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公开(公告)号：CN1725416B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200410050829.9
申请日：2004-07-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制备方法，用于解决三极或四极型场发射显示装置中栅极与阴极间绝缘层难于制造的技术问题。该场发射显示装置包括：一绝缘基底，具有多个电子发射端的阴极，以及栅极，其特征在于该绝缘基底一表面上内陷有多个凹槽，阴极形成于该凹槽底部，栅极形成于该基底非凹槽部分的表面，并通过基底与阴极绝缘。本发明还提供一种场发射显示装置的制备方法，其包括下列步骤：步骤一，提供一具有一平整表面的绝缘基底；步骤二，在绝缘基底表面形成多个内陷的凹槽；步骤三，在凹槽底部形成阴极层；步骤四，在阴极层上形成电子发射端；步骤五，提供栅极模组，并将其对准安装在基底表面，栅极模组包括栅极和栅极载体。
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公开(公告)号：CN101553076B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200810182001.7
申请日：2008-11-28
Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司
Inventor： 乔尔·L·格罗夫斯
CPC classification number: H05H3/06 , B82Y99/00 , G01V5/10 , H01J2201/30469 , Y10S977/963
Abstract: 中子发生器包括设置在包含可电离气体的增压环境中的离子源。离子源包括碳纳米管束从中伸出的基板。纳米管的末端与栅极隔开。离子源供电电路在离子源的基板和栅极之间施加正电压，从而使可电离气体电离并通过栅极发射离子。离子加速器部分设置在离子源和靶之间。离子加速器部分使通过栅极的离子朝向靶加速，使得离子与靶的碰撞导致靶产生并发射中子。离子源、加速器部分和靶装在密封管中，并优选碳纳米管束具有至少106个/cm2高度有序的沿基本平行于密封管中轴方向延伸的碳纳米管。该中子发生器提供原子/分子的比例比现有技术高得多的气体电离，这可实现小尺寸的紧凑设计以适用于在空间有限的井下环境使用的测井工具。
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公开(公告)号：CN102087949B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010618202.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J41/06
CPC classification number: H01J41/06 , G01L21/34 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种真空规管，其包括：一冷阴极，其包括一阴极发射单元和与所述阴极发射单元相对设置的一栅极；一屏蔽极，其包括一收容空间和两个端部，该屏蔽极的一端与所述冷阴极相对设置；一阳极环，该阳极环设置于所述屏蔽极的收容空间内；一收集极，其与所述屏蔽极的另一端相对设置；所述阴极发射单元包括至少一电子发射体，该所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。本发明提供的真空规管具有良好的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101432838B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200580030256.6
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开一种使用纳米微粒如碳纳米管(CNT)形成用于场致发射器件的阴极的方法。CNT层包含在阴极表面上的电子发射材料。采用本发明的方法，可以通过在阴极表面形成发射孤立体来调整沉积的CNT的密度。CNT发射孤立体的尺寸和分布可用来对形成的CNT层选择最佳的场致发射性质。一个实施方式中，CNT发射孤立体是采用丝网印刷的沉积方法形成的。本发明方法在沉积步骤后不需要进一步的处理步骤来激活或对齐碳纳米管进行场致发射。
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公开(公告)号：CN102064071B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010591539.0
申请日：2010-12-16
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种场发射显示装置，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格；多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，以及一阴极发射体，所述阴极发射体与阳极电极间隔设置；其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第一聚焦电极及第二聚焦电极，所述第一聚焦电极和第二聚焦电极分别设置于阴极发射体两侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101285960B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200710074018.6
申请日：2007-04-13
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02F1/13357 , H05B33/00
CPC classification number: H01J63/02 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明涉及一种场发射背光源。所述的场发射背光源包括阳极基板、阴极基板及设置在阳极基板上的荧光层，所述阳极基板与所述荧光层之间设置有光反射层，所述阴极基板是透明的，所述阴极基板上设置有透明导电层及透光的阴极，所述阴极为透明的碳纳米管薄膜，所述碳纳米管薄膜为定向排列的多个碳纳米管束首尾相连形成。所述场发射背光源的出射光具有高均匀性。
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公开(公告)号：CN102222594A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110095649.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 西门子公司
Inventor： 汉斯-迪特尔.福伊希特 , 詹斯.富尔斯特
CPC classification number: H01J1/304 , C09J9/02 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J35/065 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明涉及一种环形阴极段，包括多个位于X射线管的环形阴极上的发射极位置(E1，E2)，其中，该环形阴极段在非导电的、构成为环形段的支撑体(T)上在多个发射极位置(E1，E2)处具有带有平坦表面的导电胶粘剂层(K)，以及在多个发射极位置(E1，E2)处在导电胶粘剂层(K)上分别形成具有导电纳米结构(NT)的层。本发明还涉及一种CT系统的环形X射线管，具有多个位于固定的环形阴极上的发射极位置(E1，E2)，该环形阴极包括由多个环形阴极段构成的阴极环，其中每个环形阴极段由弯曲的环形段形状的支撑体(T)构成，在每个环形阴极段上在发射极位置(E1，E2)上彼此绝缘地涂覆导电胶粘剂层(K)，以及在每个发射极位置上在导电胶粘剂层(K)上直接涂覆具有导电纳米结构(NT)的层。
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公开(公告)号：CN102208309A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010137101.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种阴极浆料的制备方法，其包括以下步骤：将阴极发射体，无机粘结剂以及有机载体混合形成一混合物，其中该有机载体包括稀释剂、稳定剂和增塑剂，且该稀释剂为松油醇，该稳定剂为乙基纤维素，该增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯或癸二酸二丁酯；以及通过机械挤压和剪切作用使上述混合物均匀混合。
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公开(公告)号：CN101410927B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200480025387.0
申请日：2004-07-09
Applicant: 海珀里昂催化国际有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 一种提供包括利用激光或等离子体处理过的碳纳米管垫的场发射装置。该垫由也被公知为碳微丝的碳纳米管形成，该碳微丝是具有小于大约1微米的直径的蠕虫状碳沉积物。然后对该碳纳米管垫进行激光或等离子体处理。经处理的碳纳米管垫无论作为场发射阴极还是场发射装置的一部分均具有改进的场发射性能。
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公开(公告)号：CN1608980B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200410058766.1
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 大沼英人
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , D01F9/127 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明的目的是提供一种极细碳纤维的制作方法，该制作方法能够控制极细碳纤维的直径。本发明的另一目的是提供一种场致发射元件的制造方法，该场致发射元件的电子发射部分由极细碳纤维组成，且该制作方法能够控制电子发射部分的密度和直径。本发明的特征是：在半导体膜的晶粒边界处凝集金属元素或金属硅化物并控制该金属元素或金属硅化物的大小和密度，之后，以该金属元素或金属硅化物为核形成极细碳纤维。
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