公开(公告)号：TWI515760B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW100127333

申请日：2011-08-02

Applicant: EMD股份有限公司 ,  EMD CORPORATION

Inventor： 節原裕一 ,  SETSUHARA, YUICHI ,  江部明憲 ,  EBE, AKINORI

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/509

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32954 ,  H01L21/465 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

公开(公告)号：TWI463923B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW097143834

申请日：2008-11-13

Applicant: EMD股份有限公司 ,  EMD CORPORATION

Inventor： 節原裕一 ,  SETSUHARA, YUICHI ,  江部明憲 ,  EBE, AKINORI ,  井野英二 ,  INO, EIJI ,  石原伸一郎 ,  ISHIHARA, SHINICHIRO ,  芦田肇 ,  ASHIDA, HAJIME ,  渡邊亮 ,  WATANABE, AKIRA

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

公开(公告)号：TWI435435B

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：TW097149884

申请日：2008-12-19

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 馬可 可利奇克 ,  KORICIC, MARKO ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  SULIGOJ, TOMISLAV ,  望月秀則 ,  MOCHIZUKI, HIDENORI ,  森田宗一 ,  MORITA, SOICHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

公开(公告)号：TWI418263B

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW099107063

申请日：2010-03-11

Applicant: EMD股份有限公司 ,  EMD CORPORATION

Inventor： 節原裕一 ,  SETSUHARA, YUICHI ,  江部明憲 ,  EBE, AKINORI

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32477 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

公开(公告)号：TW201330225A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW102110426

申请日：2008-12-19

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 馬可 可利奇克 ,  MARKO, KORICIC ,  湯米斯拉夫 蘇黎高吉 ,  TOMISLAV, SULIGOJ ,  望月秀則 ,  MOCHIZUKI, HIDENORI ,  森田宗一 ,  MORITA, SOICHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

Abstract: 本發明係提供一種適於高性能橫向電晶體(HCBT)與CMOS電晶體之混載(BiCMOS)的橫向電晶體之構成及其製造方法。本發明之半導體裝置混載有HCBT100與CMOS電晶體200，HCBT100包含：開放區域21，其係藉由蝕刻包圍n-hill層11之元件分離氧化膜6而開口；多晶矽膜之射極電極31A、集極電極31B，其等係形成於開放區域21內，且具有使藉由元件分離氧化膜之蝕刻而露出之n-hill層11露出之厚度；及極薄氧化膜24，其係覆蓋n-hill層11之至少一部分。極薄氧化膜24產生作為保護膜之功能，該保護膜係於多晶矽膜被蝕刻成為射極電極31A、集極電極31B時，防止n-hill層11受到蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种适于高性能横向晶体管(HCBT)与CMOS晶体管之混载(BiCMOS)的横向晶体管之构成及其制造方法。本发明之半导体设备混载有HCBT100与CMOS晶体管200，HCBT100包含：开放区域21，其系借由蚀刻包围n-hill层11之组件分离氧化膜6而开口；多晶硅膜之射极电极31A、集极电极31B，其等系形成于开放区域21内，且具有使借由组件分离氧化膜之蚀刻而露出之n-hill层11露出之厚度；及极薄氧化膜24，其系覆盖n-hill层11之至少一部分。极薄氧化膜24产生作为保护膜之功能，该保护膜系于多晶硅膜被蚀刻成为射极电极31A、集极电极31B时，防止n-hill层11受到蚀刻。

公开(公告)号：TWI392585B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW096123536

申请日：2007-06-28

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 小林隆昭 ,  KOBAYASHI, TAKAAKI ,  美河正人 ,  MIKAWA, MASATO

IPC: B29D11/00 ,  C08G77/20 ,  G02B1/04 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08L83/04 ,  G02B1/041 ,  G02B1/043 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/0758 ,  C08L51/085 ,  C08L83/00

公开(公告)号：TWI390354B

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：TW097148555

申请日：2008-12-12

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ,  ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 青合菜採 ,  AOAI, NATSUMI ,  小林隆昭 ,  KOBAYASHI, TAKAAKI

