公开(公告)号：TWI540593B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW100101503

申请日：2011-01-14

Applicant: 坎畢歐科技公司 ,  CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 塞帕 傑林納 ,  SEPA, JELENA ,  瓦勒斯 法蘭克 ,  WALLACE, FRANK

IPC: H01B1/22

CPC classification number: H01B1/02 ,  B22F9/20 ,  C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  Y10T428/298

公开(公告)号：TW201542446A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104111834

申请日：2015-04-13

Applicant: 坎畢歐科技公司 ,  CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 莫迪 伊恩 斯多姆斯 ,  MOODY, IAN STORMS ,  達凡德 賀瑪里 ,  DAVANDE, HEMALI ,  塞帕 傑林納 ,  SEPA, JELENA

IPC: B82Y40/00

CPC classification number: B22F9/24 ,  B22F1/0025 ,  C09D5/24 ,  C09D7/00 ,  C22C5/06 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22

Abstract: 本發明揭示製備具有受控形態之銀奈米線、以及純化該等銀奈米線之合成方法。本發明亦揭示包括特定長度及直徑分佈之銀奈米線群體之塗佈溶液。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示制备具有受控形态之银奈米线、以及纯化该等银奈米线之合成方法。本发明亦揭示包括特定长度及直径分布之银奈米线群体之涂布溶液。

公开(公告)号：TW201513336A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103117217

申请日：2014-05-15

Applicant: 坎畢歐科技公司 ,  CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 波史考特卡 佛羅倫 ,  PSCHENITZKA, FLORIAN

IPC: H01L27/32 ,  H01L31/042

CPC classification number: H05F1/02 ,  B82Y10/00 ,  G02B1/105 ,  G02B1/16 ,  H05K1/0234 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/095 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0281 ,  Y10T29/49117

Abstract: 含有一或多個圖案化透明導體層之光學堆疊可因在該光學堆疊製程期間發生之靜電放電而受到損害。該損害可在該圖案化透明導體層內產生非傳導導體。一種靜電放電保護之光學堆疊可包括基板層、具有約106歐姆(ohm)/平方(Ω/sq)至約1014Ω/sq之薄片電阻之第一抗靜電層、及圖案化透明導體層。本發明提供測試及評估對圖案化透明導體之損害之方法。

Abstract in simplified Chinese: 含有一或多个图案化透明导体层之光学堆栈可因在该光学堆栈制程期间发生之静电放电而受到损害。该损害可在该图案化透明导体层内产生非传导导体。一种静电放电保护之光学堆栈可包括基板层、具有约106欧姆(ohm)/平方(Ω/sq)至约1014Ω/sq之薄片电阻之第一抗静电层、及图案化透明导体层。本发明提供测试及评估对图案化透明导体之损害之方法。

公开(公告)号：TW201442042A

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW103102359

申请日：2014-01-22

Applicant: 坎畢歐科技公司 ,  CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 瓊斯 大衛 ,  JONES, DAVID ,  曼思基 保羅 ,  MANSKY, PAUL ,  史派德 麥可A ,  SPAID, MICHAEL A.

IPC: H01B5/14 ,  B32B33/00

CPC classification number: H05K3/027 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0084 ,  B23K26/0619 ,  B23K26/18 ,  B23K2201/34 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/1884 ,  H05K1/0326 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/097 ,  H05K1/144 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/015 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0158 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/043 ,  H05K2203/108 ,  H05K2203/1142 ,  H05K2203/1572 ,  Y02E10/50

Abstract: 本文揭示適合於藉由雷射剝蝕來圖案化之雙面透明導電膜。

Abstract in simplified Chinese: 本文揭示适合于借由激光剥蚀来图案化之双面透明导电膜。

公开(公告)号：TW201435924A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW103102355

申请日：2014-01-22

Applicant: 坎畢歐科技公司 ,  CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 艾爾曼德 皮爾 馬可 ,  ALLEMAND, PIERRE-MARC ,  曼思基 保羅 ,  MANSKY, PAUL ,  波史考特卡 佛羅倫 ,  PSCHENITZKA, FLORIAN ,  史派德 麥可A ,  SPAID, MICHAEL A. ,  威斯瓦特強納森 ,  WESTWATER, JONATHAN

IPC: H01B5/14

CPC classification number: H05K1/0259 ,  B82Y30/00 ,  C09D5/24 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H05K1/0298 ,  Y10S977/932

Abstract: 本文揭示針對靜電放電具有高熱容量及改良之保護性之透明導體。

Abstract in simplified Chinese: 本文揭示针对静电放电具有高热容量及改良之保护性之透明导体。

公开(公告)号：TW200828348A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096138097

