CURVED MULTIMORPH MICROACTUATORS THAT BEND AND/OR TWIST
    311.
    发明申请
    CURVED MULTIMORPH MICROACTUATORS THAT BEND AND/OR TWIST 审中-公开
    弯曲和/或扭曲的弯曲多元微波处理器

    公开(公告)号:WO2011153259A2

    公开(公告)日:2011-12-08

    申请号:PCT/US2011/038786

    申请日:2011-06-01

    Abstract: A curved multimorph actuator is provided composed of a plurality of materials, each material exhibiting different deformations in response to a stimulus, such as heat. Application of different stimuli causes the actuator to bend and/or twist. In an embodiment, the actuator is capable of rotating an object about its center without significantly shifting the center in one or more dimensions. In a further embodiment, the actuator can be used to rotate an object about a first axis and a second axis, wherein the first axis and the second axis are mutually perpendicular. In an embodiment, rotation about the first axis and the second axis are achieved in combination. In another embodiment, rotation about the first axis is produced in response to a first stimulus and rotation about the second axis is produced in response to a second stimulus.

    Abstract translation: 提供由多种材料组成的弯曲多压电致动器,每种材料响应于诸如热的刺激而呈现不同的变形。 不同刺激的应用使致动器弯曲和/或扭曲。 在一个实施例中,致动器能够围绕其中心旋转物体,而不会在一个或多个维度上显着地偏移中心。 在另一实施例中,致动器可用于围绕第一轴线和第二轴线旋转物体,其中第一轴线和第二轴线相互垂直。 在一个实施例中,组合地实现围绕第一轴线和第二轴线的旋转。 在另一个实施例中,响应于第一刺激而产生围绕第一轴的旋转,响应于第二刺激而产生围绕第二轴的旋转。

    電気機械変換素子
    312.
    发明申请
    電気機械変換素子 审中-公开
    电动转换元件

    公开(公告)号:WO2011142256A1

    公开(公告)日:2011-11-17

    申请号:PCT/JP2011/060220

    申请日:2011-04-27

    Abstract:  電気機械変換素子(1)の圧力室(21)および副室(23)は、基板(11)に形成されており、副室(23)は圧力室(21)と連通している。圧力室(21)及び副室(23)の上部の壁面(21a)をなす従動膜(13)の上には、下部電極(33)、駆動体、上部電極(35)がこの順で形成されている。上記駆動体は、圧力室(21)の上に位置し、圧力室(21)の断面形状よりも小さく、基板(11)の面に平行な方向の縦横比が略同一の面形状の作用部(31p)と、この作用部(31p)から副室(23)の上に延長された引出部(31a)とを有している。副室(23)は、圧力室(21)と並ぶ第1の方向と直交し且つ基板(11)の面に平行な第2の方向の幅が圧力室(21)よりも小さい。また、上記駆動体の引出部(31a)は、上記第2の方向の幅が副室(23)よりも小さい。

    Abstract translation: 机电转换元件(1)的压力室(21)和辅助室(23)形成在基板(11)中并且彼此连通地连接。 依次形成下电极(33),驱动体和上电极(35),形成压力室(21)和辅助室(23)的上壁面(21a)的从动膜(13) )。 所述驱动体位于所述压力室(21)的上方,小于所述压力室(21)的截面形状,并且具有:平面状作用部(31p),其具有大致相同的水平方向垂直方向 在与基板(11)的表面平行的方向上的比率; 以及从动作部(31p)延伸到辅助室(23)的上方的引出部(31a)。 辅助室(23)的第二方向的宽度小于压力室(21)的宽度,第二方向与辅助室(23)和压力室(21)所在的第一方向正交 并排布置并且平行于衬底(11)的表面。 驱动体的引出部分(31a)的第二方向的宽度小于辅助室(23)的宽度。

    MEMS DEVICE AND METHOD OF FABRICATION
    313.
    发明申请
    MEMS DEVICE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
    MEMS器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2011064569A1

    公开(公告)日:2011-06-03

    申请号:PCT/GB2010/051939

    申请日:2010-11-22

    Abstract: A MEMS device, and method of fabrication thereof, comprising: a wall arranged as a closed loop(for example, comprising a plurality of interconnected lengths (11-18)); and a bridging portion (54) having two ends and an intermediate portion between these ends; the bridging portion (54) is connected at one end to a first portion of the wall and at the other end to a second portion of the wall non-contiguous to the first; whereby when the intermediate portion is displaced in a direction through a plane defined between the two ends, the portions of the wall connected to the bridging portion (54) are each displaced in a respective direction in the plane, and at least one further portion of the wall is displaced in a direction that is in the plane and that is different to the directions that the two portions connected to the bridging portion (54) are displaced in.