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/027 ,  C08G77/20 ,  C08F290/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F290/148 ,  C08F283/122 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  G02B1/041 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/027 ,  G03F7/032 ,  G03F7/0757 ,  Y10T428/24479 ,  C08L83/00

公开(公告)号：TW200921275A

公开(公告)日：2009-05-16

申请号：TW097131356

申请日：2008-08-15

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 馬場幸雅 BABA, YUKIMASA

IPC: G03F ,  C08F ,  H05K ,  H01L

CPC classification number: G03F7/027 ,  G03F7/033

Abstract: 一種感光性樹脂組合物,其含有20~90質量%之(a)鹼溶性高分子,上述鹼溶性高分子含有羧酸,其酸當量為100~600、重量平均分子量為5,000~500,000;5~70質量%之(b)特定之乙烯性不飽和加成聚合性單體;0.01~30質量%之(c)光聚合起始劑。

Abstract in simplified Chinese: 一种感光性树脂组合物,其含有20~90质量%之(a)碱溶性高分子,上述碱溶性高分子含有羧酸,其酸当量为100~600、重量平均分子量为5,000~500,000;5~70质量%之(b)特定之乙烯性不饱和加成聚合性单体;0.01~30质量%之(c)光聚合起始剂。

公开(公告)号：TW200919081A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097125456

申请日：2008-07-04

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 谷村彰浩 TANIMURA, AKIHIRO ,  前田拓郎 MAEDA, TAKURO

IPC: G03F

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70791 ,  G03F7/70983

Abstract: 本發明之大型薄膜係包含:具有由複數個邊所構成之多角形形狀之框體、接著於該框體之上緣面上之薄膜、以及塗附於該框體之下緣面上之黏著材,且上述框體之最長邊之長度為1 m以上,該大型薄膜之上述框體在其所有邊部上,分別具有對上述框體進行取持之取持用的凸部或凹部,於上述框體之各邊部上,分別同時取持至少1處以上之取持用的凸部或凹部,藉此能夠可靠地取持框體,而且,在欲將薄膜貼附於光罩等上時,可自收納容器中簡單地取出薄膜,而不會產生翹曲或彎曲。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之大型薄膜系包含:具有由复数个边所构成之多角形形状之框体、接着于该框体之上缘面上之薄膜、以及涂附于该框体之下缘面上之黏着材,且上述框体之最长边之长度为1 m以上,该大型薄膜之上述框体在其所有边部上,分别具有对上述框体进行取持之取持用的凸部或凹部,于上述框体之各边部上,分别同时取持至少1处以上之取持用的凸部或凹部,借此能够可靠地取持框体,而且,在欲将薄膜贴附于光罩等上时,可自收纳容器中简单地取出薄膜,而不会产生翘曲或弯曲。

公开(公告)号：TW200907567A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097112401

申请日：2008-04-03

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 田村信史 TAMURA, NOBUCHIKA ,  丹羽基博 NIWA, MOTOHIRO ,  丸山公幸 MARUYAMA, KIMIYUKI

IPC: G03F ,  C08G ,  H01L

CPC classification number: C08L79/08 ,  C08G73/16 ,  G03F7/0388 ,  H01L21/312

Abstract: 本發明提供一種感光性聚醯胺酸酯組合物,其特徵在於,相對於100質量份之僅由以特定骨架表示之重複單元構成的聚醯胺酸酯,含有1~40質量份之光起始劑、30~1500質量份之溶劑、及0~150質量份之僅由特定骨架表示之重複單元構成的聚醯胺酸酯。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种感光性聚酰胺酸酯组合物,其特征在于,相对于100质量份之仅由以特定骨架表示之重复单元构成的聚酰胺酸酯,含有1~40质量份之光起始剂、30~1500质量份之溶剂、及0~150质量份之仅由特定骨架表示之重复单元构成的聚酰胺酸酯。