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    High resolution plasma etching
    323.
    发明专利
    High resolution plasma etching 有权
    高分辨率等离子体蚀刻

    公开(公告)号：JP2009004778A

    公开(公告)日：2009-01-08

    申请号：JP2008153992

    申请日：2008-06-12

    Applicant: Fei Co ,  エフ・イ−・アイ・カンパニー

    Inventor： TOTH MILOS ,  SMITH NOEL

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

    CPC classification number: B05C21/005 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide for a method and device for fabricating microscale and nanoscale structures. SOLUTION: The method for fabrication of microscopic structures that uses a beam process, such as beam-induced decomposition of a precursor, to deposit a mask in a precise pattern and then a selective, plasma beam is applied, comprising the steps of first creating a protective mask upon surface portions of a substrate using a beam process such as an electron beam, focused ion beam (FIB), or laser process, and secondly etching unmasked substrate portions using a selective plasma beam etch process. Optionally, a third step comprising the removal of the protective mask may be performed with a second, materially oppositely selective plasma beam process. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供用于制造微米级和纳米级结构的方法和装置。 解决方案：应用使用束过程（例如光束诱导的前体分解）以精确图案沉积掩模然后选择性等离子体束的微观结构的制造方法，包括以下步骤： 首先使用诸如电子束，聚焦离子束（FIB）或激光工艺的束工艺在衬底的表面部分上产生保护掩模，并且其次使用选择性等离子体束蚀刻工艺来蚀刻未掩模的衬底部分。 可选地，包括去除保护掩模的第三步骤可以用第二种，实质上相对地选择的等离子体束工艺进行。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

    Method of manufacturing microstructure
    324.
    发明专利
    Method of manufacturing microstructure 审中-公开
    制造微结构的方法

    公开(公告)号：JP2006159289A

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：JP2005336857

    申请日：2005-11-22

    Applicant: Hewlett-Packard Development Co Lp ,  ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

    Inventor： CHNG KIONG CHIN ,  CHIA WAI TUCK ,  TAN KEE CHEONG ,  ZHU LEI

    IPC: B23K26/36 ,  B23K26/00 ,  B81C99/00

    CPC classification number: H01L21/268 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/2633

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the throughput of manufacturing a microstructure. SOLUTION: In a first material and a second material attached together, the first material is liable to be ablation with laser beams than the second material. In other words, the ablation threshold of the first material is higher than that of the second material. For example, the first material is silicon, and the second material is polymer-on-silicon consisting of polyimide. A removal process for performing the micro-working of opening a non-through hole in a laminate comprises a step of irradiating laser beams on the first material, and removing the material close to the interface of the two materials while a small amount of the first material is remained on a hole bottom, and a step of removing the rest of the first material by irradiating, from the second material side, laser beams of the intensity not influencing the second material, in other words, laser beams of the ablation influence lower than the ablation threshold of the second material. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提高制造微结构的生产能力。 解决方案：在连接在一起的第一材料和第二材料中，第一材料易于被激光束烧蚀而不是第二材料。 换句话说，第一材料的消融阈值高于第二材料的消融阈值。 例如，第一材料是硅，第二材料是由聚酰亚胺组成的硅聚合物。 用于执行打开层压板中的非通孔的微加工的去除工艺包括将激光束照射在第一材料上的步骤，以及移除靠近两种材料的界面的材料，同时少量的第一 材料保留在孔底部，并且通过从第二材料侧照射不影响第二材料的强度的激光束去除其余的第一材料的步骤，换句话说，消融的激光束影响较低 比第二种材料的消融阈值高。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    Precision machining method using near field scanning optical microscope
    325.
    发明专利
    Precision machining method using near field scanning optical microscope 审中-公开
    使用近场扫描光学显微镜的精密加工方法

    公开(公告)号：JP2006043879A

    公开(公告)日：2006-02-16

    申请号：JP2005224674

    申请日：2005-08-02

    Applicant: Matsushita Electric Ind Co Ltd ,  松下電器産業株式会社

    Inventor： CHENG CHEN-HSIUNG

    IPC: B81C99/00

    CPC classification number: B81C1/00492 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/361 ,  B81C2201/0143 ,  G01Q60/18 ,  G01Q80/00 ,  Y10S977/851

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a precision laser machining method of a fine structure including an hyperfine structure using a near field scanning optical microscope (NSOM). SOLUTION: In a method for manufacturing a micro device using this NSOM laser fine machining device, fine structure preforms 112 including existing features are provided. A NSOM probe tip is scanned over the selected preforms 112 so that a plurality of scanning lines may cross the existing features. In at least two scanning lines, scanning positions of the existing features are determined. Based on the scanning positions and shapes of the existing features, the directions of the existing features are determined. At least an expected machining position of a succeeding scanning line is determined. When the NSOM probe 110 is scanned by the expected machining position during the succeeding scanning line, fine machining laser 102 is radiated, at least a feature on the fine structure device preforms is formed to complete the fine structure device. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供使用近场扫描光学显微镜（NSOM）的具有超精细结构的精细结构的精密激光加工方法。 解决方案：在使用该NSOM激光精加工装置制造微型装置的方法中，提供了包括现有特征的精细结构预型件112。 在所选择的预型件112上扫描NSOM探针尖端，使得多条扫描线可以跨过现有特征。 在至少两条扫描线中，确定现有特征的扫描位置。 根据现有特征的扫描位置和形状，确定现有特征的方向。 至少确定后续扫描线的预期加工位置。 当在随后的扫描线期间通过预期的加工位置扫描NSOM探针110时，照射精细加工激光器102，形成精细结构装置预制件上的至少一个特征以完成精细结构装置。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    Ion beam micromachining method
    326.
    发明专利
    Ion beam micromachining method 有权
    离子束微孔法

