公开(公告)号：JP4142040B2

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：JP2005322598

申请日：2005-11-07

Applicant: 財団法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute

Inventor： 大成 ▲ぱん▼ ,  明▲ウェイ▼ 張 ,  昭勝 曽

IPC: H04R19/00 ,  B81C1/00 ,  H02N11/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B7/0012 ,  B06B1/0292 ,  B81C2201/0108 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/4908 ,  Y10T29/49172 ,  Y10T29/49194

公开(公告)号：JP3681349B2

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：JP2001363396

申请日：2001-11-28

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 容燮 尹 ,  ▲ヒュン▼ 崔

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0108

公开(公告)号：JP6063475B2

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：JP2014546048

申请日：2012-12-06

Applicant: ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション ,  ポール・エイ・コール ,  ラジャーシ・サハ ,  ネイサン・フリッツ

Inventor： ポール・エイ・コール ,  ラジャーシ・サハ ,  ネイサン・フリッツ

IPC: B81B3/00 ,  H01L23/08 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0154

公开(公告)号：JP2014188656A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013068958

申请日：2013-03-28

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： SUGITA KIPPEI ,  HASHIMOTO HIROYUKI

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132 ,  B82Y40/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a hollow structure capable of highly accurately forming an air gap, by using a sacrifice film forming process having a high implantation characteristic in low stress.SOLUTION: The manufacturing method comprises the steps of preparing a lower structure 30 including a recess shape 22, implanting the recess shape by a sacrifice film 40 composed of an organic film on the lower structure by depositing the sacrifice film 40, removing an unnecessary part of the sacrifice film, forming an upper structure 50 on the sacrifice film from which the unnecessary part is removed and forming a void between the lower structure and the upper structure by removing the sacrifice film.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够高精度地形成气隙的中空结构的制造方法，通过使用在低应力下具有高注入特性的牺牲膜形成工艺。解决方案：制造方法包括以下步骤： 下部结构30包括凹部形状22，通过沉积牺牲膜40将由有机膜构成的牺牲膜40在下部结构上注入凹部形状，去除不需要的部分牺牲膜，在上部结构50上形成 通过去除牺牲膜来牺牲不需要的部分被去除的膜，并在下部结构和上部结构之间形成空隙。

公开(公告)号：JP4960965B2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

公开(公告)号：JP4814522B2

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：JP2004545424

申请日：2003-10-16

Applicant: ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション

Inventor： アレン、スーアン、ビドストラップ ,  ウー、シャオチュン ,  コール、ポール、エー． ,  ヘンダーソン、クリフォード、リー

IPC: G03F7/032 ,  B81C1/00 ,  C08J3/28 ,  C08K5/00 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/004 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0108 ,  C08J3/28 ,  C08K5/0041 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24479

公开(公告)号：JPWO2009081763A1

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：JP2009518659

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 山本　敏 ,  敏 山本 ,  廣和 橋本 ,  廣和 橋本

IPC: H01L23/02

CPC classification number: B81C1/00317 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明に係る半導体装置の製造方法は、光透過性を有する第一基板と、一面に機能素子を備えた第二基板とを、前記機能素子が前記第一基板と対向するように貼り合わせる、貼り合わせ工程と;前記第一基板及び前記第二基板の少なくとも一方を薄板化する、薄板化工程と;前記第一基板と前記第二基板の貼り合せ部の少なくとも一部に、キャビティ及びこのキャビティに連通する貫通孔を形成する、貫通孔形成工程と;を備える。本発明によると、キャビティの有無による研削後の凹凸やクラックの発生を回避して、基板をより均一に薄板化することが可能である。また、デバイス及びそれらが搭載される電子機器の小型化に貢献できる半導体装置を、より簡便な工程で製造可能である。

公开(公告)号：JP4574145B2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2003320111

申请日：2003-09-11

Applicant: ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

Inventor： ジェフリー・エム・カルバート ,  ダナ・エー・グロンベック ,  ティモシー・ジー・アダムス ,  マイケル・ケー・ギャラガー

IPC: H01L21/768 ,  B81B7/00 ,  H01L21/764 ,  H01L23/522

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24628 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP4494497B2

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：JP2008150482

申请日：2008-06-09

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 太輔 伊佐野 ,  功輔 浅野 ,  泰 金田

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B05D5/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/038

Abstract: A method for manufacturing a three-dimensional structure (1) includes forming a first structure (20) having a relief pattern on a substrate (10), forming a sacrifice layer (30) on the first structure such that the sacrifice layer can be filled in a concave part (25) of the first structure and the sacrifice layer can cover a surface (23) of a convex part (22) of the first structure on a side opposite to the substrate, forming a second structure (40) having a relief pattern on the sacrifice layer, and a fourth step of removing the sacrifice layer from between the first structure and the second structure, and thereby bringing the second structure into contact with the surface of the first structure.

Abstract translation: 一种制造三维结构（1）的方法包括在基板（10）上形成具有浮雕图案的第一结构（20），在第一结构上形成牺牲层（30），以便可以填充牺牲层 在所述第一结构的凹部（25）中，所述牺牲层可以覆盖与所述基板相反的一侧的所述第一结构的凸部（22）的表面（23），形成具有 在牺牲层上的浮雕图案，以及从第一结构和第二结构之间移除牺牲层的第四步骤，从而使第二结构与第一结构的表面接触。

公开(公告)号：JP2006510917A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：JP2004567699

申请日：2003-09-23

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： フィッシャー フランク ,  ルッツ マルクス

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0108

Abstract: 基板（１）上には、互いに隣接して成長する単結晶シリコンと多結晶シリコンとを備えたエピタキシ層（３，５）が析出されている。 この場合、エッチングにより、１つの領域（５，６）が、特に圧力センサのための鉛直方向で変位可能な多結晶ダイヤフラムとして露出させられる。 ダイヤフラムの両側での多結晶・単結晶移行領域は、それぞれ１つの傾斜したプロフィールを有しており、単結晶のシリコンが、オーバーハング（６）として多結晶シリコンの上側でダイヤフラム領域（５，６）内へと延びている。 オーバーハング（６）にはピエゾエレメント（１０）が埋め込まれている。