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公开(公告)号：CN101501239B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200780030031.X
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/042 , B05C1/0834 , B41F31/002 , B41F31/15 , C23C14/562
Abstract: 抑制油墨凝结效率的降低及相对印刷辊的油墨转印精度的下降，并且实现油墨凝结辊的结构简单化及组装作业性能提高。本发明的卷绕式真空成膜装置的掩模形成单元(20)具有将形成掩模图案(25)的油墨保持在外周的油墨凝结辊(31)、在薄膜(12)的成膜面上将油墨作为掩模图案(25)进行转印的印刷辊(33)、及配置在油墨凝结辊(31)和印刷辊(33)之间并从油墨凝结辊(31)向印刷辊(33)转印油墨的转印辊(32)，并且具备冷却油墨凝结辊(31)的冷却机构、及使转印辊相对于油墨凝结辊(31)、印刷辊(33)在轴方向上周期性摆动的摆动机构。
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公开(公告)号：CN101680083B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200880015976.9
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , B65H27/00 , B65H2701/1315
Abstract: 本发明提供一种薄膜传送装置和卷绕式真空成膜方法，其不仅实现了保护基膜的成膜区域的目的，还实现了可使基膜能够平稳地传送的目的。本发明中的卷绕式真空成膜装置(10)包括引导单元(20)，引导单元(20)包括导向辊(17A)和辅助辊(18)，导向辊(17A)具有用来支承基膜(F)的两个侧缘部的一对环形导向部(17b)，辅助辊(18)与导向辊(17A)以互相面对的方式设置，由辅助辊(18)将基膜(F)的两个侧缘部压向一对导向部(17b)，由此可以避免基膜(F)的成膜区域(Fc)接触到引导单元(20)的导向辊(17A)和辅助辊(18)的各个辊表面，因而可以实现保护成膜区域(Fc)的目的。
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公开(公告)号：CN101501242A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029292.X
申请日：2007-07-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/042 , B05C1/0821 , B05C1/083 , B05C1/0834 , C23C14/562 , H01G13/00 , H01G13/006
Abstract: 提供一种能够容易且迅速进行印刷辊与支承辊之间按压力调整的卷绕式真空成膜装置。本发明中，通过包含有印刷辊(33)及转印辊(32)的掩模形成单元(20)相对于真空室(11)的相对移动而进行印刷辊(33)与支承辊(21)之间的按压力调整，所以不需要个别调整印刷辊(33)及转印辊(32)，实现单元单位的按压力调整，从而可以实现结构的简单化和作业的简易化、高精度化，并缩短作业时间。
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公开(公告)号：CN101563737B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200780047143.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 能够以高生产效率及低成本制造出永磁铁，其使Dy、Tb附着到规定形状的铁-硼-稀土类系的烧结磁铁表面，并扩散到其晶界相中后形成。在处理室内配置铁-硼-稀土类系的烧结磁铁，加热到规定温度的同时，使配置在同一或另一处理室内的至少含有Dy及Tb中的一种的氟化物构成的蒸发材料V蒸发，使该蒸发的蒸发材料附着到烧结磁铁表面，使该附着的蒸发材料的Dy、Tb的金属原子在烧结磁铁表面上形成由蒸发材料构成的薄膜之前扩散到烧结磁铁的晶界相中。
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公开(公告)号：CN101568980B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780047801.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C33/0242 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C2202/02 , H01F41/0273 , H01F41/0293 , C22C33/0278 , B22F3/12 , B22F2201/40 , B22F2201/10 , B22F2201/20
Abstract: 本发明提供一种以高生产效率制造具有极高顽磁力、高磁特性的永磁铁的制造方法。其包括实施：第1工序，其至少使Dy、Tb中的一种附着到铁一硼一稀土类系烧结磁铁表面的至少一部分上；第2工序，通过在规定温度下实施热处理，使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中；作为烧结磁铁，使用的是将主相合金(主要由R2T14B相构成，R是以Nd为主的至少1种稀土类元素，T是以Fe为主的过渡金属)和液相合金(与R2T14B相比，R的含量更高，主要由R富相构成)的各种粉末按规定混合比混合，将得到的混合粉末在磁场中加压成形，将该成形体在真空或非活性气体气氛中烧结后形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101501237B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780030016.5
