公开(公告)号：CN104658831A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510094671.3

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/3048

Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。

公开(公告)号：CN1146002C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN00105457.0

申请日：1995-10-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中博由 ,  小寺宏一 ,  内田正雄

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种电子发射阴极包括：一个导电膜；形成在该导电膜上的一个n型半导体膜；形成在该n型半导体膜上的多个岛状p型半导体膜，及与导电膜对置的一个阳极并在这两者之间设有真空，其中利用在阳极及该多个p型半导体膜之间施加一电压使电子发射。

公开(公告)号：CN1092395C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN95190982.7

申请日：1995-02-27

Applicant: 工程吸气公司

Inventor： 塞吉奥·卡尔拉 ,  克罗蒂奥·博菲托

IPC: H01J31/12 ,  H01J7/18 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J9/39 ,  H01J7/183 ,  H01J29/94 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2209/385 ,  H01J2329/00

Abstract: 具有一内部真空空间的场发射平板显示器，真空空间内有：a)一层活性荧光粉和大量可在高电场作用下发射电子的微阴极(MT)；b)大量电极引线(P)和一真空稳定器(G)。所述真空稳定器基本上是由一多孔不挥发消气材料的多孔被支撑层组成，有20～180μm厚，放置在一个基本上独立于微阴极、荧光粉和引线的区域中。

公开(公告)号：CN1086505C

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN95190581.3

申请日：1995-06-27

Applicant: 工程吸气公司

Inventor： C·卡列逖 ,  B·佛拉里奥

IPC: H01J9/39 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J7/183 ,  H01J7/18 ,  H01J29/94 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2329/00

Abstract: 公开了一种在FED内产生与保持基本上无氧化性气体并包含10-5～10-1Pa 压力氢气的受控气氛的方法，该方法包括以下步骤：在熔封以前将负载有氢气的吸气剂放入FED内。随后，沿着组成FED的两个部件的边缘进行熔封，在该操作期间或以后，通过适宜安装的尾部对FED本身进行抽气，在抽空后通过“熔下”操作气密地封装该尾部。通过将吸气剂曝露于10-4～2×105Pa压力的氢气中使吸气剂负载氢气。

公开(公告)号：CN1311894A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN99809180.4

申请日：1999-07-30

Applicant: 可印刷发射体有限公司

Inventor： R·A·塔克 ,  H·E·毕晓普

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30403

Abstract: 一种场致电子发射材料,具有一带导电表面的基底(1700)。导电表面上的电子发射点分别包括一层电绝缘材料(1703)来确定一在导电表面和绝缘层(1703)之间的第一界面区(1702),以及一在绝缘层(1703)和真空环境之间的第二界面区。处理或生成每一第一界面区(1702)以增强电子从导电表面注入绝缘层(1703)的概率。每一第一界面区(1702)经过这种处理或生成后,要么成为一绝缘体,要么从邻近导电表面的导电性渐变为邻近绝缘层(1703)的绝缘性。

公开(公告)号：CN1150700A

公开(公告)日：1997-05-28

申请号：CN96111409.6

申请日：1996-08-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 外处泰之 ,  鲈英俊

IPC: H01J31/02 ,  H01J37/05

CPC classification number: G09G3/2011 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/22 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2320/0223 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种电子产生器件，包括一个具有以简单矩阵形式通过多个数据布线条，和多个扫描布线条布线连接的多个电子发射器的多电子源，以及一个驱动电路，用于驱动所述的多电子源，所述的驱动电路包括：第一驱动装置，用于向连接有发射电子的扫描布线条施加第一电压，并向连接有不发射电子的扫描布线条施加第二电压；第二驱动装置，用于向连接有发射电子的数据布线条施加第三电压，并向连接有不发射电子的数据布线条施加第四电压；其中所述的第二电压大体等于第三电压。

公开(公告)号：CN1136364A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN95190982.7

申请日：1995-02-27

Applicant: 工程吸气公司

Inventor： 塞吉奥·卡尔拉 ,  克罗蒂奥·博菲托

IPC: H01J31/12 ,  H01J7/18 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J9/39 ,  H01J7/183 ,  H01J29/94 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2209/385 ,  H01J2329/00

