基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:CN108604536B

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN201780009122.9

    申请日:2017-02-03

    Abstract: 在基板(W)的被处理面上形成有包含金属成分及感光性材料的抗蚀膜之后,由边缘曝光部(41)对基板的周缘部照射光。由此,对基板的周缘部上的抗蚀膜的部分进行曝光。接着,通过由显影液喷嘴(43)对基板的周缘部供给显影液,由此对被曝光后的抗蚀膜的部分进行显影处理。由此,除去在基板的周缘部上形成的抗蚀膜的部分。然后,将基板搬送至曝光装置(15)。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理,由此在抗蚀膜上形成曝光图案,接着通过在显影处理单元(139)中对曝光处理后的基板供给显影液,由此进行抗蚀膜的显影处理。

    基板处理方法及其装置
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108428615B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN201711471688.1

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,在热处理空间内对基板进行热处理,所述方法包括:搬入步骤,使基板载置于支撑销上;排气步骤,排出所述热处理空间内的气体;非活性气体供给步骤,对所述热处理空间供给非活性气体;基板下空间气体排出步骤,排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体;以及热处理步骤,使所述支撑销退到所述热处理板内,对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

    基板处理方法及其装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108428616B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN201810071450.8

    申请日:2018-01-24

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理,所述基板处理方法包括排气步骤、非活性气体供给步骤以及热处理步骤,在实施所述排气步骤、所述非活性气体供给步骤之后,实施热处理步骤,在所述排气步骤中,排出由包围热处理板的周围的罩部形成的热处理空间的气体,在所述非活性气体供给步骤中,从上方对所述热处理空间供给非活性气体,并且对所述热处理板的外周面与所述罩部的内周面之间的间隙供给非活性气体,在所述热处理步骤中,对所述热处理空间内的基板进行热处理。

    曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法

    公开(公告)号:CN108535966B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201810163638.5

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明提供曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法。通过吸引装置将收纳有基板的处理室内的环境气体排出。在处理室内的氧浓度下降至预先设定的曝光开始浓度的时刻,通过光源部开始向基板照射真空紫外线。在向基板照射真空紫外线的照射期间,由照度计接收一部分真空紫外线,并测量接收到的真空紫外线的照度。基于测量的照度计算基板的曝光量,在曝光量上升至预先设定的设定曝光量的时刻,停止向基板照射真空紫外线。曝光开始浓度被预先设定为,高于1%且低于大气中的氧浓度,使得通过真空紫外线的照射而从氧原子生成的臭氧不会损伤基板的被处理面的膜。

    基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法

    公开(公告)号:CN107615458B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201680031649.7

    申请日:2016-04-15

    Abstract: 本发明的基板处理装置具有:涂敷处理单元,其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给,由此在被处理面形成含金属涂敷膜;金属去除单元,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式,向基板的周缘部供给用于使金属溶解的去除液;以及搬送机构,其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后,将基板搬送至金属去除单元。通过由涂敷处理单元向基板的被处理面供给含金属涂敷液,来在被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至金属去除单元。通过金属去除单元,以含金属涂敷膜残留在基板被处理面的除周缘部以外的区域的方式对基板的周缘部供给去除液。

Patent Agency Ranking