公开(公告)号：JPWO2017158815A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2016058681

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 町田 俊太郎 ,  杉井 信之 ,  渡邉 敬司 ,  龍崎 大介 ,  河村 哲史 ,  渡邊 一希

IPC: B81C3/00 ,  H01L29/84 ,  G01P15/125 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81C1/00 ,  B81C99/001 ,  B81C99/0025 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/038 ,  G01P15/125

Abstract: MEMSの製造TATを短縮する。上記課題を解決するために、本発明によるMEMSの製造方法は、基板の主面に予め準備された複数のMEMSの中から、要求特性の近傍領域の第1特性を有する第1MEMSを抽出する工程と、第1MEMSを直接加工して、要求特性を有する第2MEMSを形成する工程と、を有する。

公开(公告)号：JP6052915B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：JP2015014260

申请日：2015-01-28

Applicant: フジフィルム ディマティックス, インコーポレイテッド

Inventor： ポール エイ ホイジントン ,  マーク エイ トーリ

IPC: B81C3/00 ,  B23K26/55 ,  B41J2/16 ,  H01L21/301

CPC classification number: B81C1/00904 ,  B81C1/00119 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

公开(公告)号：JP2015505205A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：JP2014548036

申请日：2012-12-20

Applicant: ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド

Inventor： エスレ，ティエリー ,  ダラ・ピアッツァ，シルヴィオ

IPC: H03H3/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G04B17/06 ,  H03H9/19 ,  H03H9/215

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/0057 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: 本発明は、基材において共振器を製造する方法に関し、(a)前記少なくとも1つの領域をより選択的にするために、前記基材の少なくとも1つの領域の構造を加工するステップと、(b)共振器を選択的に製造するために、前記少なくとも1つの領域をエッチングするステップとを有する。【選択図】図4

Abstract translation: 本发明涉及一种在基板的制造的谐振器，其包括处理的步骤的方法：（a）至至少一个所述区域更具有选择性，所述基板的至少一个区域的结构，（B ），以便选择性地产生的谐振器，以及蚀刻所述至少一个区域的步骤。 点域4

公开(公告)号：JP5575404B2

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：JP2009008849

申请日：2009-01-19

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： ロバート・ジェイ・カールソン

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B29C33/3842 ,  B29C41/00 ,  B29C59/14 ,  B29C59/16 ,  B29K2909/00 ,  B29K2995/0037 ,  B81B7/00 ,  B81B2201/05 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/034 ,  C23F1/02 ,  H01L21/30604 ,  H05K999/00 ,  Y10T428/24496

Abstract: The invention is directed to a patterned aerogel-based layer that serves as a mold for at least part of a microelectromechanical feature. The density of an aerogel is less than that of typical materials used in MEMS fabrication, such as poly-silicon, silicon oxide, single-crystal silicon, metals, metal alloys, and the like. Therefore, one may form structural features in an aerogel-based layer at rates significantly higher than the rates at which structural features can be formed in denser materials. The invention further includes a method of patterning an aerogel-based layer to produce such an aerogel-based mold. The invention further includes a method of fabricating a microelectromechanical feature using an aerogel-based mold. This method includes depositing a dense material layer directly onto the outline of at least part of a microelectromechanical feature that has been formed in the aerogel-based layer.

公开(公告)号：JP5476476B2

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：JP2012526428

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 英樹 下井 ,  浩之 久嶋 ,  佳祐 荒木

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  C23F1/02 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L23/481 ,  B23K26/006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2013144312A

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：JP2012221141

申请日：2012-10-03

Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

Inventor： KURACHI KOSUKE ,  MORIMOTO HIROYUKI

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/08 ,  B23K26/12 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/16 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/1224 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/60 ,  B23K2203/50 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1634 ,  B81C1/00515 ,  B81C2201/0143 ,  Y10T29/49401

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve following problems: in removal processing using a pulsed laser beam, processing deviation occurs in the depthwise direction to cause a processing error in a predetermined removal shape.SOLUTION: A pulsed laser beam L1 is a pulsed laser beam having a wavelength that exhibits transmittance to a workpiece 6, and a pulsed laser beam L2 is a pulsed laser beam having a wavelength that exhibits absorption to the workpiece 6. The pulsed laser beam L1 is focused into the workpiece 6, and a focal point P1 of the pulsed laser beam L1 is scanned along the outline of a predetermined removal region R1 to form a modified portion 6A along the outline of the predetermined removal region R1. Next, removal processing is performed by scanning the pulsed laser beam L2 in a region enclosed by the modified portion 6A.