申请日：2007-10-11

Applicant: 坎畢歐科技公司 CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 代海霞 DAI, HAIXIA ,  希納 寬 QUAN, XINA ,  麥可A 史派德 SPAID, MICHAEL A. ,  傑佛瑞 沃克 WOLK, JEFFREY

IPC: H01B

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/855

Abstract: 本發明係關於用於設計及/或製造透明導體之系統、裝置及方法。一系統可操作以評估用於一透明導體之光學及電氣製造標準。該系統包括:一資料庫,該資料庫包括儲存之參考透明導體資料;及一控制器子系統,該控制器子系統經組態以比較用於一透明導體之輸入之接受製造標準與儲存之參考透明導體資料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于用于设计及/或制造透明导体之系统、设备及方法。一系统可操作以评估用于一透明导体之光学及电气制造标准。该系统包括:一数据库,该数据库包括存储之参考透明导体数据;及一控制器子系统,该控制器子系统经组态以比较用于一透明导体之输入之接受制造标准与存储之参考透明导体数据。

公开(公告)号：TW200805690A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：TW096117920

申请日：2007-05-18

Applicant: 坎畢歐科技公司 CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 艾夫林 胡 HU, EVELYN ,  安琪拉 貝爾契 BELCHER, ANGELA ,  希納 寬 QUAN, XINA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L31/0304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C07K1/047 ,  C07K7/06 ,  C07K7/08 ,  C07K14/4711 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/505 ,  H01M4/624 ,  H01M4/626 ,  H01M10/0525 ,  Y02E10/544 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/521 ,  Y02P70/54

Abstract: 本發明描述一種具可調組成及相應光學、電學及機械特性之合金。本發明亦描述該等合金在光電器件及材料界面中之用途。

Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种具可调组成及相应光学、电学及机械特性之合金。本发明亦描述该等合金在光电器件及材料界面中之用途。

公开(公告)号：TW200740689A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW096108237

申请日：2007-03-09

Applicant: 坎畢歐科技公司 CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： 皮耶-馬可 艾勒蒙 ALLEMAND, PIERRE-MARC ,  曼弗埃 海德克 HEIDECKER, MANFRED ,  葛列果里L 柯克 KIRK, GREGORY L. ,  希納 寬 QUAN, XINA ,  汪正一 WANG, CHENG-I

IPC: B82B

CPC classification number: G03F7/265 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/54353 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 本發明描述一種形成積體電路層材料之方法,其包含將一層模板沈積於基板上,該模板包括一對該基板具有親和力之第一結合位點、一對靶積體電路材料具有親和力之第二結合位點及經由不穩定鍵結與該第二結合位點偶合以防止該結合位點與該靶積體電路材料結合之保護材料;使該模板暴露於外部刺激以使該不穩定鍵結降解;移除該保護材料;及使該積體電路材料與該第二結合位點結合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种形成集成电路层材料之方法,其包含将一层模板沉积于基板上,该模板包括一对该基板具有亲和力之第一结合位点、一对靶集成电路材料具有亲和力之第二结合位点及经由不稳定键结与该第二结合位点偶合以防止该结合位点与该靶集成电路材料结合之保护材料;使该模板暴露于外部刺激以使该不稳定键结降解;移除该保护材料;及使该集成电路材料与该第二结合位点结合。

公开(公告)号：SG10201605299VA

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：SG10201605299V

申请日：2012-06-27

Applicant: CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP

Inventor： PSCHENITZKA FLORIAN ,  WESTWATER JONATHAN

Abstract: Provided herein is a device for forming a conductive film. The device includes a deposition device and an air supply. The deposition device is configured to form a wet film having conductive nanostructures and a fluid carrier on a web. The web is moved in a first direction while forming the wet film. The air supply is disposed at a side of the web and configured to apply an air flow onto the wet film. The air flow is directed onto the wet film in a second direction perpendicular to the first direction to reorient a direction of some conductive nanostructures in the wet film to define reoriented conductive nanostructures.

公开(公告)号：SG10201500798UA

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：SG10201500798U

申请日：2011-02-04

Applicant: CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORP

Inventor： ALLEMAND PIERRE-MARC

Abstract: Disclosed herein is a method, comprising forming a thin film of interconnecting conductive nanostructures on a substrate by depositing an ink composition on the substrate, wherein the ink composition comprises a plurality of conductive nanostructures, a binding material, a photosensitive compound, and a polar solvent; and removing the polar solvent; and exposing a portion of the thin film to a UV light source to cause the crosslinkable polymer in the exposed portion of the thin film to crosslink.