公开(公告)号：WO2008106928A3

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/DE2008000313

申请日：2008-02-22

Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  UNIV CHEMNITZ TECH ,  OTTO THOMAS ,  MORSCHHAUSER ANDREAS ,  NESTLER JOERG ,  GESSNER THOMAS ,  VOIGT SEBASTIAN

Inventor： OTTO THOMAS ,  MORSCHHAUSER ANDREAS ,  NESTLER JOERG ,  GESSNER THOMAS ,  VOIGT SEBASTIAN

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  F04B43/04 ,  H01H50/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  F04B43/043

Abstract: The present invention relates to a method for the production of membranes that can be electrically and/or magnetically activated, particularly for switches or pumps. In the method, microparticles and/or nanoparticles (5) having magnetic and/or electric properties are mixed with a matrix material in a flowable state, which has elastic properties after solidification. The matrix material is applied to a substrate as a layer (1), and a distribution of the particles in the layer (1) is selectively modified by means of one or more electric and/or magnetic fields in order to achieve an accumulation (2, 3) of the particles (5) on one or a plurality of locations in the layer (1). The layer (1) is subsequently solidified using the accumulated particles in order to form one or more membranes (16). The invention also relates to a magnetic actuator having such a membrane. The method enables the use of elastic membranes having magnetic, or magnetizable, particles incorporated therein, without having an adverse influence on the elastic properties in certain regions of the membrane.

Abstract translation: 本发明涉及用于生产电和/或磁性变化的膜的方法，特别是用于开关，或泵。 在微米和/或纳米粒子（5）的方法中与具有容纳在具有可流动状态的基质材料的磁性和/或电气特性混合，经过硬化的弹性特性。 的基质材料被应用作为在基板上的层（1）和所述颗粒在层中的分布（1）选择性地与一个或多个电气和/或磁场改变为积累（图2，3）的颗粒（5） 所得到的层（1）的一个或多个点。 的层（1），然后用累积颗粒固化，以形成一个或多个膜（16）。 本发明还涉及具有这样的膜的磁致动器。 该方法使得能够使用具有嵌入的磁性或可磁化颗粒的弹性膜而不会在膜产生不利影响的某些区域中的弹性特性。

公开(公告)号：WO2008106928A2

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/DE2008/000313

申请日：2008-02-22

Applicant: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT CHEMNITZ ,  OTTO, Thomas ,  MORSCHHAUSER, Andreas ,  NESTLER, Jörg ,  GESSNER, Thomas ,  VOIGT, Sebastian

Inventor： OTTO, Thomas ,  MORSCHHAUSER, Andreas ,  NESTLER, Jörg ,  GESSNER, Thomas ,  VOIGT, Sebastian

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  F04B43/043

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch und/oder magnetisch ansteuerbaren Membranen, insbesondere für Schalter oder Pumpen. Bei dem Verfahren werden Mikro- und/oder Nanopartikel (5) mit magnetischen und/oder elektrischen Eigenschaften mit einem in fließfähigem Zustand befindlichen Matrixmaterial vermischt, das nach einer Verfestigung elastische Eigenschaften aufweist. Das Matrixmaterial wird als Schicht (1) auf ein Substrat aufgebracht und eine Verteilung der Partikel in der Schicht (1) mit einem oder mehreren elektrischen und/oder magnetischen Feldern gezielt verändert, um eine Anhäufung (2, 3) der Partikel (5) an einer oder mehreren Stellen der Schicht (1) zu erhalten. Die Schicht (1) wird anschließend mit den angehäuften Partikeln zur Bildung einer oder mehrerer Membranen (16) verfestigt. Die Erfindung betrifft auch einen magnetischen Aktor mit einer derartigen Membran. Das Verfahren ermöglicht die Nutzung von elastischen Membranen mit eingelagerten magnetischen oder magnetisierbaren Partikeln, ohne die elastischen Eigenschaften in bestimmten Bereichen der Membran negativ zu beeinflussen.

Abstract translation: 本发明涉及用于生产电和/或磁性变化的膜的方法，特别是用于开关，或泵。 在微米和/或纳米粒子（5）的方法中与具有容纳在具有可流动状态的基质材料的磁性和/或电气特性混合，经过硬化的弹性特性。 的基质材料被应用作为在基板上的层（1）和所述颗粒在层中的分布（1）选择性地与一个或多个电气和/或磁场改变为积累（图2，3）的颗粒（5） 所得到的层（1）的一个或多个点。 的层（1），然后用累积颗粒固化，以形成一个或多个膜（16）。 本发明还涉及具有这样的膜的磁致动器。 该方法使得能够使用具有嵌入的磁性或可磁化颗粒的弹性膜而不会在膜产生不利影响的某些区域中的弹性特性。

公开(公告)号：WO2008072163A2

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/IB2007/054989

申请日：2007-12-10

Applicant: NXP B.V. ,  STEENEKEN, Peter, G.