    Abstract translation: MEMS器件及其制造方法,包括:布置为闭环(例如,包括多个互连长度(11-18))的壁; 以及桥接部分(54),其具有两个端部和在这些端部之间的中间部分; 桥接部分(54)在一端连接到壁的第一部分,而另一端连接到不与第一部分邻接的壁的第二部分; 由此当中间部分沿着穿过限定在两端之间的平面的方向移位时,连接到桥接部分(54)的壁的部分各自在平面中的相应方向上移位,并且至少另外一部分 壁在平面内的方向上移位,并且不同于连接到桥接部分(54)的两个部分移位的方向。

    MEMS DEVICE AND METHOD OF FABRICATION
    314.
    发明申请
    MEMS DEVICE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
    MEMS器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2011064568A1

    公开(公告)日:2011-06-03

    申请号:PCT/GB2010/051936

    申请日:2010-11-22

    Abstract: A MEMS device (e.g. a piezoelectric actuator), and method of fabrication thereof, having a moveable portion comprising a layer of material (6) (e.g. a substrate layer formed from a substrate wafer) having relatively low rigidity in a direction in the plane of a surface of the layer of material (6), and relatively high rigidity in a direction through the plane; wherein the relatively low rigidity is provided by ridges and grooves (60) in a further surface of the layer of material (6), the further surface of the material (6) being substantially perpendicular to the direction in the plane. The MEMS device may comprise a layer of piezoelectric material (2) bonded to the surface of the layer of material (6). Actuation of the MEMS device (e.g. actuation in the plane of the surface of the layer of material (6)) may be performed by applying an electrical field across the piezoelectric material.

    Abstract translation: MEMS器件(例如压电致动器)及其制造方法具有可移动部分,该可移动部分包括材料层(6)(例如,由衬底晶片形成的衬底层),该材料层在 材料层(6)的表面,并且在穿过该平面的方向上具有相对高的刚性; 其中相对较低的刚度由在所述材料层(6)的另一表面中的脊和槽(60)提供,所述材料(6)的另一表面基本上垂直于所述平面中的方向。 MEMS器件可以包括结合到材料层(6)的表面的压电材料层(2)。 可以通过在压电材料上施加电场来执行MEMS装置的致动(例如,材料层(6)的表面的平面中的致动)。

    ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE HAVING STRESS-COMPENSATION LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE
    315.
    发明申请
    ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE HAVING STRESS-COMPENSATION LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
    具有应力补偿层的机电传感器装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2010061364A3

    公开(公告)日:2010-07-22

    申请号:PCT/IB2009056020

    申请日:2009-11-25

    CPC classification number: B81B3/0072 B81B2201/032 H01L41/0933 H01L41/094

    Abstract: A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate (210) comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. First (206) and second (207) compensation layers are arranged to compensate a thermal effect produced by the different first and second thermal response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that movement of the movable structure (203) is substantially independent of variations in temperature and to adjust a stress effect produced by the different first and second stress response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that the movable structure is deflected a predetermined amount relative to the substrate when the electromechanical transducer device (200) is in an inactive state.

    Abstract translation: 形成在半导体衬底(210)上的微型或纳米机电换能器装置(200)包括可移动结构(203),其被布置成可响应于致动结构的致动而是可移动的。 第一(206)和第二(207)补偿层布置成补偿由机械结构和致动结构的至少一个层(202)的不同的第一和第二热响应特性产生的热效应, 可移动结构(203)基本上独立于温度变化并且调节由机械结构和致动结构的至少一个层(202)的不同的第一和第二应力响应特性产生的应力效应,使得可移动结构 当机电换能器装置(200)处于非活动状态时相对于基板偏转预定量。

    導電性高分子アクチュエータ、その製造方法、およびその駆動方法
    317.
    发明申请
    導電性高分子アクチュエータ、その製造方法、およびその駆動方法 审中-公开
    电极聚合物致动器,用于制造电极聚合物致动器的方法,以及用于驱动电极聚合物致动器的方法

    公开(公告)号:WO2009122466A1

    公开(公告)日:2009-10-08

    申请号:PCT/JP2008/000876

    申请日:2008-04-04

    Inventor: 工藤祐治

    Abstract:  導電性高分子膜と固体電解質膜相互の接着性を向上させて屈曲型動作の導電性高分子アクチュエータの動作を確実にする。  フッ化ビニリデン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体[P(VDF/HFP)]、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、パーフルオロスルホン酸/PTFE共重合体、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンオキシド(PEO)、ポリアクリロニトリル(PAN)の少なくとも一種以上を含む有機ポリマーとイオン液体との混合物からなる固体電解質膜と、前記固体電解質膜の少なくとも片面にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とポリスチレンスルホン酸(PSS)の混合体からなる導電性高分子膜との積層構造の導電性高分子アクチュエータであって、前記導電性高分子膜中にポリエチレングリコールが含まれることを特徴とする。

