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公开(公告)号：CN112635457A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011062004.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392
Abstract: 一种半导体装置，包括：器件层，其包括第一有源图案和第二有源图案以及多个栅电极，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且彼此相邻，多个栅电极在衬底上在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且与第一有源图案和第二有源图案交叉；下布线层，其位于器件层上，并且包括第一下布线图案和第二下布线图案，第一下布线图案和第二下布线图案在第一方向上延伸，分别位于第一有源图案和第二有源图案上，并且连接到多个栅电极；以及上布线层，其位于下布线层上，并且具有分别位于第一下布线图案和第二下布线图案上的第一上过孔和第二上过孔以及在第二方向上延伸的第一上布线图案和第二上布线图案。第一上布线图案连接到第一上过孔，而不连接到第二上过孔，第二上布线图案连接到第二上过孔，而不连接到第一上过孔。
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公开(公告)号：CN111490044A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911239542.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一组有源鳍和第一扩散防止图案。第一组有源鳍在第二方向上彼此间隔开，并且第一组有源鳍中的每一个在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上沿与第二方向不同的第一方向延伸。第一扩散防止图案沿第二方向在衬底的第一区域上延伸穿过第一组有源鳍。第一组有源鳍包括第一有源鳍和第二有源鳍。第一扩散防止图案延伸穿过第一有源鳍在第一方向上的中央部分以划分第一有源鳍，并且延伸穿过并接触第二有源鳍在第一方向上的端部。
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公开(公告)号：CN110828450A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910460009.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H02M7/00
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：沿第一方向在第一行中延伸的至少一个有源区；沿第一方向在第二行中延伸的至少一个有源区；以及多高度单元，包括第一行中的至少一个有源区、第二行中的至少一个有源区、沿与第一水平方向相交的第二方向上延伸的至少一条栅极线，其中，第一行中的至少一个有源区和第二行中的至少一个有源区中的每个有源区被扩散切断终止。
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公开(公告)号：CN104657535B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201410591856.0
申请日：2014-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种布局设计系统、一种布局设计方法和一种半导体装置。所述布局设计系统包括：处理器；存储单元，被配置为存储具有第一面积的第一单元设计，其中，在第一单元设计中，在第一单元设计的边界上未布置端子；以及设计模块，被配置为通过在第一单元设计的边界上布置端子来产生具有大于第一面积的第二面积的第二单元设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979989A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811612378.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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公开(公告)号：CN109616470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN109508514A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910083553.0
申请日：2014-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/66
Abstract: 本发明公开了一种布局设计系统、一种布局设计方法和一种半导体装置。所述布局设计系统包括：处理器；存储单元，被配置为存储具有第一面积的第一单元设计，其中，在第一单元设计中，在第一单元设计的边界上未布置端子；以及设计模块，被配置为通过在第一单元设计的边界上布置端子来产生具有大于第一面积的第二面积的第二单元设计。
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公开(公告)号：CN105304624B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510434904.X
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN107039417A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611023256.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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