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公开(公告)号：CN101169551A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610149992.X
申请日：2006-10-25
Applicant: 东元电机股份有限公司
Inventor： 郭志彻
IPC: G02F1/13357 , H01J63/00
Abstract: 一种用于液晶面板的场发射型背光源结构，该结构主要包括阴极板及阳极板，其中阴极板与阳极板相对应结合。该阴极板具有阴极基板，阴极基板上设有阴极单元，该阴极单元呈梳状结构。该阴极单元还包括在阴极基板上共面的阴极电极层及栅极电极层，且在阴极电极层与栅极电极层垂直重迭的位置间设有绝缘层将两者隔离。而该阳极板包括与阴极单元相对应的阳极单元，通过该阴极单元的梳状结构形成矩阵区域，以独立提供所对应液晶面板区域的亮度对比。
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公开(公告)号：CN1293417C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN01124733.9
申请日：2001-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄仁瑄
IPC: G02F1/13357 , H01J63/00
CPC classification number: H05B41/24
Abstract: 本发明公开了一种具有低驱动电压和低电力消耗特征的冷阴极荧光管(CCFT)型照明装置、一种该照明装置的驱动方法和一种采用该驱动方法和照明装置的LCD。具有第一极性的第一驱动电压被加载到第一电极和面对第一电极的第二电极之间持续一第一时间，于是电势差在第一电极和第二电极间产生。第一和第二电极的极性在电子消失的时间内反转，在该电子消失时间内灯管中的电子因产生的电势差从第一电极移动到第二电极并消失。具有与第一极性相反极性的第二极性的第二驱动电压加载到第一电极和第二电极上持续一第二时间。
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公开(公告)号：CN1303122A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00100012.8
申请日：2000-01-03
Applicant: 吉武逸诚
Inventor： 吉武逸诚
IPC: H01J63/00
Abstract: 本发明是通过将低频商用电源经由频率变换而变换成大容量高频电流,并通过使该大容量高频电流通过各个高频镇流器流经并联连接着的电致发光灯的方式,可实现用小型、轻型且无需修理的镇流器对多盏电致发光灯实施点燃,同时将可能产生热量、噪音、需要实施冷却、消耗比较大的大容量频率变换部分分离设置在容易实施修理的位置处,而且还可以通过在实施频率变换时对大容量高频电流频率实施增减控制的方式,对电致发光灯实施光度调节。
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公开(公告)号：CN106683976B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710043857.5
申请日：2017-01-21
Applicant: 中国科学院武汉物理与数学研究所
Abstract: 本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括掺砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，掺砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分别设置有共光轴的两个多模光纤，两个多模光纤的相对的端面为凹面，凹面的表面设置介质膜，两个多模光纤的凹面的焦点重合，两个多模光纤的凹面之间形成光学微腔，本发明实现单个离子的多普勒极限冷却。单光子源具有很高的产生效率。便于与现有的光通信系统连接。使制备的单光子线宽达到离子能级跃迁的自然线宽。
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公开(公告)号：CN106683976A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710043857.5
申请日：2017-01-21
Applicant: 中国科学院武汉物理与数学研究所
Abstract: 本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括参砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，参砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分别设置有共光轴的两个多模光纤，两个多模光纤的相对的端面为凹面，凹面的表面设置介质膜，两个多模光纤的凹面的焦点重合，两个多模光纤的凹面之间形成光学微腔，本发明实现单个离子的多普勒极限冷却。单光子源具有很高的产生效率。便于与现有的光通信系统连接。使制备的单光子线宽达到离子能级跃迁的自然线宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117205A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310036129.3
申请日：2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板；第一电极层形成于第一基板的内侧；第二电极层形成于第二基板的内侧；发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上，发光材料层包括量子点材料；第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光，进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
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公开(公告)号：CN100583384C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510032870.8
申请日：2005-01-15
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 陈杰良
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , H05B41/288
CPC classification number: Y02B20/202
Abstract: 本发明提供一种照明光源，其包括：一导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空的内部空间；一荧光层，设在该阳极层表面，当被电子轰击时发出可见光；一绝缘层，位于所述真空的内部空间内，并靠近该导电阴极；及多个电子发射端，排列形成在所述绝缘层表面；其中，该多个电子发射端分别包括一圆柱体及一锥形尖端，该圆柱体与该绝缘层是由类金刚石碳材料组成，该锥形尖端是由铌金属组成。本发明的电子发射端结构稳定，可承受较高电场作用，提高光亮度和强度。
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公开(公告)号：CN100578715C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610007874.5
申请日：2006-02-21
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种阴极板，包括基板、多个阴极结构、多个栅极结构以及发射层。阴极结构直接设置于基板上。阴极结构与栅极结构设置于基板上且为条状结构。栅极结构与阴极结构彼此平行交错排列。栅极结构与阴极结构位于同一基板平面。各阴极结构具有至少一个位于各阴极结构的中间部分的凹槽，而发射层设置于凹槽内。场发射式平面灯源包括前述阴极板、阳极板以及密封件。密封件设置于阳极板与阴极板之间，并密封阳极板与阴极板。因为阴极结构上具有凹槽，所以发射层可被准确定位，以提高场发射式平面灯源的发光均匀性。
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公开(公告)号：CN100565752C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510093032.1
申请日：2005-08-25
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01J1/304 , H01J31/12 , H01J63/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J61/305 , H01J61/045 , H01J63/04
Abstract: 一种场发射装置，其包含：第一基板；与该第一基板相隔开的第二基板；形成于该第一基板与该第二基板之间的阴极结构，用以朝该第二基板发射电子；形成于该第一基板与该第二基板之间的发光层，用于受这些电子撞击时发光；以及形成于该第二基板与该发光层之间的反射层，用以将光反射回该第一基板；该阴极结构包含含有多条第一金属线的第一金属层、绝缘层、含有多条第二金属线的第二金属层以及多个发射体。
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公开(公告)号：CN101540262A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910031217.8
申请日：2009-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外平板光源，包括前基板和后基板，前后基板由石英玻璃制成，在前基板与后基板之间设有放电腔体，在前基板上设置成对的平行电极，采用表面放电，或在前后基板设置电极，采用对向式放电方式，在电极表面上还设有介质层，在介质层上设有保护膜，放电腔体充入一定气压的工作气体，可以由Ne和Xe气的混合气体构成，在电极间施加交流脉冲，工作气体放电，在维持电流脉冲的作用下，持续产生147nm和172nm的真空紫外光，通过石英基板出射到光源外面需要处理的表面上。本发明可以产生真空紫外光的面光源，对大面积处理表面具有优越性。可以实现单面和双面真空紫外平板光源，适合不同的应用场合。
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