公开(公告)号：CN101098945A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580025049.1

申请日：2005-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 滨口滋生 ,  公文创一 ,  赤松佳则 ,  斋藤真规

IPC: C09K3/18 ,  C09D183/04 ,  C09D5/00 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  C08L83/04 ,  C08K5/5419 ,  C03C17/30 ,  C03C23/00

CPC classification number: C03C17/3405 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/33 ,  C08G77/24 ,  C08K5/5406 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明是关于用于得到滑水性被膜的处理剂，该处理剂是混合在至少一个末端具有2个或3个可水解的官能基且二甲基硅氧烷单元(Si(CH3)2O)数是30～400的直链状聚二甲基硅氧烷，具有可水解的官能基且氟碳单元(CF2或者CF3)数是6～12的氟烷基硅烷，以及含有有机溶剂、酸和水的溶液而构成的。该处理剂相对处理剂的总量，按重量浓度，混合0.2～3.0重量％上述直链状聚二甲基硅氧烷、0.2～2.0重量％上述氟烷基硅烷、而且0.5～3.5重量％上述直链状聚二甲基硅氧烷和上述氟烷基硅烷的总量。

公开(公告)号：CN1665752A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815490.0

申请日：2003-07-29

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 赤松佳则 ,  公文创一 ,  畠中要 ,  仓增春喜 ,  荒井宏明 ,  滨口滋生

IPC: C03C17/25 ,  B60J1/00 ,  B60S1/02

CPC classification number: C03C19/00 ,  C03C17/002 ,  C03C17/009 ,  C03C17/25 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/113 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明涉及一种使水滴滑落制品表面方面优异的制品。该制品可通过包括下述步骤的第一方法来制备：(a)混合氧化硅前体溶胶与(i)用通式[1]表示的且基于将由氧化硅前体溶胶生产的氧化硅的总重量，含量为0.1wt％－10wt％的烷氧基封端的二甲基硅氧烷和(ii)用通式[2]表示的氟代烷基硅烷，进而制备涂料溶液；和(b)将该涂料溶液涂到基质上。

公开(公告)号：CN111512418B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880083226.9

申请日：2018-12-14

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4‑c‑d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3‑g]4‑e‑f[3]

公开(公告)号：CN116324036A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070131.5

申请日：2021-10-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 吉浦一基 ,  冈田卓也 ,  渡边谦太 ,  公文创一 ,  中村阳介 ,  谷口敬寿

IPC: C23F1/10

Abstract: 本公开中提出的湿式蚀刻方法，其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理，接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β‑二酮和有机溶剂的溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述表面改质液包含对前述金属元素的氧化性物质，前述湿式蚀刻方法包括：第一工序，使前述表面改质液与前述含金属膜接触而在前述含金属膜的表面形成前述金属元素的氧化膜；和第二工序，使前述蚀刻液与具有前述氧化膜的前述含金属膜接触。

公开(公告)号：CN105612606B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480054698.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  斋尾崇 ,  公文创一 ,  荒田忍

IPC: H01L21/304 ,  C07C211/07 ,  C07F9/38

Abstract: 本发明的晶片的清洗方法是表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌之中的至少1种元素的晶片的清洗方法，该方法至少具备：前处理工序，在凹凸图案的至少凹部保持清洗液；保护膜形成工序，在上述前处理工序后，在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液；以及干燥工序，通过干燥而从凹凸图案去除液体，上述保护膜形成用化学溶液是包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在至少上述凹部表面形成拒水性保护膜，若上述保护膜形成用化学溶液为碱性则上述清洗液为酸性，若上述保护膜形成用化学溶液为酸性则上述清洗液为碱性。

公开(公告)号：CN108352314A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065817.4

申请日：2016-10-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 八尾章史 ,  公文创一 ,  藤原昌生 ,  七井秀寿

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B81C1/00928 ,  B81C2201/117 ,  C11D7/02 ,  C11D7/261 ,  C11D7/5018 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。

公开(公告)号：CN107924835A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047776.6

申请日：2016-08-10

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋尾崇 ,  奥村雄三 ,  福井由季 ,  深泽宏纪 ,  高田朋宏 ,  公文创一 ,  阿部一之 ,  渡边翔太 ,  井町昌義

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304

Abstract: 提供：利用包含氯乙烯树脂作为液体接触构件的清洗装置的晶圆的清洗方法中使用的拒水性保护膜形成用化学溶液。一种化学溶液，其包含：下述通式[1]所示的烷氧基硅烷；选自由下述通式[2]所示的磺酸、该磺酸的酸酐、该磺酸的盐、和下述通式[3]所示的磺酸衍生物组成的组中的至少1种；以及稀释溶剂，上述稀释溶剂含有选自由烃、醚和硫醇组成的组中的至少1种溶剂。(R1)aSi(H)b(OR2)4-a-b[1]；R3-S(＝O)2OH[2]；R3-S(＝O)2O-Si(H)3-c(R4)c[3]。

公开(公告)号：CN107068540A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611162059.6

申请日：2011-12-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 公文创一 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  斋藤真规 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/02 ,  C11D3/16 ,  C11D11/00

Abstract: 本发明提供一种晶片的清洗方法。[课题]提供在表面具有凹凸图案的晶片的制造方法中用于改善容易诱发图案倾塌的清洗工序的清洗方法。[解决方法]所述清洗方法是表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序；用拒水性化学溶液(9)置换在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序；干燥晶片(1)的工序，上述清洗液(8)包含80质量％以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使上述置换的工序中供给的拒水性化学溶液(9)的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液(9)的沸点，从而至少使上述凹部表面拒水化。

公开(公告)号：CN107068538A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611028598.0

申请日：2010-10-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  荒田忍 ,  斋尾崇 ,  公文创一 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。

公开(公告)号：CN102934207B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180028305.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 公文创一 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  斋藤真规 ,  两川敦 ,  山田周平 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/306 ,  G03F7/40

Abstract: 公开了一种用于在清洗表面具有微细凹凸图案（2）且该凹凸图案（2）的至少一部分含有硅元素的晶片（1）时在该凹凸图案（2）的至少凹部表面形成拒水性保护膜（10）的化学溶液。该化学溶液包含通式：R1aSi(H)bX4-a-b所示的硅化合物A和酸A，该酸A选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种。