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公开(公告)号：CN108431257B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201780005558.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01H50/14 , H01H50/56 , H01R4/58 , H01R13/03 , C22F1/00
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的特征在于，含有0.15质量％以上且小于0.35质量％的范围内的Mg和0.0005质量％以上且小于0.01质量％的范围内的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率超过75％IACS，并且，在扫描型电子显微镜观察中，粒径0.1μm以上的含有Mg和P的化合物的平均个数为0.5个/μm2以下。
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公开(公告)号：CN108431256A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201780005496.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01H50/14 , H01H50/56 , H01R4/58 , H01R13/03 , C22F1/00
Abstract: 本发明的特征在于，含有0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg和0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率超过75％IACS，并且Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系式，H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，S的含量为50质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN107636179A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032194.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率大于75％IACS，并且根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。也可以还包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。
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公开(公告)号：CN107208189A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008019.8
申请日：2016-09-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的特征在于，其含有0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg和0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕以质量比计满足如下关系：〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，并且导电率超过75％IACS。
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公开(公告)号：CN105452502B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480045246.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/00 , H01B5/02 , H01R13/03
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用零件、端子及母线，所述电子电气设备用铜合金具有以下组成，即含有0.01质量％以上且小于0.11质量％的Zr、0.002质量％以上且小于0.03质量％的Si，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Zr的含量(质量％)与Si的含量(质量％)之比Zr/Si设在2以上且30以下的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115735018B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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公开(公告)号：CN115244197B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180018743.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，小倾角晶界及亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80％以下。
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公开(公告)号：CN115917023A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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公开(公告)号：CN115279929A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180018502.5
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，Ag、Sn及Fe的合计含量为9.0质量ppm以上且小于100.0质量ppm，并且剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，所述纯铜板具有与轧制面平行的晶面为{022}面、{002}面、{113}面、{111}面及{133}面的晶体，通过基于2θ/θ法对所述轧制面进行X射线衍射测定所得的所述各晶面的衍射峰强度满足I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≤0.15、I{002}/I{111}≥10.0及I{002}/I{113}≥15.0。
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公开(公告)号：CN115244197A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018743.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，所述小倾角晶界及所述亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80％以下。
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