公开(公告)号：CN1599086A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410032570.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n－型ZnMgSSe覆盖层(3)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p－型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p－型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。

公开(公告)号：CN1461061A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03125145.5

申请日：2003-05-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L33/08 ,  H01L33/285 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种白色发光元件，包括发生340～400nm紫外光的InGaN－LED，含有1×1017cm－3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收InGaN－LED的紫外光发射蓝色光荧光的块状ZnS第一荧光板，和含有1×1017cm－3以上浓度的Al、In、Ga、Cl、Br和I中任何杂质元素、吸收一部分上述蓝色光荧光发射黄色光荧光的块状ZnSSe第二荧光板，将第一荧光板ZnS结晶发出的蓝色光和第二荧光板ZnSSe发出的黄色光混合合成白色光线。并将含有1×1017cm－3以上Al、Ga、In、Cl、Br和I中任何杂质元素的ZnSSe制成块状的荧光板或以粉末状固化的荧光板，与发生410～470nm蓝色光的InGaN－LED组合，由蓝色光激发ZnSSe荧光板使之发生黄色光，将其二种光混合成白色光。

公开(公告)号：CN1326018A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01117791.8

申请日：2001-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: C30B31/02

CPC classification number: H01L21/385 ,  C30B29/48 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00 ,  Y10S420/903 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/941 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12764 ,  Y10T428/12792

Abstract: 本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂,热处理ZnSe晶体基质的方法,利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置,尤其是,热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜,首先使基片在Se环境气氛中进行热处理,然后再在Zn环境气氛中进行热处理。

公开(公告)号：CN104350187A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380030120.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  西口太郎 ,  堀勉 ,  大井直树 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。

公开(公告)号：CN102465342B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110358558.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  佐藤一成

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102326231B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080008691.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  中幡英章 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

公开(公告)号：CN103124811A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046545.0

申请日：2011-05-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  长田英树

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供在具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面的GaN籽晶衬底上生长具有较少堆垛层错的GaN晶体的GaN晶体生长方法，还提供具有较少堆垛层错的GaN晶体衬底。生长GaN晶体的方法包括：准备GaN籽晶衬底10的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面10c以20°～90°角度倾斜的主表面10m，和在所述GaN籽晶衬底10上生长GaN晶体20的步骤。所述GaN籽晶衬底10的杂质浓度与所述GaN晶体20的杂质浓度的差为3×1018cm-3以下。

公开(公告)号：CN102959677A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102016135B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN102449733A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023785.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；以及在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成作为导体的、包括碳的中间层(80)。由此将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此接合。