公开(公告)号：CN105449521A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410458948.1

申请日：2014-09-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 万文坚 ,  曹俊诚

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法，至少包括：分子束外延在半绝缘GaAs衬底上依次生长下接触层、多量子阱有源区、上接触层；光刻、金属化和剥离在外延材料上制作上电极金属层；光刻胶覆盖上电极金属层刻蚀有源区形成脊形结构；光刻胶覆盖整个脊形结构刻蚀未覆盖的区域至下接触层；光刻、金属化和剥离在脊波导两侧制作下电极金属层；最后减薄衬底、解理芯片并封装完成。本发明中脊波导的刻蚀分两步进行，两步刻蚀形成两级向下的台阶，下电极金属层覆盖于第二刻蚀台阶及第二刻蚀侧壁实现和下接触层间良好的电学接触。该工艺通过增加一步光刻流程，降低了脊波导制作对刻蚀厚度精度及均匀性的要求，提高了器件工艺的成品率，降低了接触层引入的横向串联电阻。

公开(公告)号：CN208157437U

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201820606657.6

申请日：2018-04-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张真真 ,  万文坚 ,  黎华 ,  符张龙 ,  李子平 ,  仲雨 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构，其包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层，该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同；所有所述微腔单元还包括：一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板，该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本实用新型不仅可以实现光的正入射耦合，有效提高量子阱对光的吸收效率，降低量子阱探测器的暗电流，提高其工作温度，而且可以达到微腔内电场增强的效果，提高量子阱探测器的光耦合效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212571696U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202021122837.0

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谭智勇 ,  万文坚 ,  曹俊诚

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/0225 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  B24B29/02

Abstract: 本实用新型涉及一种太赫兹量子级联激光器，所述激光器包括前端面和后端面；所述后端面与所述激光器的脊条形结构的长度方向垂直，所述前端面包含两个斜面，斜面与所述脊条形结构长度方向的垂直面形成倾斜角，使得所述前端面和所述后端面的反射率和透射率不同。本实用新型相比单一倾斜端面，角形倾斜端面采用两个对称的斜面来耦合输出激光，使得总的输出激光发散性降低，有效改善了输出激光的光束质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利