Abstract: 具有一内部真空空间的场发射平板显示器，真空空间内有：a)一层活性荧光粉和大量可在高电场作用下发射电子的微阴极(MT)：b)大量电极引线(P)和一真空稳定器(G)。所述真空稳定器基本上是由一多孔不挥发消气材料的多孔被支撑层组成，有20～180μm厚，放置在一个基本上独立于微阴极、荧光粉和引线的区域中。

公开(公告)号：JP2005285778A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：JP2005135104

申请日：2005-05-06

Applicant: Candescent Intellectual Property Services Inc ,  キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド

Inventor： MACAULAY JOHN M ,  SPINDT CHRISTOPHER J ,  SEARSON PETER C ,  DUBOC JR ROBERT M

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of an electron emission device having high packing density of an emitter and to provide its manufacturing process. SOLUTION: An electron emission property element suitable for a flat panel type display is manufactured by high packing density. An electronic emitter has a base supporting the structure. A lower side non-insulation region patterned into a shape forming a plurality of parallel lines is formed on an insulation material which is the base. An electron emission property filament is formed in a hole extending in an insulation layer provided on the lower side non-insulation region. Typically, a patterned non-insulation gate layer is provided on the insulation layer to form a gate control type device. Preferably, a position of an electron emission mechanism is delimited using a charged particle track. By using the charged particle track, the electron emission mechanism is greatly miniaturized and is arranged by bringing mutual interval close. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供具有高发射极堆积密度的电子发射装置的结构并提供其制造工艺。 解决方案：适用于平板型显示器的电子发射特性元件以高堆积密度制造。 电子发射器具有支撑结构的基座。 在作为基底的绝缘材料上形成图案化为形成多条平行线的形状的下侧非绝缘区域。 在设置在下侧非绝缘区域上的绝缘层中延伸的孔中形成电子发射特性长丝。 通常，在绝缘层上设置图案化的非绝缘栅极层以形成栅极控制型器件。 优选地，使用带电粒子轨道限定电子发射机构的位置。 通过使用带电粒子轨道，电子发射机构大大地小型化并且通过使相互间隔接近来布置。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP3631959B2

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：JP2000523691

申请日：1998-12-03

Applicant: プリンタブル フィールド エミッターズ リミテッドPrintable Field Emitters Ltd.

Inventor： アラン タック，リチャード ,  ヒュー エドワード ビショップ，

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J29/87 ,  H01J29/94 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30403

公开(公告)号：JP2009049019A

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：JP2008278142

申请日：2008-10-29

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： RI KOU ,  RI SOSHIN ,  BOKU SOGEN

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  Y10S977/952

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field emission element with carbon nanotubes and a method for manufacturing the same, capable of preventing short-circuit between a gate electrode and a cathode. SOLUTION: The method for manufacturing the field emission element includes: a first step of performing vapor deposition of a protective layer on an insulation layer and a gate electrode such that the protective layer surrounds them and subsequently patterning the protective layer such that it is left only on the insulation layer and the gate electrode; a second step of coating a carbon nanotubes paste on the protective layer such that the paste is laminated on the protective layer with a well and an opening filled; a third step of irradiating light from a back side surface of a substrate so as to make the carbon nanotubes paste and the protective layer exposed and subsequently lifting off unexposed portions during development of the carbon nanotubes paste and the protective layer so as to form a carbon nanotubes column; and a fourth step of sintering the carbon nanotubes column so as to lower its height and subsequently performing surface treatment thereon so as to form a field emitting source, in which carbon nanotubes chips are aligned on a surface of the carbon nanotubes column. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有碳纳米管的场发射元件及其制造方法，能够防止栅电极和阴极之间的短路。 解决方案：用于制造场致发射元件的方法包括：在绝缘层和栅电极上进行保护层的气相沉积的第一步骤，使得保护层围绕它们并随后对保护层进行图案化，使得其 仅留在绝缘层和栅电极上; 第二步是在保护层上涂覆碳纳米管糊料，使得糊料层压在保护层上并填充开口; 第三步骤，从基板的背面照射光，以使碳纳米管浆料和保护层暴露，随后在碳纳米管浆料和保护层的显影期间将其暴露出来，从而形成碳 纳米管柱 以及烧结碳纳米管柱以降低其高度并随后在其上进行表面处理以形成其中碳纳米管芯片在碳纳米管柱的表面上排列的场发射源的第四步骤。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT