公开(公告)号：CN102933334B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201180027677.9

申请日：2011-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  内原武志 ,  沼野正祯 ,  大石幸广 ,  河部望

IPC: B22D11/06 ,  B22D11/00 ,  B22D21/04 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87

CPC classification number: B22D11/001 ,  B22D11/0622 ,  B22D11/0642 ,  B22D11/10 ,  C04B35/117 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/806 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00879 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9676 ,  C09D1/00 ,  C22C23/00 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31678 ,  C04B35/10 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5031

Abstract: 本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴（1）)包含具有许多孔的多孔体（2）和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体（2）中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。

公开(公告)号：CN102471859B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180003026.6

申请日：2011-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 沼野正祯 ,  宫永伦正 ,  内原武志 ,  大石幸广 ,  河部望

IPC: C22F1/06 ,  B21B3/00 ,  B22D11/00 ,  B22D11/06 ,  C22C23/02 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/00 ,  B21B3/003 ,  B21C47/04 ,  B21C47/26 ,  B21C47/326 ,  B22D11/001 ,  B22D11/124 ,  B22D11/22 ,  B22D41/50 ,  C21D8/021 ,  C21D9/68 ,  C22C23/00 ,  C22F1/06 ,  Y10T428/12292

Abstract: 本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(1)卷绕即将开始时的温度T(℃)控制在如下温度，并利用卷取机对所述板材(1)进行卷绕，在该温度下由板材(1)的厚度t和弯曲半径R(mm)表示的表面应变((t/R)×100)小于或等于所述板材(1)在室温下的伸长率。

公开(公告)号：CN102159755B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080002639.3

申请日：2010-01-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。

公开(公告)号：CN102084039B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN102137960A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。

公开(公告)号：CN102105835A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128974.5

申请日：2009-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/355 ,  G02F1/377

CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02F1/3558 ,  G02F2202/101 ,  Y10T156/1075

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。

公开(公告)号：CN101644871A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164134.6

申请日：2009-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/365

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。

公开(公告)号：CN101469452A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810188586.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  竹内久雄 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN101466878A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN101370972A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780003077.2

申请日：2007-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。