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决以下问题：在使用脉冲激光束的去除处理中，在深度方向发生加工偏差，导致预定去除形状的处理误差。解决方案：脉冲激光束L1是脉冲激光束，其具有 对工件6显示透射率的波长，脉冲激光束L2是具有对工件6具有吸收的波长的脉冲激光束。脉冲激光束L1聚焦到工件6中，焦点P1 沿着预定去除区域R1的轮廓扫描脉冲激光束L1，沿着预定去除区域R1的轮廓形成修改部分6A。 接下来，通过在被修改部分6A包围的区域中扫描脉冲激光束L2来执行去除处理。

公开(公告)号：JP5112181B2

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：JP2008153992

申请日：2008-06-12

Applicant: エフ・イ−・アイ・カンパニー

Inventor： ミロス・トス ,  ノエル・スミス

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B05C21/005 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749

公开(公告)号：JP4915440B2

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：JP2009184969

申请日：2009-08-07

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 浩 田中 ,  真志 都外川 ,  勝彦 金森

IPC: H01L21/302 ,  B23K26/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/005 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/32137

公开(公告)号：JP2009172759A

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：JP2009008849

申请日：2009-01-19

Applicant: Honeywell Internatl Inc ,  ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： CARLSON ROBERT J

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B29C33/3842 ,  B29C41/00 ,  B29C59/14 ,  B29C59/16 ,  B29K2909/00 ,  B29K2995/0037 ,  B81B7/00 ,  B81B2201/05 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/034 ,  C23F1/02 ,  H01L21/30604 ,  H05K999/00 ,  Y10T428/24496

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a micro-electric machine, which achieves reduction of a material removal amount and shortening of machining time. SOLUTION: According to the method, an aerogel base layer 31 is deposited on a substrate 30, and a cavity 32 is formed in the aerogel base layer 31 by gallium ion beams. The shape of the aerogel base layer inclusive of the cavity is the same as the surface external shape of the micro-electric machine. Then the aerogel base layer 31 is employed as a mold, and a heavy metallic layer 34 made of silicon oxide, gold, platinum, polysilicon, or the like is deposited on the mode to form part of the micro-electric machine. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成微电机的方法，其实现了材料去除量的降低和缩短加工时间。 解决方案：根据该方法，将气凝胶基底层31沉积在基板30上，并且通过镓离子束在气凝胶基底层31中形成空腔32。 包含空腔的气凝胶基层的形状与微电机的表面外形相同。 然后将气凝胶基底层31用作模具，并且在该模式上沉积由氧化硅，金，铂，多晶硅等制成的重金属层34，以形成微型电机的一部分。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2004170410A

公开(公告)日：2004-06-17

申请号：JP2003381898

申请日：2003-11-12

Applicant: Fei Co ,  エフ・イ−・アイ・カンパニー

Inventor： SCIPIONI LAWRENCE

IPC: G21K5/04 ,  G21K1/087 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

CPC classification number: G21K1/087 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/0143 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31732

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To propose a method for generating a three-dimensional microstructure in an object.
SOLUTION: This manufacturing method prepares a workpiece including a target area corresponding to a position for manufacturing a three-dimensional structure. This target area has a plurality of virtual dwell points. A shaped beam is prepared to be projected on this workpiece. The intersection of the shaped beam with the workpiece defines a beam incident area having a desired shape. This beam incident area is sufficiently large to encompass a plurality of points among the virtual dwell points. The shaped beam is moved so that a different point enters the beam incident area among the virtual dwell points as the beam moves by crossing the workpiece, and so as to cross the workpiece for separating from here, and thereby, allows the different dwell points to stay in the beam incident area over the different time length in scanning of the beam, and provides a different dose to the different points among the virtual dwell points. In this method, a desired dose array of a beam particle is applied onto the target area to form the three-dimensional microstructure.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO