人理化学研究所 ,  沖仲 元毅 ,  塚越 一仁 ,  青柳 克信

Inventor： 沖仲 元毅 ,  塚越 一仁 ,  青柳 克信

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/38 ,  B82B3/00 ,  H01L21/027 ,  B29K83/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76817

Abstract: A method of fine-pattern formation in which in forming a pattern, a fine pattern formed in a mold can be transferred to a patterning material in a short time at a low temperature and low pressure and, after the transfer of the fine pattern to the patterning material, the fine pattern formed in the patterning material does not readily deform. The method for fine-pattern formation comprises: a first step in which a mold having a fine structure with recesses/protrusions is pressed against a patterning material comprising a polysilane; a second step in which the patterning material is irradiated with ultraviolet to photooxidize the patterning material; a third step in which the pressing of the mold against the patterning material is relieved and the mold is drawn from the patterning material; and a fourth step in which that surface of the patterning material to which the fine pattern has been transferred is irradiated with an oxygen plasma to oxidize the surface.

Abstract translation: 精细图案形成的方法，其中在形成图案时，在模具中形成的精细图案可以在低温低压下在短时间内转印到图案形成材料上，并且在精细图案转印到 图案形成材料中形成的微细图案不容易变形。 精细图案形成方法包括：第一步骤，其中具有凹陷/突起的精细结构的模具被压在包含聚硅烷的图案材料上; 第二步骤，其中图案形成材料被紫外线照射以对图案材料进行光氧化; 将模具压靠在图案形成材料上的第三步骤被释放并且模具从图形材料中拉出; 以及第四步骤，其中已经转印有精细图案的图案形成材料的表面用氧等离子体照射以氧化该表面。

公开(公告)号：KR1020140011505A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020120066177

申请日：2012-06-20

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 이응숙 ,  정주연 ,  최준혁 ,  한재원

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B29C33/42

CPC classification number: B32B37/26 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0152 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/2004 ,  B29C33/424 ,  G03F7/427 ,  H01L21/0274

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a stamp for plasmonic nano-lithography. The method for manufacturing a stamp for plasmonic nano-lithography comprises: a metal pattern formation step which forms metal patterns on a substrate; a hydrophobic treatment step which coats the outer surface of the substrate and the metal patterns with hydrophobic thin films for hydrophobic treatment; a hydrophilic treatment step which selectively conducts hydrophilic treatment on the outer surface of the metal patterns; a buffer layer lamination step which laminates the buffer layer on the substrate and the metal patterns; and a combination step which transfers the metal patterns and the buffer layer from the substrate to a light permeable base side. The present invention provides the method for manufacturing the stamp for plasmonic nano-lithography and the apparatus for plasmonic nano-lithography which can overcome limitation of light diffraction using surface plasmon energy and form micropatterns. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S105) Pretreatment step; (S110,S210) Metal pattern formation step; (S120) Hydrophobic treatment step; (S130) Hydrophilic treatment step; (S131) Polymer layer lamination step; (S132) First lamination step; (S133) Plasma treatment step; (S134) Second lamination step; (S135) First removal step; (S136) Selective treatment step; (S137) Second removal step; (S140) Buffer layer lamination step; (S150) Combination step; (S160) Anti-sticking layer lamination step

Abstract translation: 本发明涉及一种制造等离子体激光纳米光刻印花的方法。 用于等离子体激光纳米光刻的印模的制造方法包括：在基板上形成金属图案的金属图案形成步骤; 疏水处理步骤，其使用用于疏水处理的疏水性薄膜涂覆基材的外表面和金属图案; 选择性地对金属图案的外表面进行亲水处理的亲水处理工序; 缓冲层层压步骤，其将所述衬底上的缓冲层和所述金属图案层压; 以及将金属图案和缓冲层从基板转印到透光性基底侧的组合步骤。 本发明提供了等离子体纳米光刻用印模的制造方法和等离子体激光纳米光刻装置，其可以克服使用表面等离子体激元的光衍射的限制并形成微图案。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S105）预处理步骤; （S110，S210）金属图案形成工序; （S120）疏水处理工序; （S130）亲水处理步骤; （S131）聚合物层层压步骤; （S132）第一层压步骤; （S133）等离子体处理工序; （S134）第二层压工序; （S135）第一移除步骤; （S136）选择性治疗步骤; （S137）第二去除步骤; （S140）缓冲层层叠工序; （S150）组合步骤; （S160）防粘层层叠工序