申请日：2007-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/562
Abstract: 高效保持清洁单元对罐辊的清洁机能，进行高质量的成膜处理。本发明中，在向基膜(12)进行成膜前，使清洁单元(30)与冷却用罐辊(14)接触，一边使罐辊(14)在非冷却状态下转动一边进行清洁，可以防止清洁单元(30)的过冷却，阻止已除去的灰尘的脱离，能够高效进行清洁单元(30)对罐辊(14)的除尘处理。另外，在完成清洁后，解除清洁单元(30)与罐辊(14)的接触状态，可防止成膜时的罐辊(14)的冷却操作对清洁单元(30)进行冷却，从罐辊(14)的周面除去的灰尘不会脱离而被保持着。
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公开(公告)号：CN101568980A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047801.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C33/0242 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C2202/02 , H01F41/0273 , H01F41/0293 , C22C33/0278 , B22F3/12 , B22F2201/40 , B22F2201/10 , B22F2201/20
Abstract: 本发明提供一种以高生产效率制造具有极高顽磁力、高磁特性的永磁铁的制造方法。其包括实施：第1工序，其至少使Dy、Tb中的一种附着到铁一硼一稀土类系烧结磁铁表面的至少一部分上；第2工序，通过在规定温度下实施热处理，使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中；作为烧结磁铁，使用的是将主相合金(主要由R2T14B相构成，R是以Nd为主的至少1种稀土类元素，T是以Fe为主的过渡金属)和液相合金(与R2T14B相比，R的含量更高，主要由R富相构成)的各种粉末按规定混合比混合，将得到的混合粉末在磁场中加压成形，将该成形体在真空或非活性气体气氛中烧结后形成。
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公开(公告)号：CN101946022B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200880126755.9
申请日：2008-04-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 本发明提供一种卷绕式真空成膜装置，其技术既不需增大装置，还可防止因从去除电荷机构中泄漏出来的带电粒子而引起的基材的热变形。本发明中的卷绕式真空成膜(蒸镀)装置(10)包括电荷捕捉部件(25)，其设置在冷却用筒式辊(14)和去除电荷机构(23)之间，用以捕捉从去除电荷机构(23)朝向筒式辊(14)移动的带电粒子。有了上述电荷捕捉部件就可阻止从去除电荷机构(23)中泄漏出来的带电粒子到达筒式辊(14)，从而遏制供给筒式辊(14)的用来使之贴紧基材的偏压电势产生变动，可靠地保持了对基材(12)的静电引力。因此，该卷绕式真空成膜装置能可靠地保持基材(12)和筒式辊(14)之间的贴合力，从而可防止基材(12)产生热变形。
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公开(公告)号：CN101484830B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780024816.6
申请日：2007-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C28/00 , G02B5/0808
Abstract: 本发明提供实现简化工序和缩短作业时间的反射镜的制造装置及其制造方法。构成成膜装置(1)，把反射膜成膜用的金属蒸发源(22)、着色膜成膜用的色素蒸发源(23)、保护膜成膜用的等离子聚合源(电极)(24)配置在一个真空处理室(5)内。另外，通过在共同的真空处理室(5)内进行反射膜的形成工序、着色膜的形成工序和保护膜的形成工序，在实现简化工序的同时缩短作业时间。
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公开(公告)号：CN100562602C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200680000343.1
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/54 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种卷取式真空成膜装置，该卷取式真空成膜装置能够抑制绝缘性的原料薄膜的热变形，以高速成膜金属膜，谋求提高生产性，进而，能够提高薄膜的除电效果。其中，具有电子束照射器(21)、辅助辊(18)、直流偏压电源(22)、除电单元(23)，该电子束照射器(21)被配置在卷放辊(13)和蒸发源(16)之间，向原料薄膜(12)照射荷电粒子；该辅助辊(18)被配置在冷却用筒式辊(14)和卷取辊(15)之间，并与原料薄膜(12)的成膜面接触，对该原料薄膜(12)的行进进行引导；该直流偏压电源(22)对筒式辊(14)和辅助辊(18)之间施加直流电压；该除电单元(23)配置在筒式辊(14)和卷取辊(15)之间，对原料薄膜(12)进行除电，该除电单元(23)由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成。
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