Inventor： STEENEKEN, Peter, G.

IPC: B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/016 ,  B81C2201/017 ,  Y10T29/49105

Abstract: The present invention relates to MEMS device that comprises a first electrode, and a second electrode suspended with a distance to the first electrode with the aid of a suspension structure. The MEMS device further comprises at least one deformation electrode. The second electrode or the suspension structure or both are plastically deformable upon application of an electrostatic deformation force via the deformation electrode. This way, variations in the off- state position of the second electrode that occur during fabrication of different devices or during operation of a single device can be eliminated.

Abstract translation: 本发明涉及MEMS器件，其包括第一电极和借助于悬架结构悬挂一段距离到第一电极的第二电极。 MEMS器件还包括至少一个变形电极。 第二电极或悬架结构或两者在通过变形电极施加静电变形力时可塑性变形。 这样，可以消除在制造不同器件期间或在单个器件的操作期间发生的第二电极的断态位置的变化。

公开(公告)号：WO2008038339A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/JP2006/319058

申请日：2006-09-26

Applicant: 株式会社アドバンテスト ,  西浦 孝英

Inventor： 西浦 孝英

IPC: H01H61/00 ,  B81B3/00 ,  H01H37/52

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/032 ,  H01H2061/006

Abstract: 　バイモルフスイッチ１Ａは、固定接点１１が設けられた基板１０と、可動接点４４が先端４３に設けられたバイモルフ梁２０Ａと、を備え、バイモルフ梁２０Ａは、Ｓｉ層３０及び第１のＣｕ層４１並びにこれら２つの層３０、４１の間に介在している薄膜ヒータ４２を有する第１のバイモルフ部４０と、Ｓｉ層３０及び第２のＣｕ層５１を有し、これら２つの層３０、５１の間にヒータが介在していない第２のバイモルフ部５０と、Ｓｉ層３０及び第３のＣｕ層６１を有し、これら２つの層３０、６１の間にヒータが介在していない第３のバイモルフ部６０と、を備えている。

Abstract translation: 包含装配有固定触点（11）的基板（10）和在其远端（43）上配备有行进触点（44））的双压电晶片（20A）的双压电晶片开关（1A），其中双压电晶片（20A）包括第一双晶片部分 40），设置有Si层（30）和第一Cu层（41），并插入在两层（30,41），薄膜加热器（42）之间; 具有Si层（30）的第二双晶片部分（50）和在两层（30,51）之间没有加热器的第二Cu层（51）; 和具有Si层（30）的第三双晶片部分（60）和在两层（30,61）之间没有加热器的第三Cu层（61）。

公开(公告)号：WO2007131796A2

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：PCT/EP2007/004394

申请日：2007-05-16

Applicant: MICROGAN GMBH ,  KUNZE, Mike ,  DAUMILLER, Ingo

Inventor： KUNZE, Mike ,  DAUMILLER, Ingo

IPC: H01L41/09 ,  F03G7/06 ,  H01H57/00 ,  H01G5/16 ,  H01F21/04 ,  F04B43/04

CPC classification number: F04B43/046 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/032 ,  H01F21/04 ,  H01F2007/068 ,  H01G5/18 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiteraktor mit einer Substratbasis (1), einer mit der Substratbasis verbundenen, zumindest teilweise in Bezug auf die Substratbasis auslenkbaren Biegestruktur (2), welche Halbleiterverbindungen auf Basis von Nitriden von Hauptgruppe-III-Elementen aufweist, und mindestens zwei elektrischen Zuleitungskontakten (3a, 3b) zur Einprägung eines elektrischen Stromes in oder zum Anlegung einer elektrischen Spannung an die Biegestruktur, wobei mindestens zwei der Zuleitungskontakte beabstandet voneinander jeweils an der Biegestruktur angeordnet und/oder in diese integriert sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有衬底基座的半导体致动器（1），连接在一个与基片的基础上，至少部分地相对于所述基片基体弯曲结构（2），其具有基于主III族元素的氮化物半导体的化合物偏转，和至少 两个电引线接触（3A，3B），其设置用于施加电流到或将电压施加到所述弯曲结构，其中至少两个在每种情况下彼此间隔在弯曲结构和/或集成在其中的供电接触的。

