半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带

    公开(公告)号:CN103426743A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310170774.4

    申请日:2013-05-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带,所述切割方法包括:(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序;(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序;(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上,贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序;(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序;(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序;以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序,其中,在所述(e)工序之前,所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

    晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法

    公开(公告)号:CN101903983A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200880121494.1

    申请日:2008-12-17

    Abstract: 本发明提供一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法,所述晶圆粘贴用粘合片由基材膜(1)和在该基材膜上形成的粘合剂层(2)构成,其特征在于,使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置测定的损失系数(23℃、频率1~100Hz)为0.15以上;所述晶圆的加工方法含有在该晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序,并且,在切割工序中不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。

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