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公开(公告)号:CN109698062A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811214535.3
申请日:2018-10-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F27/292 , H01F5/003 , H01F5/06 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/324 , H01F2005/006 , H01F2017/0073 , H01F2017/048 , H01F27/2804 , H01F41/041
Abstract: 本公开提供了一种线圈组件和用于制造该线圈组件的方法。所述线圈组件包括:主体,包括磁性材料;支撑构件,设置在所述主体中;以及线圈图案,位于所述主体中的所述支撑构件上。所述线圈图案可包括:第一导体层,形成在所述支撑构件上并且具有平面螺旋形状;第二导体层,形成在所述第一导体层上并且所述第二导体层的下部的体积比上部的体积大;以及第三导体层,形成为从所述第二导体层的外部覆盖所述第二导体层。
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公开(公告)号:CN108172376A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201710461365.8
申请日:2017-06-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开涉及一种电感器,该电感器包括主体(body)与配置于其主体的外表面而电连接于主体内的线圈图案的线圈引出部的外部电极。所述主体在其内部包括:支撑构件;线圈图案,被所述支撑构件支撑,包括线圈引出部;以及封装材料,其中,所述支撑构件包括支撑所述线圈引出部的至少一个突出部,在所述突出部的内部配置有贯穿所述支撑构件的贯穿部。
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公开(公告)号:CN108074729A
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201711096504.8
申请日:2017-11-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种薄膜型电感器以及用于制造薄膜型电感器的方法,所述薄膜型电感器包括:主体,包括支撑构件、设置在支撑构件的至少一个表面上的线圈和埋设其上设置有线圈的支撑构件的填料;以及外电极,设置在主体的外表面上。绝缘层没有设置在支撑构件的边缘部分上,且边缘部分与填料直接接触。绝缘层仅设置在线圈的表面上以与线圈的表面一致。
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公开(公告)号:CN105185507B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201410465055.X
申请日:2014-09-12
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 一种片式电子器件,其包括:磁体,该磁体包括绝缘基底和线圈导体图案,所述线圈导体图案设置在所述绝缘基底的至少一个表面上;以及外部电极,所述外部电极设置在所述磁体的两个端部上以连接至所述线圈导体图案的端部。所述线圈导体图案包括图案镀层、设置在所述图案镀层上的电镀层以及设置在所述电镀层上的各向异性电镀层,在所述磁体的沿着长度‑厚度方向的横截面中,所述电镀层的邻接所述绝缘基底的下侧比所述电镀层的上侧长。
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公开(公告)号:CN104766693B
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201410136448.6
申请日:2014-04-04
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 公开了一种芯片电子组件和一种制造芯片电子组件的方法,所述芯片电子组件包括:磁性主体,包括绝缘基底;内部线圈部分,设置在绝缘基底的至少一个表面上;以及外部电极,设置在磁性主体的一个端表面上,并连接到内部线圈部分,其中,绝缘基底的厚度被限定为t1,内部线圈部分的厚度被限定为t2,t2/t1为1.0至1.8。所述芯片电子组件能够通过阻挡磁通量在线圈附近的流动以防止线圈附近发生磁化来改善随着电流的施加的电感L值的变化特性,并且能够通过充分地确保填充的磁性材料的体积来实现相对高的最大电感值。
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公开(公告)号:CN106449011A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201611076211.9
申请日:2014-06-23
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01F41/042 , H01F27/323
Abstract: 提供一种电感器,该电感器包括:主体,包括线圈支撑层、设置在线圈支撑层的表面上的导电线圈以及覆盖导电线圈的覆盖层;第一外电极和第二外电极,分别设置在主体的端表面上。线圈支撑层包括绝缘材料,导电线圈包括导电材料,覆盖层包括磁性材料。第一绝缘层和第二绝缘层形成在导电线圈的表面的至少一部分上。导电线圈包括多个导电图案,导电图案在导电线圈内彼此连接。第一绝缘层设置在导电线圈中的相邻的导电图案之间,第二绝缘层形成在第一绝缘层的侧部的至少一部分上。第一绝缘层的所述侧部的至少一部分比导电线圈的上侧高。
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