公开(公告)号：EP2879988B1

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP13829083.8

申请日：2013-07-31

Applicant: Robert Bosch GmbH ,  Chen, Po-Jui ,  Yama, Gary ,  Liger, Matthieu ,  Graham, Andrew

Inventor： CHEN, Po-Jui ,  YAMA, Gary ,  LIGER, Matthieu ,  GRAHAM, Andrew

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/18 ,  G01C19/5783

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0771 ,  G01C19/5783 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  H01L29/66007

Abstract: A device with multiple encapsulated functional layers, includes a substrate, a first functional layer positioned above a top surface of the substrate, the functional layer including a first device portion, a first encapsulating layer encapsulating the first functional layer, a second functional layer positioned above the first encapsulating layer, the second functional layer including a second device portion, and a second encapsulating layer encapsulating the second functional layer.

公开(公告)号：EP3166883A1

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：EP15818451.5

申请日：2015-07-06

Applicant: InvenSense, Inc.

Inventor： SMEYS, Peter

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

Abstract: A method of providing a CMOS-MEMS structure is disclosed. The method comprises patterning a first top metal on a MEMS actuator substrate and a second top metal on a CMOS substrate. Each of the MEMS actuator substrate and the CMOS substrate include an oxide layer thereon. The method includes etching each of the oxide layers on the MEMS actuator substrate and the base substrate, utilizing a first bonding step to bond the first patterned top metal of the MEMS actuator substrate to the second patterned top metal of the base substrate. Finally the method includes etching an actuator layer into the MEMS actuator substrate and utilizing a second bonding step to bond the MEMS actuator substrate to a MEMS handle substrate.

Abstract translation: 公开了一种提供CMOS-MEMS结构的方法。 该方法包括图案化MEMS致动器衬底上的第一顶部金属和CMOS衬底上的第二顶部金属。 MEMS致动器基板和CMOS基板中的每一个在其上包括氧化物层。 该方法包括利用第一键合步骤来蚀刻MEMS致动器衬底和基础衬底上的每个氧化物层，以将MEMS致动器衬底的第一图案化顶部金属键合到基础衬底的第二图案化顶部金属。 最后，该方法包括将致动器层蚀刻到MEMS致动器衬底中并利用第二结合步骤将MEMS致动器衬底结合到MEMS处理衬底。

公开(公告)号：EP2259997B2

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：EP08848955.4

申请日：2008-11-12

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： FIACCABRINO, Jean-Charles ,  VERARDO, Marco ,  CONUS, Thierry ,  THIÉBAUD, Jean-Philippe ,  PETERS, Jean-Bernard

IPC: B81C99/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

公开(公告)号：WO2008132024A2

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/EP2008/054187

申请日：2008-04-08

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  SCHEUERER, Roland ,  WEBER, Heribert ,  GRAF, Eckhard

Inventor： SCHEUERER, Roland ,  WEBER, Heribert ,  GRAF, Eckhard

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements vorgeschlagen, wobei eine Trenchstruktur im wesentlichen vollständig von einer ersten Auffüllschicht aufgefüllt und eine erste Maskenschicht auf der ersten Auffüllschicht aufgetragen wird, auf der wiederum eine zweite Auffüllschicht und eine zweite Maskenschicht aufgetragen werden. Weiterhin wird ein mikromechanisches Bauelement vorgeschlagen, wobei die erste Auffüllschicht die Trenchstruktur des mikromechanischen Bauelements auffüllt und gleichzeitig eine bewegliche Sensorstruktur bildet.

