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公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN1697894A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN1692186A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100213.1
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n－型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n－型半导体金刚石一共包含1017cm－3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n－型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。
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公开(公告)号：CN101990443B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980112611.2
申请日：2009-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: A61L9/00
CPC classification number: B01D53/326 , A61L9/012 , A61L9/014 , A61L9/16 , A61L2209/213 , A61L2209/22 , B01D53/32 , B01D53/8668 , B01D53/88 , B01D61/422 , B01D69/10 , B01D69/12 , B01D69/145 , B01D71/36 , B01D2251/11 , B01D2255/102 , B01D2255/9202 , B01D2257/7027 , B01D2257/90 , B01J35/0033
Abstract: 本发明披露了一种用以分解多种恶臭气体的分解装置，其在向正极和负极间施加相对较高的电压的同时，不会引发安全问题。本发明还披露了一种分解气体的方法。该气体分解装置的特征在于其包括：含有催化剂的多孔催化电极层(6)；与所述催化电极配对的对电极层(7)；以及夹在所述催化电极和所述对电极之间的离子传导性电解质层(15)。该气体分解装置的特征还在于，催化剂被由导电性材料构成的载体担载、并且保持在催化电极上；或者催化剂被直接保持在催化电极上，并且催化电极中的与所述催化剂接触的导电性材料不是非共价碳材料。
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公开(公告)号：CN1934671B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580009107.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B81C1/00111 , H01J9/025 , H01J2329/0415 , H01J2329/0447 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种碳系材料突起构造的形成方法。该碳系材料突起构造的形成方法包括：在金刚石基板(10)上涂布抗蚀剂(11)的工序；在该涂布好的抗蚀剂(11)上依照规定的配置规则开设孔(12)，以使该孔(12)的壁(12b)从开口部(12a)朝向里侧形成倒锥形的方式加工的工序；从开口部(12a)侧开始蒸镀掩模材料，在孔(12)的内部形成掩模蒸镀物(14)的工序；将蒸镀于抗蚀剂(11)上的掩模材料(13)与抗蚀剂(11)一起提离的工序；将掩模蒸镀物(14)作为掩模而蚀刻金刚石基板(10)，形成碳系材料突起的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101375363B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN101410549A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011115.9
申请日：2007-01-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/511 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
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公开(公告)号：CN101400833A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN100456490C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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公开(公告)号：CN100395898C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：见右下式；nλ＝C1...(2)，其中：C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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