公开(公告)号：WO2007038558A3

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/US2006037582

申请日：2006-09-27

Applicant: CORNELL RES FOUNDATION INC ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD ,  TIWARI SANDIP ,  KIM CHUNG WOO

Inventor： TIWARI SANDIP ,  KIM CHUNG WOO

IPC: H01L27/115 ,  B81B3/00 ,  G11C11/00 ,  G11C13/02 ,  G11C23/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/788 ,  H01L41/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/14 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/77 ,  H01H9/547 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/0107 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/112 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/785

Abstract: Nanoscale mechanical devices having bistable positions are utilized to form switches and memory devices. The devices are actuatable to different positions and may be coupled to a transistor device in various configurations to provide memory devices. Actuation mechanisms include electrostatic methods and heat. In one form, the mechanical device forms a gate for a field effect transistor see Fig. 2A. In a further form, the device may be a switch that may be coupled to the transistor in various manners to affect its electrical characteristics when on and off. The memory switch in one embodiment comprises side walls formed with tensile or compressive films see Fig. 5B. A cross point switch is formed from a plurality of intersecting conductive rows and columns of conductors see Fig.11A. Actuatable switches are positioned between each intersection of the rows and columns such that each intersection is independently addressable. A sidewall-based switch can be connected to a floating gate (823) of a transistor see Fig. 8B.

Abstract translation: 具有双稳态位置的纳米级机械装置用于形成开关和存储装置。 这些器件可被驱动到不同的位置，并且可以以各种配置耦合到晶体管器件以提供存储器件。 致动机制包括静电法和热量。 在一种形式中，机械装置形成用于场效应晶体管的栅极，参见图1。 2A。 在另一种形式中，器件可以是开关，其可以以各种方式耦合到晶体管，以便在接通和断开时影响其电特性。 在一个实施例中的存储器开关包括由拉伸或压缩膜形成的侧壁，参见图1。 5B。 交叉点开关由多个相交的导电行和导体列形成，参见图11A。 可执行开关位于行和列的每个交叉点之间，使得每个交叉点可独立寻址。 基于侧壁的开关可以连接到晶体管的浮动栅极（823），如图3所示。 8B。

公开(公告)号：WO2004072334A2

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：PCT/US2004/004106

申请日：2004-02-12

Applicant: NANTERO, INC. ,  JAIPRAKASH, Venkatachalam, C. ,  WARD, Jonathan, W. ,  RUECKES, Thomas ,  SEGAL, Brent, M.

Inventor： JAIPRAKASH, Venkatachalam, C. ,  WARD, Jonathan, W. ,  RUECKES, Thomas ,  SEGAL, Brent, M.

IPC: D01F

CPC classification number: G11C23/00 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/0109 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C14/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01H1/0094

Abstract: New devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making same are described. A discrete electro-mechanical device includes a structure having an electrically-conductive trace. A defined patch of nanotube fabric is disposed in spaced relation to the trace; and the defined patch of nanotube fabric is electromechanically deflectable between a first and second state. In the first state, the nanotube article is in spaced relation relative to the trace, and in the second state the nanotube article is in contact with the trace. A low resistance signal path is in electrical communication with the defined patch of nanofabric. Under certain embodiments, the structure includes a defined gap into which the electrically conductive trace is disposed. The defined gap has a defined width, and the defined patch of nanotube fabric spans the gap and has a longitudinal extent that is slightly longer than the defined width of the gap. Under certain embodiments, a clamp is disposed at each of two ends of the nanotube fabric segment and disposed over at least a portion of the nanotube fabric segment substantially at the edges defining the gap. Under certain embodiments, the clamp is made of electrically-conductive material. Under certain embodiments, the contact between the nanotube patch and the trace is a non-volatile state. Under certain embodiments, the contact between the nanotube patch and the trace is a volatile state. Under certain embodiments, the at least one electrically conductive trace has an interface material to alter the attractive force between the nanotube fabric segment and the electrically conductive trace.

Abstract translation: 描述了具有水平布置的纳米制品的新器件及其制造方法。 分立的机电装置包括具有导电迹线的结构。 定义的纳米管织物贴片与痕迹间隔开设置; 并且所述限定的纳米管织物片在第一和第二状态之间是机电偏转的。 在第一状态下，纳米管制品相对于迹线具有间隔的关系，并且在第二状态下，纳米管制品与痕迹接触。 低电阻信号路径与所定义的纳米片段电连通。 在某些实施例中，该结构包括限定的间隙，导电迹线被布置在该间隙中。 限定的间隙具有限定的宽度，并且限定的纳米管织物片段跨过间隙并且具有比限定的间隙宽度稍长的纵向范围。 在某些实施例中，夹具设置在纳米管织物片段的两端中的每一个处，并且在纳米管织物片段的至少一部分上大致位于限定间隙的边缘处。 在某些实施例中，夹具由导电材料制成。 在某些实施方案中，纳米管贴片和迹线之间的接触是非挥发性状态。 在某些实施方案中，纳米管贴片和迹线之间的接触是挥发性状态。 在某些实施例中，至少一个导电迹线具有界面材料，以改变纳米管织物片段和导电迹线之间的吸引力。