公开(公告)号：JP2011504426A

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：JP2010533341

申请日：2008-11-12

Applicant: ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアThe Regents of The University of California

Inventor： マイケル キーン， ,  アンソニー グリムズ， ,  サヤンタニ ゴーシュ， ,  アジェイ ゴピナザン， ,  マイケル ダンラップ， ,  チー−シュオ チェン， ,  デービット ネイト ブレスローアー， ,  ルーク リー，

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/40 ,  B29K23/00 ,  B29K25/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01F5/0057 ,  B01F5/0646 ,  B01F5/0647 ,  B01F13/0059 ,  B01F2215/0037 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0867 ,  B01L2300/0887 ,  B81B1/002 ,  B81B2201/051 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0152 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02271

Abstract: 感熱・熱可塑性プラスチック受容材料に、像形成材料を、デザインされたパターン状に付着させること、および該熱可塑性プラスチック受容材料のサイズを少なくとも約６０％縮小させる条件下で該材料を加熱することによって、受容材料上に１つまたはそれ以上のマイクロ流体チャンネルを調製するための方法が提供される。 代わりの様態において、感熱・熱可塑性プラスチック受容材料・支持体中に、デザインされたパターンをエッチング加工すること、および次に、熱可塑性プラスチック受容材料のサイズを少なくとも約６０％縮小させる条件下で、該材料を加熱することによって、受容材料上にマイクロ流体チャンネルが調製される。

公开(公告)号：JPWO2007026605A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：JP2007533209

申请日：2006-08-25

Applicant: 独立行政法人理化学研究所

Inventor： 元毅 沖仲 ,  元毅 沖仲 ,  一仁 塚越 ,  一仁 塚越 ,  青柳　克信 ,  克信 青柳

IPC: B29C59/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76817

Abstract: パターン形成時には低温、低圧、短時間でモールドの微細パターンをパターニング材料に転写することを可能にし、パターニング材料に微細パターンが転写された後は、パターニング材料に形成された微細パターンが容易に変形することのないようにするため、微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドとポリシランからなるパターニング材料とを圧接する第1の工程と、モールドとパターニング材料とを圧接した状態でパターニング材料に紫外線を照射して、パターニング材料を光酸化する第2の工程と、モールドとパターニング材料との圧接を解除して、パターニング材料からモールドを引き抜く第3の工程と、第3の工程によりモールドを引き抜かれたパターニング材料における微細パターンを転写された表面に酸素プラズマを照射して、パターニング材料における微細パターンを転写された表面を酸化する第4の工程とを有するようにした。

公开(公告)号：JP4795356B2

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：JP2007533209

申请日：2006-08-25

Applicant: 独立行政法人理化学研究所

Inventor： 一仁 塚越 ,  元毅 沖仲 ,  克信 青柳

IPC: B29C59/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0152 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76817

Abstract: A method of fine-pattern formation in which in forming a pattern, a fine pattern formed in a mold can be transferred to a pattering material in a short time at a low temperature and low pressure and, after the transfer of the fine pattern to the patterning material, the fine pattern formed in the patterning material does not readily deform. The method for fine-pattern formation comprises: a first step in which a mold having a fine structure with recesses/protrusions is pressed against a pattering material comprising a polysilane; a second step in which the patterning material is irradiated with ultraviolet to photooxidize the patterning material; a third in which the pressing of the mold against the patterning material is relieved and the mold is drawn from the pattering material; and a fourth step in which that surface of the patterning material to which the fine pattern has been transferred is irradiated with an oxygen plasma to oxidize the surface.