公开(公告)号：CN103080840A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180031217.3

申请日：2011-03-17

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·亚库宁 ,  V·班尼恩 ,  E·鲁普斯特拉 ,  H·范德斯库特 ,  L·史蒂文斯 ,  M·范卡朋

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G02B5/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F1/64 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/20 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/204 ,  G02B5/208 ,  G02B27/0006 ,  G03B27/54 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24

Abstract: 一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。

公开(公告)号：CN101943668B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910088662.8

申请日：2009-07-07

Applicant: 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

Inventor： 黄志峰 ,  陈志强 ,  张丽 ,  王振天 ,  邢宇翔 ,  赵自然 ,  肖永顺

IPC: G01N23/04

CPC classification number: G01N23/04 ,  B82Y10/00 ,  G01N23/20075 ,  G21K2201/061 ,  G21K2207/005

Abstract: 一种X射线成像技术，利用包括：X射线源、两吸收光栅G1和G2、X射线探测器、控制器和数据处理单元的成像系统对被测物体进行X射线暗场CT成像，包括：向被测物体发射X射线；使得所述两块吸收光栅G1和G2之一在其至少一个周期范围内进行相位步进运动；在每个相位步进步骤，探测器接收X射线，并转化为电信号；其中，经过至少一个周期的相位步进，探测器上每个像素点处的X射线光强表示为一个光强曲线；根据探测器上每个像素点处的光强曲线与不存在被检测物体情况下的光强曲线的对比度，计算得到每个像素的散射角分布的二阶矩；在多个角度拍摄物体的图像，然后根据CT重建算法可以得物体的散射信息图像。

公开(公告)号：CN102844714A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180015282.7

申请日：2011-02-03

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： V·梅德韦杰夫 ,  V·班尼恩 ,  V·克里夫特苏恩 ,  W·索尔 ,  A·亚库宁

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70575 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层。多层反射镜结构和一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长的辐射干涉。

公开(公告)号：CN102138185A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980126444.7

申请日：2009-07-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·梅茨马歇尔

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G02B5/283 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及改进的EUV反射元件，包括：a)第一层，基本上由高反射性材料制成；b)第二层，厚度≤5nm，基本上由耐溅射性≤10nm/108次射击的材料制成，并且由此第二层被设置在入射的和/或反射的EUV光的路径中。

公开(公告)号：CN101943668A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910088662.8

申请日：2009-07-07

Applicant: 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

Inventor： 黄志峰 ,  陈志强 ,  张丽 ,  王振天 ,  邢宇翔 ,  赵自然 ,  肖永顺

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/083 ,  A61B6/03 ,  G03B42/02

CPC classification number: G01N23/04 ,  B82Y10/00 ,  G01N23/20075 ,  G21K2201/061 ,  G21K2207/005

Abstract: 一种X射线成像技术，利用包括：X射线源、两吸收光栅G1和G2、X射线探测器、控制器和数据处理单元的成像系统对被测物体进行X射线暗场CT成像，包括：向被测物体发射X射线；使得所述两块吸收光栅G1和G2之一在其至少一个周期范围内进行相位步进运动；在每个相位步进步骤，探测器接收X射线，并转化为电信号；其中，经过至少一个周期的相位步进，探测器上每个像素点处的X射线光强表示为一个光强曲线；根据探测器上每个像素点处的光强曲线与不存在被检测物体情况下的光强曲线的对比度，计算得到每个像素的散射角分布的二阶矩；在多个角度拍摄物体的图像，然后根据CT重建算法可以得物体的散射信息图像。

公开(公告)号：CN101849212A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880115027.8

申请日：2008-11-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·G·斯吉麦尔 ,  T·A·R·范埃姆派尔 ,  G·H·P·M·斯温凯尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  D·兰拜特斯基

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70916 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/061 ,  H05G2/003

Abstract: 一种辐射系统(3)，其配置用以产生辐射束(B)。所述系统(3)包括室(3)。该室(3)包括：辐射源(50)，配置用以产生辐射(B)；和辐射收集器(70)，配置用以收集由所述源(50)产生的辐射(B)，以将收集的辐射传送到辐射束发射孔(60)。光谱纯度滤光片(80)提高将要通过所述孔(60)发射的辐射(B)的光谱纯度。滤光片(80)将该室(3)分成高压区域(R1)和低压区域(R2)。

公开(公告)号：CN1324613C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03819527.5

申请日：2003-06-19

Applicant: 谢诺思公司

Inventor： P·霍格霍伊 ,  A·达里埃尔 ,  S·罗德里格斯

IPC: G21K1/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 本发明涉及具有横向梯度反射多层膜的光学单元(10)，该光学单元的反射表面用于反射锐角入射的X射线并产生二维光学效应，其特征在于所述反射表面由单一表面构成，所述表面根据对应于两个不同方向的两个曲率成型。本发明还涉及制造所述光学单元的方法，其特征在于该方法包括已经具有曲率的基质上镀膜，而且所述基质的曲率沿着第二不同方向。本发明还公开了用于产生和处理RX发散角度的X光反射仪的装置，包括如上所述的光学单元，结合到X射线源上，以便光源发出的X射线在二维方向上被处理，以便调整光源对于样本所发出的光束，X光束的入射角度不同于所考虑的样本。

公开(公告)号：CN1940718A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610092790.6

申请日：2006-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东根 ,  崔成云 ,  全灿旭 ,  金炳局

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法，包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光，使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射，来改变光掩模。

公开(公告)号：CN106548821A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610856017.6

申请日：2016-09-28

Applicant: 北方夜视技术股份有限公司

Inventor： 金戈 ,  邱祥彪 ,  丛晓庆 ,  张正君 ,  王健 ,  张智勇 ,  赵慧民 ,  李婧雯 ,  孙赛林 ,  裴晶

IPC: G21K1/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC classification number: G21K1/062 ,  C23C16/18 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明提供一种具有高反射率内壁的微孔光学元件及其制备方法，该微孔光学元件为密集排布的方形微孔曲面阵列，使用原子层沉积技术在方形微孔内壁沉积复合薄膜，该复合薄膜的材料种类和复合结构经过合理的设计，能够提高X射线在微孔光学元件的通道内壁的反射率，通过这种方法，能够大幅度的提升微孔光学元件的聚焦性能，从而提升器件对于微弱X射线信号的探测精度与效率。

公开(公告)号：CN102736441B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201210091159.X

申请日：2012-03-30

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·M·雅库尼恩

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3663 ,  G02B5/0891 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组：U(铀)或其化合物或其氮化物，和B4C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B4C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B4C层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B9C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；C(碳)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层。