阴极用浸渍圆片及其生产方法

    公开(公告)号:CN1044169C

    公开(公告)日:1999-07-14

    申请号:CN93108001.0

    申请日:1993-06-26

    Inventor: 李庆相

    CPC classification number: H01J9/047 H01J1/28

    Abstract: 按照本发明的一种阴极用浸渍圆片,它是通过如下步骤来生产的;将许多金属条排放在难熔金属制成的两端敞开的圆筒内以形成许多孔隙;用电子发射材料浸灌这些孔隙制备成棒形圆片坯材;将此棒形圆片坯材切割成有预定厚度的各浸渍圆片;以及用振动和倾斜工作板的工序修整这些圆片的表面。这种浸渍圆片能广泛地应用于阴极射线管、电子管和类似的要求高电流密度的器件中。

    浸渍式阴极装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1071786A

    公开(公告)日:1993-05-05

    申请号:CN92105645.1

    申请日:1992-06-12

    Inventor: 卢焕哲

    CPC classification number: H01J9/047 H01J1/28

    Abstract: 浸渍式阴极装置包括具有在其中心有一个带有预定直径截锥形开口的顶部的套管;在套管内形成与套管形状一致的氧化物阴极材料,以便形成通过开口外露的一个点;构成套管一部分的贮筒,用于贮放氧化物阴极材料;分隔套管内部空间的支撑塞,以便形成用于贮筒的空间;和安装在套管中支撑塞之下的热子。

    浸渍式阴极及其制造方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1005175B

    公开(公告)日:1989-09-13

    申请号:CN87106151

    申请日:1987-09-02

    CPC classification number: H01J1/28

    Abstract: 一种浸渍式阴极,在所被焊接的阴极基体表层上有一个不存在有电子发射材料的部分,目的在于可把浸渍有电子发射材料的阴极基体、杯子以及阴极套筒牢固地焊接在一起。在表层上没有电子发射材料的阴极基体可通过把阴极基体放在能够溶解电子发射材料的溶液中清洗的方法而取得。由于利用这种阴极基体,就可制出浸渍式阴极了。

    磁控管
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105190822B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201480008617.6

    申请日:2014-03-03

    Applicant: 朴秀用

    Inventor: 朴秀用

    Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极,所述阳极包括圆柱形构件;以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片,在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔;以及分配器阴极,适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。

    磁控管
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105190822A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201480008617.6

    申请日:2014-03-03

    Applicant: 朴秀用

    Inventor: 朴秀用

    Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极,所述阳极包括圆柱形构件;以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片,在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔;以及分配器阴极,适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。

    浸渍型阴极
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1139093C

    公开(公告)日:2004-02-18

    申请号:CN98115965.6

    申请日:1998-07-09

    Inventor: 中川智

    CPC classification number: H01J9/047 H01J1/28 H01J9/042

    Abstract: 提供电子初始发射、寿命和电子枪的绝缘性能方面优良,适于批量生产的浸渍型阴极及其制造方法。金属粉末烧结体的块内部有孔隙,用电子发射物质2填满其孔隙,使孔隙率随着从电子发射面3向反向面进展而连续变高。由于未形成块内部孔隙率不连续面,产生自由Ba的化学反应连续顺利地进展。由于不必使用多种粒径分布的原材料粉末,能够简化制造工艺。使孔隙率和孔隙率分布在一定范围内,使寿命特性等诸性能良好。

Patent Agency Ranking