    公开(公告)号：JP2003051488A

    公开(公告)日：2003-02-21

    申请号：JP2001238972

    申请日：2001-08-07

    Applicant: New Industry Research Organization ,  財団法人新産業創造研究機構

    Inventor： KANEKO TADAAKI ,  ASAOKA YASUSHI ,  SANO NAOKATSU

    IPC: H01L21/302 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/302

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion beam micromachining method for forming a fine circuit pattern used for a quantum device on the surface of a Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y surface, without the need for previously removing a surface oxide film of As
    2 O
    3 , As
    2 O, Ga
    2 O, etc., naturally formed on the surface of the Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y layer containing GaAs nor forming a mask for dry etching for forming a complicated fine circuit pattern.
    SOLUTION: After Ga ions, controlled to an arbitrary ion beam diameter and ion current density are injected into the surface of the Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y (0≤x, y≤1) which includes a single-body GaAs and InP substrate to substitute an oxide layer for Ga
    2 O
    3 or Ga
    2 O or product it by Ga ion implantation, in the presence of a surface oxide film formed on the surface of the Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y layer or by oxide molecule irradiation, the surface of the Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y layer is etched on a dry basis in a single-atom layer units with a brominated body to remove the surface oxide film other than the part substituted for Ga
    2 O
    3 or Ga
    2 O and the Ga
    x In
    1-x As
    y P
    1-y layer.
    COPYRIGHT: (C)2003,JPO

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在Gax In1-x Asy P1-y表面上形成用于量子器件的精细电路图案的离子束微加工方法，而不需要事先除去As 2的表面氧化膜 O 3，As 2 O，Ga 2 O等，其自然形成在含有GaAs的Gax In1-x Asy P1-y层的表面上，也不形成用于形成复杂的精细电路图案的干法蚀刻用掩模。 解决方案：控制到任意离子束直径和离子电流密度的Ga离子注入到包含单体GaAs的Gax In1-x Asy P1-y（0 <= x，y <= 1）的表面中 和InP衬底，用氧化物层代替Ga 2 O 3或Ga 2 O，或者通过Ga离子注入产生它，在形成于Gax In1-x Asy P1-y层的表面上的表面氧化膜或通过氧化物分子辐射 ，在具有溴化体的单原子层单元中，以干基为基准蚀刻Gax In1-x Asy P1-y层的表面，除去除了取代Ga 2 O 3或Ga 2 O的部分以外的表面氧化膜， Gax In1-x Asy P1-y层。

    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR
    327.
    发明申请
    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR 审中-公开
    工艺微机械窗结构及相关的微观力学窗结构

    公开(公告)号：WO2017012746A1

    公开(公告)日：2017-01-26

    申请号：PCT/EP2016/061706

    申请日：2016-05-24

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： STRAUB, Rainer ,  PINTER, Stefan ,  MUCHOW, Joerg

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0136 ,  G02B1/14 ,  G02B26/0833

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Fensterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (1), wobei das Substrat (1) eine Vorderseite (4) und eine Rückseite (5) aufweist; Bilden einer ersten Ausnehmung (6) an der Vorderseite (4); Ausbilden einer Beschichtung (8; 8', 8") auf der Vorderseite (4) und auf der ersten Ausnehmung (6); und Bilden einer zweiten Ausnehmung (7) an der Rückseite (5), so dass die Beschichtung (8) zumindest bereichsweise freigelegt wird, wodurch ein Fenster (F) durch den freigelegten Bereich der Beschichtungen gebildet wird.

    Abstract translation: 本发明涉及的制造方法用于微机械窗结构，包括以下步骤：提供衬底（1），其中所述衬底（1）具有前侧（4）和一个背部（5）; 在前侧上形成的第一凹部（6）（4）; 形成涂层;在所述前面（8“，8“）（4）和在所述第一凹部（6），以及形成第二凹部（7）在背部（5），从而使所述涂层（8）的至少 由此，由涂层的暴露区域上形成一个窗口（F）的一部分露出。

    METHOD FOR PRODUCTION OF TWO AND THREE DIMENSIONAL OBJECTS FROM SOLIDS BY ELECTRON BEAM
    328.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCTION OF TWO AND THREE DIMENSIONAL OBJECTS FROM SOLIDS BY ELECTRON BEAM 审中-公开
    通过电子束从固体生产两个三维物体的方法

    公开(公告)号：WO2016180383A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/CZ2016/050012

    申请日：2016-05-13

    Applicant: VYSOKE UCENI TECHNICKE V BRNE

    Inventor： SALAMON, David ,  JAN, Vít

    IPC: H01J37/305 ,  B23K15/00 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/2059 ,  B81C2201/0143 ,  G03F7/0037

    Abstract: The method for production of two or three-dimensional structures from solid substrate by controlled mass transfer of joined materials by electron beam, when solid substrate is prepared, area for electron beam exposure is defined, electron beam dimensions are defined, acceleration voltage and electron beam is defined, substrate is exposed by at least one electron beam, while exposure time is related to required volume growth of two and three dimensional objects, and electron beam is moving inside repeating scanning pattern of exposed area.

    Abstract translation: 通过电子束的接合材料的受控质量传递从固体基质制备二维或三维结构的方法，当制备固体基质时，定义电子束曝光区域，定义电子束尺寸，加速电压和电子束 限定了衬底被至少一个电子束曝光，而曝光时间与二维和三维物体的所需体积增长有关，并且电子束在暴露区域的重复扫描图案内移动。

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