公开(公告)号：CN107546155A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710499862.7

申请日：2017-06-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 前田幸次 ,  下元博 ,  山口都章 ,  青野弘 ,  八嶋哲也 ,  矶川英立 ,  新海健史 ,  稻叶充彦 ,  桥本幸一 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  丰增富士彦

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02096 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219

Abstract: 本发明提供一种可减轻更换不同种类的清洗模块的作业所造成的负担的清洗装置及基板处理装置。本发明采用包含下述构件的结构：多种清洗模块(31(31A、31B))，进行清洗处理；第1收纳部，可收纳多种清洗模块(31)；及流体供给部(60)，经由配管(63)对收纳于第1收纳部的清洗模块(31)供给流体；多种清洗模块(31)分别具备与配管(63)的连接位置共用的配管连接部(70)。

公开(公告)号：CN106960782A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710209971.0

申请日：2017-03-31

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘龙平 ,  刘凯哲 ,  刘建华

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02299 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底的防漏电方法，所述防漏电方法包括以下步骤：S1、对P+型衬底进行脱氧处理；S2、对经过脱氧处理的P+型衬底进行硅成核处理；S3、在经过硅成核处理的P+型衬底上生长N型外延层来形成PN结。本发明提供的半导体衬底的防漏电方法通过有效地降低P+型衬底的缺陷来解决了PN结漏电的问题，从而使PN结正常工作，防止二极管失去特性，满足了半导体器件的工作要求。

公开(公告)号：CN103681571B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310056269.7

申请日：2013-02-21

Applicant: 株式会社 ,  东芝

Inventor： 土井一英 ,  本间庄一 ,  渡边胜好 ,  西山拓 ,  生田武史 ,  奥村尚久

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/495 ,  G06K19/07732 ,  H01L21/0201 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在使用引线框谋求低成本化的基础上使外部连接端子的露出性提高的半导体存储卡及其制造方法。实施方式的半导体存储卡1）具备：引线框（2），其具备外部连接端子（3）、引线部（4）、芯片部件搭载部（5）和半导体芯片搭载部（6）；搭载于芯片部件搭载部（5）的芯片部件7）；以及搭载于半导体芯片搭载部（6）的控制器芯片（8）及存储器芯片（9）。引线框（2）被树脂封装。封装树脂层（10）具有使外部连接端子（3）的表面及侧面的一部分露出并以包围外部连接端子（3）的周围的方式设置于第1面（10a）的凹部15）。

公开(公告)号：CN106334994A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610840042.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

Inventor： 朱文龙 ,  汪祖良 ,  张彬彬 ,  范文金 ,  张雷 ,  王庆浦

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/00 ,  B24B9/14 ,  B24B49/00

CPC classification number: B24B49/04 ,  B24B9/065 ,  B24B9/12 ,  H01L21/0201 ,  B24B37/005 ,  B24B9/14 ,  B24B37/00 ,  B24B37/013 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明公开了一种研磨方法、OGS基板和OGS母板的制备方法，其中，该研磨方法包括：对OGS基板的边缘进行研磨，以形成倒角；识别基准标识的边缘和OGS基板的边缘；根据识别出的基准标识的边缘和OGS基板的边缘，计算出基准标识与对应侧的OGS基板的边缘之间的位置距离；判断位置距离是否小于第一预设距离；其中，当判断出位置距离小于第一预设距离时，则停止研磨；当判断出位置距离大于或等于第一预设距离时，则继续执行对基准标识的边缘进行研磨的步骤。本发明的技术方案通过在遮光图形上形成与遮光图形颜色不同的基准标识，并在进行CNC研磨工艺时获取基准标识与对应侧的OGS基板的边缘之间的位置距离，可实现对OGS基板研磨量的监控。

公开(公告)号：CN103493184B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280020389.5

申请日：2012-04-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片，其在研磨时于外周形成有塌边，其特征在于，在前述半导体晶片的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶片的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶片的中心是凸出的形状，前述半导体晶片的外周塌边量是100nm以下，并且，前述外周塌边开始位置，是从前述半导体晶片的外周端往中心侧20mm以上的位置、或比作为ESFQR的测定对象的前述半导体晶片的外周部更靠近中心侧的位置。本发明的目的在于由此提供一种半导体晶片及其制造方法，该半导体晶片在相同的加工条件下，能够同时满足SFQR、ESFQR、ZDD、ROA、GBIR、SBIR等二种以上的平坦度指标。

公开(公告)号：CN104471682A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201280046142.0

申请日：2012-09-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 基思·威廉·加夫 ,  基思·科门丹特 ,  安东尼·里奇

IPC: H01L21/30 ,  H05B3/68 ,  H01C17/02

CPC classification number: F25B21/04 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L35/34 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49165

Abstract: 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。

公开(公告)号：CN104392899A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410553398.1

申请日：2014-10-08

Applicant: 程德明

Inventor： 程德明 ,  程学飞 ,  王玲珍 ,  程云飞

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02697

Abstract: 本发明提供一种整流单晶硅片免喷砂扩散镀镍工艺，用氧化工艺、电解工艺、超砂粗化工艺去取替了传统的喷砂工艺，具有节能降耗、无噪声、无粉尘、生产成本低、产品质量高等优点，是整流单晶硅片扩散镀镍企业进行技术改造的首选工艺。

公开(公告)号：CN104392898A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410536346.3

申请日：2014-10-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王智勇 ,  张绵 ,  王青 ,  尧舜 ,  高鹏坤 ,  郑建华

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02054

Abstract: 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法，首先将GaAS晶圆用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用盐酸溶液浸泡GaAS衬底，除去表面的氧化层；接着采用紫外-臭氧方法对GaAs表面进行钝化；最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明处理后晶圆的表面氧化物接近未处理前晶圆的表面特性，同时钝化后器件的功率特性、增益特性，特别是抗电压特性有了明显的提高。

公开(公告)号：CN103493184A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280020389.5

申请日：2012-04-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片，其在研磨时于外周形成有塌边，其特征在于，在前述半导体晶片的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶片的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶片的中心是凸出的形状，前述半导体晶片的外周塌边量是100nm以下，并且，前述外周塌边开始位置，是从前述半导体晶片的外周端往中心侧20mm以上的位置、或比作为ESFQR的测定对象的前述半导体晶片的外周部更靠近中心侧的位置。本发明的目的在于由此提供一种半导体晶片及其制造方法，该半导体晶片在相同的加工条件下，能够同时满足SFQR、ESFQR、ZDD、ROA、GBIR、SBIR等二种以上的平坦度指标。

公开(公告)号：CN102157355A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010602674.0

申请日：2010-10-14

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： R·K·巴尔 ,  R·钱

IPC: H01L21/02 ,  B28D5/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02052 ,  H01L31/18

Abstract: 一种方法同时从半导体晶片上清洁无机和有机污染物且微刻蚀该半导体晶片。在该半导体晶片从锭切割或切片后，其被在切割工艺中使用的切割液和来自锯的金属和金属氧化物污染。用包括碱性混合物和中等烷氧基化物的水成碱性清洁和微刻蚀溶液同时清洁和微刻蚀该半导体晶片。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供半导体锭；b)切割该半导体锭以形成一片或更多片的包括无机污染物和有机污染物的半导体晶片；以及c)施加足量的包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物的水性碱性溶液以去除该污染物和微刻蚀该半导体晶片。