公开(公告)号：JP2019095443A

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：JP2018214645

申请日：2018-11-15

Applicant: MELEXIS TECHNOLOGIES NV

Inventor： CARL VAN BUGGENHOUT ,  KAREL VANROYE

IPC: G01J1/02 ,  H01L35/32

Abstract: 【課題】低ドリフト赤外線検出器を提供する。【解決手段】IR放射を測定するための半導体デバイス100であって、少なくとも1つのセンサ画素10と、前記IR放射から遮蔽された、加熱器23を備える少なくとも1つの基準画素20と、制御部50であって、センサ画素を加熱していない間に加熱器に電力を適用することによって応答性を測定し、加熱されていない画素の第1の出力信号および加熱された画素の第1の基準出力信号を測定し、加熱器への適用された電力の尺度の、および第1の出力信号と第1の基準出力信号との間の差の関数として応答性を得、前記基準画素およびセンサ画素の温度が実質的に同じになるまで冷却期間を適用し、センサと基準出力信号との間の差に基づいて、応答性を使用してこの差を変換することによって、IR放射を示す出力信号を生成するために適合された制御部50と、を備える。【選択図】図1

公开(公告)号：GB2532733A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：GB201420907

申请日：2014-11-25

Applicant: MELEXIS TECHNOLOGIES NV

Inventor： CARL VAN BUGGENHOUT ,  APPO VAN DER WIEL ,  LUC BUYDENS

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/12

Abstract: A chip 100 for radiation measurements comprises a first substrate 110 comprising a first sensor 111 and a second sensor 116. The chip 100 also comprises a second substrate 120 comprising a first cavity 121 and a second cavity 126 both with oblique walls. An internal layer 128 such as a reflective or absorption layer is present on the inside of the second cavity 126 and prevents radiation from reaching the second sensor 116. The second substrate 120 is sealed to the first substrate with the cavities 121, 126 on the inside such that the first cavity 121 is above the first sensor 111 and the second cavity 126 is above the second sensor 116. A barrier 140 may be present between the two cavities. The sensors 111, 116 may be infra-red thermopile sensors. The second sensor 116 may be a compensating or reference sensor.