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    Method for addressing participant element of bus system
    32.
    发明专利
    Method for addressing participant element of bus system 审中-公开
    解决总线系统参与元件的方法

    公开(公告)号：JP2014078226A

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：JP2013206566

    申请日：2013-10-01

    Applicant: Melexis Technologies Nv ,  メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ

    Inventor： MARC LAMBRECHTS

    IPC: G06F13/14 ,  B60R16/023

    CPC classification number: G06F13/4063 ,  H04L12/403 ,  H04L61/2038 ,  H04L2012/40234

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To guarantee assignment of an address to an addressable participant element even in the case of variance in supply voltage, number of participant elements on a bus, etc.SOLUTION: A method for addressing each of a plurality of addressable participant elements 116 in a bus system 110 comprising a control unit 112, a bus 114, and the addressable participant elements 116 connected to the bus comprises: a step a) of pre-selecting at least a first number (N1) of participant elements; a step b) of selecting a second number (N2) of participant elements from the pre-selected participant elements; and a step c) of assigning one or more addresses to them; and a step of repeating the steps a) to c). The selection and pre-selection are performed based on current sources CS1 and CS2, specific threshold values, and measurement error. The bus system 110 and an addressable device 116 are also claimed.

    Abstract translation: 要解决的问题：即使在电源电压变化，总线上的参与元件数量等的情况下，也可以保证将地址分配给可寻址参与者元素。解决方案：一种用于寻址多个可寻址参与者元素中的每一个的方法 包括：总线系统110，其包括控制单元112，总线114和连接到总线的可寻址参与者元件116，包括：步骤a）预先选择参与者元素的至少第一数量（N1） 从预先选择的参与者元素中选择参与者元素的第二数目（N2）的步骤b） 以及向其分配一个或多个地址的步骤c） 以及重复步骤a）至c）的步骤。 基于电流源CS1和CS2，特定阈值和测量误差进行选择和预选。 还要求总线系统110和可寻址装置116。

    Vertical hall sensor and method for producing vertical hall sensor
    33.
    发明专利
    Vertical hall sensor and method for producing vertical hall sensor 审中-公开
    垂直霍尔传感器和垂直霍尔传感器的制造方法

    公开(公告)号：JP2012204836A

    公开(公告)日：2012-10-22

    申请号：JP2012062768

    申请日：2012-03-19

    Applicant: Melexis Technologies Nv ,  X-Fab Semiconductor Foundries Ag ,  エックス−ファブ・セミコンダクター・ファウンダリーズ・アーゲー ,  マレクシス テクノロジーズ エヌヴィー

    Inventor： CHRISTIAN SCHOTT ,  PETER HOFMANN

    IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14

    CPC classification number: H01L43/065 ,  G01R33/077 ,  H01L43/14

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical Hall sensor integrated in a semiconductor chip (1) and a method for production thereof.SOLUTION: The vertical Hall sensor has an electrically conductive well (2) of a first conductivity type, which is embedded in an electrically conductive region (3) of a second conductivity type. Electrical contacts (4) are arranged along a straight line (6) on a planar surface (5) of the electrically conductive well (2). The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth Tfrom the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供集成在半导体芯片（1）中的垂直霍尔传感器及其制造方法。 解决方案：垂直霍尔传感器具有嵌入在第二导电类型的导电区域（3）中的第一导电类型的导电孔（2）。 电触头（4）沿着导电孔（2）的平坦表面（5）上的直线（6）布置。 通过高能离子注入和随后的加热产生导电孔（2），使得其具有位于深度T 1 导电孔（2）的平坦表面（5），或者基本上恒定直到深度T 2 。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    位置感知デバイス
    36.
    发明专利
    位置感知デバイス 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019128344A

    公开(公告)日：2019-08-01

    申请号：JP2018171326

    申请日：2018-09-13

    Applicant: メレクシス・テクノロジーズ・ソシエテ・アノニム ,  MELEXIS TECHNOLOGIES SA

    Inventor： ヨハン・ラマン ,  ガエル・クローゼ ,  ピーテル・ロンバウツ

    IPC: G01D5/244

    Abstract: 【課題】本発明は、位置を測定するための位置感知デバイスを備える、位置を測定するための位置感知デバイスを提供する。 【解決手段】位置感知デバイスは、−各々が測定されるべき位置を表す入力位相(θ i )の関数である感知信号を生成するように配設された複数のセンサ(2)と、−加重因子の配列に従って該感知信号を組み合わせることによって、エラー信号(5)を発生させるように配設されたコンバイナ回路(4)と、−該エラー信号をフィルタリングし、かつ該位置を表す位相値を出力するように配設された処理ブロック(6)と、−該出力位相値を受信し、かつ該受信した出力位相値に基づいて該加重因子の配列を調整するように配設されたフィードバック信号ユニット(8)を備えるフィードバックループと、を備える。 【選択図】図1

    低ドリフト赤外線検出器
    37.
    发明专利
    低ドリフト赤外線検出器 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019095443A

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：JP2018214645

    申请日：2018-11-15

    Applicant: MELEXIS TECHNOLOGIES NV

    Inventor： CARL VAN BUGGENHOUT ,  KAREL VANROYE

    IPC: G01J1/02 ,  H01L35/32

    Abstract: 【課題】低ドリフト赤外線検出器を提供する。【解決手段】IR放射を測定するための半導体デバイス100であって、少なくとも1つのセンサ画素10と、前記IR放射から遮蔽された、加熱器23を備える少なくとも1つの基準画素20と、制御部50であって、センサ画素を加熱していない間に加熱器に電力を適用することによって応答性を測定し、加熱されていない画素の第1の出力信号および加熱された画素の第1の基準出力信号を測定し、加熱器への適用された電力の尺度の、および第1の出力信号と第1の基準出力信号との間の差の関数として応答性を得、前記基準画素およびセンサ画素の温度が実質的に同じになるまで冷却期間を適用し、センサと基準出力信号との間の差に基づいて、応答性を使用してこの差を変換することによって、IR放射を示す出力信号を生成するために適合された制御部50と、を備える。【選択図】図1

    センサ装置
    38.
    发明专利
    センサ装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019074514A

    公开(公告)日：2019-05-16

    申请号：JP2018178650

    申请日：2018-09-25

    Applicant: メレキシス テクノロジーズ エヌヴェ ,  Melexis Technologies NV

    Inventor： ガエタン クルス ,  ウーター レテン ,  サム マッダレーナ ,  ロス ケイ

    IPC: G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  H01L31/12 ,  G01S7/481

    Abstract: 【課題】電磁放射を発し、電磁放射を受け取るセンサ装置において、複数の主光線のいくつかは、検出領域と交差し、複数の主光線のいくつかは、発射領域とも交差する光学系を有するセンサ装置を提供する。 【解決手段】センサ装置は、電磁放射を発するように構成されたエミッタ装置106であって、エミッタ装置106と関連付けられた発射領域を有するエミッタ装置106を含む。センサ装置はまた、電磁放射を受け取るように構成された検出器装置108であって、検出器装置108と関連付けられた検出領域を有する検出器装置108と、光学系122とを含む。発射領域は、検出領域から、予め決められた距離だけ離間されている。光学系122は、複数の主光線を規定し、それら複数の主光線のいくつかは、検出領域と交差する。複数の主光線のそれらいくつかは、発射領域とも交差する。 【選択図】図2

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