-
公开(公告)号:CN103620742A
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201280027417.6
申请日:2012-04-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J133/06 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08K3/013 , C08L33/00 , C08L33/06 , C09J7/20 , C09J2201/122 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377
Abstract: 本发明为一种粘接膜,其是由含有9质量%以上30质量%以下的环氧化合物、10质量%以上45质量%以下的丙烯酸系共聚物、及15质量%以上的无机填料的树脂组合物构成的;上述丙烯酸系共聚物含有包含至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元;上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中,至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下;在B阶段状态中,玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下,上述丙烯酸系共聚物与上述环氧化合物形成均匀相,且断裂拉伸率为3%以下。
-
公开(公告)号:CN103426743A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310170774.4
申请日:2013-05-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带,所述切割方法包括:(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序;(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序;(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上,贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序;(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序;(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序;以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序,其中,在所述(e)工序之前,所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。
-
公开(公告)号:CN101138075B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200680008106.X
申请日:2006-03-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/02 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J4/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带,包含2层以上的该粘合剂层,构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物,同时,构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同,并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度,本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。
-
公开(公告)号:CN101903983A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200880121494.1
申请日:2008-12-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , C09J133/04
Abstract: 本发明提供一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法,所述晶圆粘贴用粘合片由基材膜(1)和在该基材膜上形成的粘合剂层(2)构成,其特征在于,使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置测定的损失系数(23℃、频率1~100Hz)为0.15以上;所述晶圆的加工方法含有在该晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序,并且,在切割工序中不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。
-
-
-