Abstract translation: 它提出了一种用于制造微机械部件，其中沟槽结构基本上完全由第一填料和第一掩模层填充的方法沉积在第一填料层上，反过来，第二填料和第二掩模层可以在沉积。 此外，微机械部件，提出，其中，所述第一填料填充所述微机械装置的沟槽结构，同时形成可移动的传感器结构。

公开(公告)号：WO2006038335A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/JP2005/008038

申请日：2005-04-27

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  中戸 義禮 ,  中西 周次 ,  深見 一弘 ,  多田 稔生 ,  酒井 将一郎 ,  長井 智幸

Inventor： 中戸 義禮 ,  中西 周次 ,  深見 一弘 ,  多田 稔生 ,  酒井 将一郎 ,  長井 智幸

IPC: C25D5/18

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D3/56 ,  C25D5/18 ,  C25D21/12

Abstract: 　作用極の表面に析出される物質の構造を決定する電気化学的析出方法、電気化学的析出装置及び微細構造体を提供する。 　陽極１及び作用極として機能する陰極２を対向して、複数の物質がイオン状態で溶解した電解（酸性）溶液（以下、溶液という）４を容れた液槽５内に配置し、陽極１と陰極２との間に所定の電圧を印加する。また、参照電極３を液槽５内に配置し、陰極２，参照電極３間の電位を計測する。溶液４は導体と考えられるので、陰極２の溶液４に対する電位Ｖ１を求めることができる。さらに、液槽５内には、反応阻害種が混入されており、反応阻害種の存在下における物質の電気化学的析出反応において、自発的な電気化学振動（ここでは、電流振動）を生じさせる。陰極の電位Ｖ１、溶液中の物質の濃度、反応阻害種の種類及び濃度を調整することによって、電気化学振動の波形を制御し、作用極の表面に析出される物質の構造を決定する。                                                                         

Abstract translation: 用于确定沉积在工作电极表面上的物质的结构的电化学沉积方法和装置以及微结构。 作为工作电极的正极（1）和负极（2）相对地配置在含有电解（酸）溶液（以下称为溶液）（4））的液体槽（5）中，其中多个物质 溶解在离子状态，然后在正极（1）和负极（2）之间施加规定的电压。 参考电极（3）也布置在液体罐（5）中，并且测量负极（2）和参考电极（3）之间的电位。 由于溶液（4）可以被认为是导体，因此可以确定负极（2）对溶液（4）的电位V1。 此外，反应抑制剂物质混合在液体罐（5）中，并且在反应抑制剂物质存在下的物质的电化学沉积反应中产生自发的电化学振荡（在这种情况下为电流振荡）。 通过调节负极的电位V1，溶液中物质的浓度以及反应抑制剂的种类和浓度来控制电化学振荡的波形，从而确定沉积在表面上的物质的结构 工作电极。

公开(公告)号：WO2005065436A2

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：PCT/US2005/000086

申请日：2005-01-03

Applicant: MICROFABRICA INC. ,  KUMAR, Ananda, H. ,  COHEN, Adam, L. ,  LOCKARD, Michael, S.

Inventor： KUMAR, Ananda, H. ,  COHEN, Adam, L. ,  LOCKARD, Michael, S.

IPC: B05D1/38 ,  C08K3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: Some embodiments of the present invention provide processes and apparatus for electrochemically fabricating multilayer structures (e.g. mesoscale or microscale structures) with improved endpoint detection and parallelism maintenance for materials (e.g. layers) that are planarized during the electrochemical fabrication process. Some methods involve the use of a fixture during planarization that ensures that planarized planes of material are parallel to other deposited planes within a given tolerance. Some methods involve the use of an endpoint detection fixture that ensures precise heights of deposited materials relative to an initial surface of a substrate, relative to a first deposited layer, or relative to some other layer formed during the fabrication process. In some embodiments planarization may occur via lapping while other embodiments may use a diamond fly cutting machine.

