公开(公告)号：CN108428762A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810384191.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张真真 ,  万文坚 ,  黎华 ,  符张龙 ,  李子平 ,  仲雨 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法，其中，所述耦合结构包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层，该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同；所有所述微腔单元还包括：一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板，该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本发明不仅可以实现光的正入射耦合，有效提高量子阱对光的吸收效率，降低量子阱探测器的暗电流，提高其工作温度，而且可以达到微腔内电场增强的效果，提高量子阱探测器的光耦合效率。

公开(公告)号：CN208157437U

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201820606657.6

申请日：2018-04-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张真真 ,  万文坚 ,  黎华 ,  符张龙 ,  李子平 ,  仲雨 ,  曹俊诚

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构，其包括：多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底，其中，每个所述微腔单元包括：一上金属电极，以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层，该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同；所有所述微腔单元还包括：一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板，该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本实用新型不仅可以实现光的正入射耦合，有效提高量子阱对光的吸收效率，降低量子阱探测器的暗电流，提高其工作温度，而且可以达到微腔内电场增强的效果，提高量子阱探测器的光耦合效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利