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公开(公告)号：CN113795912A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080034454.4
申请日：2020-05-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
Abstract: 一种设备，包括：静电夹具，所述静电夹具用于夹持部件；和用于在所述静电夹具相邻处产生自由电荷的机构。所述静电夹具包括一电极或多个电极。所述设备被配置成：在第一模式中操作，在所述第一模式中，所述电极或每个电极被设置处于一电位，使得在所述静电夹具与所述部件之间产生夹持电场以夹持所述部件；在第二模式中操作，在所述第二模式中，所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成对所述部件的夹持被松开；和在第三模式中操作，在所述第三模式中，所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成使得与在所述第一模式或第二模式中操作相比，由所述机构产生的通往所述部件的与所述静电夹具相邻的表面的自由电荷的通量增加。
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公开(公告)号：CN111837074A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980016708.7
申请日：2019-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·F·乌伊斯特尔 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , R·C·马斯 , A·O·波利亚科夫 , T·朱兹海妮娜 , V·沃罗尼纳 , E·库尔干诺娃 , J·V·奥沃卡姆普 , B·卡斯川普 , M·范卡朋 , A·多尔戈夫
Abstract: 本发明公开用于形成图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间利用具有小于100nm的波长的电磁辐射来辐照衬底的表面的选定部分。此外，电场控制器被配置成施加被定向以便迫使二次电子远离所述衬底的电场。所述辐照在选定区中局部地驱动所述沉积过程且由此使所述沉积过程以由所述选定部分限定的图案形成材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103080840B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180031217.3
申请日：2011-03-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
Abstract: 一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。
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公开(公告)号：CN103901737A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410077948.7
申请日：2011-03-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
Abstract: 本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备，该光刻设备包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜（44）配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒（54）通过隔膜的管道。颗粒捕获结构（52）配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒（58）从腔内部到达腔外部。
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公开(公告)号：CN102792228A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080040588.3
申请日：2010-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G03F7/70941
Abstract: 一种光谱纯度滤光片，包括：基底、穿过所述基底的多个孔和多个壁。所述壁限定了穿过所述基底的多个孔。所述光谱纯度滤光片还包括：第一层，形成在所述基底上以反射第一波长的辐射；和第二层，形成在所述第一层上以防止所述第一层氧化。所述孔被构造和布置成能够使第二波长的辐射的至少一部分从其中透射穿过。
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公开(公告)号：CN111837074B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201980016708.7
申请日：2019-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·F·乌伊斯特尔 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , R·C·马斯 , A·O·波利亚科夫 , T·朱兹海妮娜 , V·沃罗尼纳 , E·库尔干诺娃 , J·V·奥沃卡姆普 , B·卡斯川普 , M·范卡朋 , A·多尔戈夫
Abstract: 本发明公开用于形成图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间利用具有小于100nm的波长的电磁辐射来辐照衬底的表面的选定部分。此外，电场控制器被配置成施加被定向以便迫使二次电子远离所述衬底的电场。所述辐照在选定区中局部地驱动所述沉积过程且由此使所述沉积过程以由所述选定部分限定的图案形成材料层。
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公开(公告)号：CN116685878A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180088242.9
申请日：2021-12-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G02B1/14
Abstract: 公开了一种用于清洁晶片检查系统的真空紫外(VUV)光学器件(例如VUV反射镜)的方法和设备。该清洁系统使VUV光学器件环境中的氢气离子化或离解，以产生从反射镜的表面去除水或碳氢化合物的氢自由基(例如H*)或氢离子(例如H+、H2+、H3+)。VUV反射镜可以包括反射材料，诸如铝。VUV反射镜可以具有保护涂层，以保护反射材料免受与氢自由基或氢离子的任何不利反应。保护涂层可以包括稀有金属。
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