公开(公告)号：CN101404295B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810168953.3

申请日：2008-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的缓冲层；形成在缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施主的杂质元素。

公开(公告)号：CN101369540B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810210492.1

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。

公开(公告)号：CN102456552A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110308492.7

申请日：2011-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和 ,  山元良高

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。

公开(公告)号：CN101350331B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。

公开(公告)号：CN101540341A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910007973.7

申请日：2009-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669

Abstract: 薄膜晶体管包括：覆盖栅电极层的第一绝缘层；与栅电极层的至少一部分重叠的源区及漏区；在第一绝缘层上，与栅电极层及一对杂质半导体层的至少一部分重叠，并在沟道长度方向上彼此相离地设置的一对第二绝缘层；接触于第二绝缘层上并彼此相离地设置的一对微晶半导体层；覆盖第一绝缘层、一对第二绝缘层及一对微晶半导体层并在一对微晶半导体层之间延伸的非晶半导体层，其中第一绝缘层为氮化硅层，并且一对第二绝缘层为氧氮化硅层。

公开(公告)号：CN101369540A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210492.1

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。

公开(公告)号：CN101271827A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710185774.6

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0732 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70291 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。

公开(公告)号：CN119452543A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380049690.7

申请日：2023-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  长多刚 ,  门马洋平 ,  神保安弘 ,  田岛亮太

IPC: H02J7/04 ,  H01M10/44

Abstract: 本发明提供一种根据充电开始时的正极状态的充电方法，并且改善电池的充电特性。一种在正极中包含以LixMO2表示的正极活性物质的电池的充电方法，其中M为选自Co、Ni、Mn及Al中的一个或多个，根据电池充电开始时的x值而判断是否需要第一充电，在判断为需要第一充电时，在进行第一充电之后依次进行第二充电、第三充电，在判断为不需要第一充电时，依次进行第二充电、第三充电，在第一充电中，电流值为1C以上且5C以下的且充电时间为10秒以上且30秒以下，第二充电为恒流充电，第三充电为恒压充电。

公开(公告)号：CN118302897A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280077804.4

申请日：2022-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  塚本洋介 ,  栗城和贵 ,  石谷哲二 ,  吉富修平 ,  长多刚

IPC: H01M10/44 ,  H01M10/48 ,  H01M50/247 ,  H01M50/284

Abstract: 为能够跟随框体的运动的柔性电池提供安全的充电环境。本发明的一个方式是一种柔性电池管理系统或安装有柔性电池的电子设备，其包括检测柔性电池的运动的传感器及具有根据来自传感器的信号开始或停止进行柔性电池的充电的功能的充电控制电路，当传感器检测出柔性电池展开的第一状态时，以及当传感器检测出柔性电池弯折的第二状态时，使用充电控制电路开始进行柔性电池的充电。

公开(公告)号：CN115989336A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052295.5

申请日：2021-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  国武宽司

IPC: C23C16/40

Abstract: 提供一种金属氧化物的沉积方法。本发明包括如下步骤：将第一前驱体引入到第一腔室中的第一工序；将第二前驱体引入到第一腔室中的第二工序；将第三前驱体引入到第一腔室中的第三工序；在第一工序后、第二工序后以及第三工序后都将等离子体状态的氧化剂引入到第一腔室中的第四工序；以及进行微波处理的第五工序。以进行第一至第四工序的每一个一次以上为一个循环，在多次反复一个循环之后在第二腔室中进行第五工序。第一至第三前驱体是种类互不相同的前驱体，微波处理使用氧气体及氩气体进行，金属氧化物具有结晶区域，结晶区域的c轴大致平行于金属氧化物的被形成面的法线向量或金属氧化物的表面的法线向量。