公开(公告)号：WO2003028212A2

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/US2002/031157

申请日：2002-09-27

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： CHENG, Peng ,  MA, Qing

IPC: H03H9/24

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/016 ,  B81B2203/019 ,  H03H3/0077 ,  H03H9/2463

Abstract: A micro-electromechanical (MEM) resonator is described that includes a substrate, a microbridge beam structure coupled to the substrate and at least one electrode disposed adjacent to the microbridge beam structure to induce vibration of the beam. The microbridge beam structure includes support sections and a beam formed between the support sections. The center region of the beam has a mass that is less than the mass of regions of the beam adjacent to the support sections.

Abstract translation: 描述了一种微机电（MEM）谐振器，其包括衬底，耦合到衬底的微桥梁结构和邻近微桥梁结构设置的至少一个电极以引起梁的振动。 微桥梁结构包括支撑部分和形成在支撑部分之间的梁。 梁的中心区域的质量小于与支撑部分相邻的梁的区域的质量。

公开(公告)号：WO1998009312A1

公开(公告)日：1998-03-05

申请号：PCT/JP1997002964

申请日：1997-08-26

Applicant: OMRON CORPORATION ,  SAKATA, Minoru ,  NAKAJIMA, Takuya ,  SEIKI, Tomonori ,  FUJIWARA, Teruhiko ,  TAKEUCHI, Masashi

Inventor： OMRON CORPORATION

IPC: H01H57/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/016 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0118 ,  H01H1/20 ,  H01H9/52 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/02 ,  H01H67/22 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2057/006 ,  H01H2061/006

Abstract: An extremely small micro-relay having such a mechanical contact mechanism that it becomes smaller in resistance when the contact is turned on and has an excellent vibration resistance, frequency characteristic, and insultating property is constituted in such a way that a piezoelectric element (24) or heater layer (27) is provided on a thin plate-like single-crystal substrate (21) and a mobile piece (20) carrying a traveling contact (25) on one surface is supported on a base (11) while both ends of the piece (20) are fixed to the base (11) so that the traveling contact (25) can be brought into contact with or separated from a pair of fixed contacts (38 and 39) faced to the contact (25) when the piece (20) is bent by the action of the piezoelectric element (24) or the heater layer (27).

Abstract translation: 具有这种机械接触机构的非常小的微型继电器，其在接触导通时变得更小，并且具有优异的抗振性，频率特性和侮辱性，使得压电元件（24） 或加热器层（27）设置在薄板状单晶基板（21）上，并且在一个表面上承载行进触点（25）的移动件（20）支撑在基座（11）上，同时两端 所述件（20）固定到所述基座（11）上，使得所述行程触点（25）可以与所述触点（25）面对的一对固定触头（38和39）接触或分离， （20）通过压电元件（24）或加热器层（27）的作用弯曲。

公开(公告)号：EP3378088A1

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：EP16804971.6

申请日：2016-11-15

Applicant: Cavendish Kinetics, Inc.

Inventor： VAN KAMPEN, Robertus Petrus ,  KNIPE, Richard L. ,  RENAULT, Mickael ,  DASTIDER, Shibajyoti Ghosh ,  MUYANGO, Jaques Marcel

IPC: H01H59/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/016 ,  H01G5/16 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

Abstract: A MEMS switch contains an RF electrode 102, pull-down electrodes 104 and anchor electrodes 108 located on a substrate 101. A plurality of islands 226 are provided in the pull-down electrode and electrically isolated therefrom. On top of the RF electrode is the RF contact 206 to which the MEMS-bridge 212, 214 forms an ohmic contact in the pulled-down state. The pull-down electrodes 104 are covered with a dielectric layer 202 to avoid a short-circuit between the bridge and the pull-down electrode. Contact stoppers 224 are disposed on the dielectric layer 202 at locations corresponding to the islands 226, and the resulting gap between the bridge and the dielectric layer in the pulled-down state reduces dielectric charging. In alternative embodiments, the contact stoppers are provide within the dielectric layer 202 or disposed on the islands themselves and under the dielectric layer. The switch provides good controllability of the contact resistance of MEMS switches over a wide voltage operating range.