Abstract translation: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和用于在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测夹具，其相对于第一沉积层或相对于在制造过程期间形成的一些其它层，相对于衬底的初始表面确保沉积材料的精确高度。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机。

公开(公告)号：JP2009102749A

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：JP2009029268

申请日：2009-02-12

Applicant: Univ Of Southern California ,  ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： COHEN ADAM L

IPC: B81C1/00 ,  C25D1/00 ,  B21C37/00 ,  C23F1/00 ,  C25D20060101 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form a multi-layer three-dimensional structure by electrodepositing both of a structural material and a sacrificial material on a substrate. SOLUTION: This method for manufacturing the multi-layer three-dimensional structure comprises the steps of: bringing the substrate 2 to be plated into contact with a first article 4a which includes a mask 6 and a support 8; depositing a first metal 12 (for instance, a sacrificial metal) on the substrate in the presence of a first metal ion source; bringing the substrate 2 into contact with a second article 14 which includes a mask 16 and a support 18; depositing a second metal 20 (for instance, a structural metal) on the substrate in the presence of a second metal ion source; planarizing the layer; and repeating the above method by using electroplating articles 4a, 4b, 14a and 14b, which have a different pattern, to produce a multi-layered structure 24. An element 26 is obtained by etching all of the sacrificial metals 12. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP2007516856A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：JP2006547616

申请日：2005-01-03

Applicant: マイクロファブリカ インク

Inventor： クマール，アナンダ・エイチ． ,  コーエン，アダム・エル． ,  ロッカード，マイケル・エス．

IPC: B81C1/00 ,  B05D1/38 ,  C08K3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: 本発明のいくつかの実施形態は、複数層構造体（例えば、メソスケールまたはマイクロスケール構造）の電気化学的成型加工のための方法および装置において、当該電気化学的成型加工の際に平坦化される材料（例えば、層）の端点検出および平行性維持の性能を改善する。 いくつかの方法は、平坦化の際に、平坦化された材料の平面が、定められた許容誤差内で、他の堆積された平面に対して平行であることを確認するための器具を、使用する。 また、いくつかの方法は、基板の所期表面、第１の堆積層、または加工工程で形成された他の堆積層に対する、堆積された材料の詳細な高さを確認するための、端点検出器具を使用する。 また、いつくかの実施形態では、平坦化がラッピングによって行われてもよいし、また、他の実施形態では、ダイヤモンドフライカッティングによって行われてもよい。

Abstract translation: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和用于在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测夹具，其相对于第一沉积层或相对于在制造过程期间形成的一些其它层，相对于衬底的初始表面确保沉积材料的精确高度。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机。

公开(公告)号：KR1020010005994A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019997009072

申请日：1998-04-03

Applicant: 유니버시티 오브 써던 캘리포니아

Inventor： 코헨아담엘.

IPC: C25D5/02

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: a) 제 1 기판(4)을기판및 기판상의패턴내에배치된유연한(conformable) 마스크를포함하는제 2 전기도금아티클(4)에접촉시키는단계와, b) 금속이온의소스인전기도금조(58)로부터의제 1 금속을유연한마스크패턴의보충물과대응하는제 1 패턴내의제 1 기판상에전기도금하는단계와, c) 제 1 기판으로부터제 1 아티클을제거하는단계를포함하는도금방법을개시한다. 이방법은최소화된장치의미세구조내에서사용될수 있다. 전기도금아티클들및 전기도금장치들또한개시된다.

公开(公告)号：EP3411894A1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：EP17713766.8

申请日：2017-02-02

Applicant: Analog Devices Global Unlimited Company

Inventor： TWOHIG, Michael, James ,  FITZGERALD, Padraig

IPC: H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0181 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0197 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0054

Abstract: Microelectromechanical systems (MEMS) switches are described. The MEMS switches can be actively opened and closed. The switch can include a beam coupled to an anchor on a substrate by one or more hinges. The beam, the hinges and the anchor may be made of the same material in some configurations. The switch can include electrodes, disposed on a surface of the substrate, for electrically controlling the orientation of the beam. The hinges may be thinner than the beam, resulting in the hinges being more flexible than the beam. In some configurations, the hinges are located within an opening in the beam. The hinges may extend in the same direction of the axis of rotation of the beam and/or in a direction perpendicular to the axis of rotation of the beam.