公开(公告)号：CN100444332C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580009704.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北添牧子 ,  伊藤博巳 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/02277 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3185

Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。

公开(公告)号：CN101098981A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200680001884.6

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广野贵启 ,  多田勋 ,  中塚笃 ,  菊池正志 ,  小形英之 ,  川村裕明 ,  斋藤一也 ,  佐藤昌敏

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3277 ,  B08B7/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32009

Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。

公开(公告)号：CN111344431A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201980005724.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 坂本纯一 ,  斋藤一也 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  横山礼宽

IPC: C23C14/04 ,  B41F5/04 ,  B41F9/00 ,  B41F17/10 ,  B41M1/02 ,  B41M1/10 ,  B41M1/28 ,  B41M1/30 ,  B65H20/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明提供一种收卷式成膜装置，其具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内使锂蒸发。上述第一辊被配置在上述膜的成膜面和上述锂源之间。上述第一辊具有接收从上述锂源蒸发的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。

公开(公告)号：CN108541226A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201780004713.7

申请日：2017-11-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 坂本纯一 ,  斋藤一也 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  横山礼宽

IPC: B05C1/08 ,  B05D1/28 ,  B05D3/10 ,  B05D3/12 ,  B05D7/04 ,  B05D7/24 ,  B41F5/04 ,  B41F17/10 ,  B41M1/02 ,  B41M1/10 ,  B41M1/28 ,  B41M1/30 ,  B65H20/02 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明能够抑制采用卷取式在膜上形成锂层时对膜的热损伤。卷取式成膜装置具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内对锂进行熔融。上述第一辊配置在上述膜的成膜面与上述锂源之间。上述第一辊具有从上述锂源接收熔融的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。

公开(公告)号：CN102177577B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。

公开(公告)号：CN102187010B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980140705.0

申请日：2009-10-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。

公开(公告)号：CN101939829B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN102187008A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980140711.6

申请日：2009-10-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。

公开(公告)号：CN102177577A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。

公开(公告)号：CN101395711B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780007217.3

申请日：2007-04-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村肇 ,  谷口麻也子 ,  石野耕司 ,  进藤孝明 ,  筒井润一郎 ,  菊地幸男 ,  斋藤一也

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/06 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/568 ,  B65G49/061 ,  B65G49/066 ,  B65G49/067 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C23C14/50 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明提供与基板的运送姿势无关、在任意面上都能成膜、且可与非成膜面不干涉地支承并运送基板的纵式基板运送装置和成膜装置。本发明的成膜装置(1)，备有可处理基板(W)的任意面地支承着上述基板的托架(15)、变换托架(15)的运送姿势的第1姿势变换部(3)、收容已变换了姿势的托架并将该托架运送到成膜室(10)的运送室(9)。采用上述构造，可以与基板(W)的运送姿势无关地、对任意面实施成膜处理。另外，在基板(W)的运送途中，可以变更成膜面(Wa)。另外，可以使托架(15)不与基板(W)的非成膜面干涉地支承着基板(W)。