    Abstract translation: 提高了导电聚合物膜和固体电解质膜之间的粘附性,以确保柔性操作型导电聚合物致动器的操作。 导电聚合物致动器具有包括固体电解质膜和设置在固体电解质膜的至少一侧上的导电聚合物膜的层压结构。 所述固体电解质膜由含有偏二氟乙烯/六氟丙烯共聚物[P(VDF / HFP)],聚偏二氟乙烯(PVDF),全氟磺酸/ PTFE共聚物,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),聚甲基丙烯酸甲酯 聚乙烯氧化物(PEO)和聚丙烯腈(PAN),与离子液体。 导电聚合物膜由聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物形成。 导电聚合物致动器的特征在于聚乙二醇包含在导电聚合物膜中。

    駆動装置
    318.
    发明申请
    駆動装置 审中-公开
    DRIVER

    公开(公告)号:WO2008126231A1

    公开(公告)日:2008-10-23

    申请号:PCT/JP2007/057040

    申请日:2007-03-30

    Inventor: 鈴木 純

    Abstract: 駆動装置(100)は、ベース部(110)と、被駆動物(12)が搭載されると共に、移動可能なステージ部(130)と、ベース部とステージ部とを接続すると共に、ステージ部を一の方向(X軸)に沿って移動させるような弾性を有する弾性部(12)と、ステージ部がステージ部及び弾性部により定まる共振周波数で一の方向に沿って共振するようにステージ部を移動させるための加振力を加える印加部(141、142、22)とを備える。

    Abstract translation: 驱动器(100)包括基部(110),用于安装待驱动的物品(12)的可移动台部(130),用于连接基部和台部的弹性部分(12) 沿着一个方向(X轴)移动舞台部分,以及施加摇动力的部分(141,142,22),所述部分用于使舞台部分沿着一个方向以由舞台部分和弹性部分确定的共振频率振荡 。

    METHOD OF FABRICATING SUSPENDED BEAM IN A MEMS PROCESS
    319.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING SUSPENDED BEAM IN A MEMS PROCESS 审中-公开
    在MEMS工艺中制造悬挂梁的方法

    公开(公告)号:WO2007041748A1

    公开(公告)日:2007-04-19

    申请号:PCT/AU2005/001565

    申请日:2005-10-10

    Inventor: SILVERBROOK, Kia

    Abstract: A method of forming a suspended beam in a MEMS process is disclosed. In the process a pit (8) is etched into a substrate (5). Sacrificial material (10) is deposited in the pit (8) and on the surrounding substrate surface. The sacrificial material (10) is then removed from the surrounding substrate surface and from the periphery of the pit (8) so that there is a gap between the sacrificial material and at least two sidewalls of the pit. The sacrificial material is then heated so that it reftows such that the remaining sacrificial material contacts the sidewalls of the pit. Material for the beam (12), which is typically a metal, is then deposited on the substrate surface and the reflowed sacrificial material, and the sacrificial material is then removed to form the suspended beam. The beam could be used as the heating element in an inkjet printer.

    Abstract translation: 公开了一种在MEMS工艺中形成悬挂梁的方法。 在该过程中,凹坑(8)被蚀刻到衬底(5)中。 牺牲材料(10)沉积在凹坑(8)中和周围的基底表面上。 然后将牺牲材料(10)从周围的衬底表面和凹坑(8)的周边移除,使得在牺牲材料和凹坑的至少两个侧壁之间存在间隙。 然后将牺牲材料加热,使得其牺牲使得剩余的牺牲材料接触凹坑的侧壁。 然后将通常为金属的梁(12)的材料沉积在衬底表面和回流牺牲材料上,然后去除牺牲材料以形成悬挂梁。 该光束可用作喷墨打印机中的加热元件。

    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    320.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    微机械部件与方法研究

    公开(公告)号:WO2004070338A1

    公开(公告)日:2004-08-19

    申请号:PCT/DE2003/003151

    申请日:2003-09-23

    Abstract: Auf einem Substrat (1) ist eine Epitaxieschicht (3, 5) mit nebeneinander aufgewachsenem mono- und polykristallinen Sili­zium abgeschieden, wobei durch Ätzung ein Bereich (5, 6) als vertikal auslenkbare polykristalline Membran, insbesondere für einen Drucksensor, freigelegt ist. Die Poly/Mono Übergangsbereiche zu beiden Seiten der Membran weisen jeweils ein schräges Profil auf, derart, dass sich das monokristalline Silizium in Form eines Überhangs (6) oberhalb des polykri­stallinen Siliziums in den Membran-Bereich (5, 6) hinein er­streckt. Im Überhang (6) sind Piezoelemente (10) implantiert.

    Abstract translation: 在基板(1)是外延层(3,5)与相邻的生长单晶硅和多晶硅沉积,通过蚀刻的区域(5,6),其为垂直偏转的多晶膜,特别是用于一个压力传感器被暴露。 在隔膜两侧的聚/单声道过渡区域各自具有倾斜轮廓,使得在膜区域中的多晶硅上方的突出端(6)的形式的单晶硅(5,6)延伸。 在突出端(6)的压电元件(10)被注入。

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