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公开(公告)号：CN105097679A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510255893.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。
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公开(公告)号：CN104979435A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510162332.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其无需将外延基板的背面加工成镜面。一种光器件晶片的加工方法，其是夹着缓冲层在外延基板的表面层叠有光器件层的光器件晶片的加工方法，所述加工方法包括：移设基板接合工序，借助接合材料在光器件晶片的光器件层的表面接合移设基板；缓冲层破坏工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射外延基板对其有透过性且缓冲层对其有吸收性的波长的脉冲激光光线，对缓冲层进行破坏；光器件层移设工序，实施上述缓冲层破坏工序后，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件层移设至移设基板。实施该缓冲层破坏工序前，实施树脂覆盖工序，在外延基板的背面覆盖透过激光光线的树脂，进行平坦化。
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公开(公告)号：CN101890578B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010185018.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/402 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，照射的脉冲激光束的脉宽为2ns以下，峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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公开(公告)号：CN104037123A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410074894.9
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔。该晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。
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公开(公告)号：CN103681267A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310426431.X
申请日：2013-09-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/322 , H01L21/268 , H01L21/3221
Abstract: 本发明提供吸气层形成方法，能够在不降低半导体器件的抗折强度的情况下再现性良好地形成吸气层。在表面形成有器件的半导体晶片的背面形成捕获金属离子的吸气层的吸气层形成方法中，将具有使得热扩散长度为10nm～230nm的脉宽的脉冲激光光线照射到半导体晶片的背面来形成吸气层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103302402A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310081155.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0652 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，其能够抑制光学系统的损伤。该激光加工装置具有：被加工物保持构件，其用于对被加工物进行保持；以及激光光线照射构件，其用于对保持于该被加工物保持构件的被加工物照射激光光线，激光光线照射构件包括：激光光线振荡构件，其用于振荡出激光光线；聚光器，其用于对该激光光线振荡构件所振荡出的激光光线进行聚光并照射向保持于所述被加工物保持构件的被加工物；以及光学系统，其配设于激光光线振荡构件与聚光器之间，用于传送激光光线振荡构件所振荡出的激光光线，在光学系统与聚光器之间配设有波长转换机构，该波长转换机构将激光光线振荡构件所振荡出的激光光线的波长转换为短波长。
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公开(公告)号：CN103252583A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310053277.6
申请日：2013-02-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
CPC classification number: B23K26/352 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K2103/16 , B23K2103/50 , G01N21/718
Abstract: 本发明提供激光加工方法和激光加工装置，即使在应进行激光加工的区域混合有两种以上的部件时，也不用制作各部件的坐标数据而能够以适合于各部件的加工条件来实施激光加工。该激光加工方法通过对混合有多个部件的被加工物照射激光光线而形成激光加工槽，设定与形成构成被加工物的多个部件的物质分别对应的加工条件，检测通过对形成被加工物的多个部件照射激光光线而分别产生的等离子光的波长，选定与对应于所检测的等离子光的波长的部件对应的加工条件，以所选定的加工条件来照射激光光线。
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公开(公告)号：CN103223558A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310018636.4
申请日：2013-01-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/42 , H01L21/768
CPC classification number: B23K26/384 , B23K26/03 , B23K26/0622 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G01N21/718 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供激光加工装置，其在连接由第1材料形成的第1部件和由第2材料形成的第2部件而成的被加工物形成从第1部件到达第2部件的激光加工孔。包括：等离子光检测构件，其检测通过从激光束照射构件向被加工物照射激光光线产生的等离子光的波长；和控制器，其根据来自等离子光检测构件的检测信号控制激光光线照射构件。等离子光检测构件包括仅使第1材料发出的等离子光的波长通过的带通滤光片；和接收通过带通滤光片后的光并向控制器输出光强信号的光检测器。控制器控制激光光线照射构件，使得在实施激光加工时，根据从光检测器输出的光强信号，检测光强的振幅，在从光强的振幅达到预定值的时刻起照射预定数的脉冲激光光线后停止脉冲激光光线的照射。
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公开(公告)号：CN102950383A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210300833.0
申请日：2012-08-22
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/38
CPC classification number: B23K26/032 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/0853 , B23K26/361 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/16 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/76802
Abstract: 穿孔方法及激光加工装置。该穿孔方法在接合由第1材料形成的第1部件和由第2材料形成的第2部件而成的被加工物上形成从第1部件到达第2部件的激光加工孔，其包含：最小发射数设定工序，将截止于因激光光线的照射而发出的等离子的光谱从第1材料固有的光谱变为第2材料固有的光谱的变换时的发射数设为最小值；最大发射数设定工序，将截止于从第1材料固有的光谱完全变为第2材料固有的光谱时的发射数设为最大值。在穿孔工序中，在发射数达到最小值且等离子的光谱从第1材料固有的光谱变为第2材料固有的光谱时，停止脉冲激光光线的照射。在发射数达到最小值但等离子的光谱未变化时，继续脉冲激光光线的照射直至发射数达到最大值，之后停止照射。
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公开(公告)号：CN102785028A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210153655.3
申请日：2012-05-17
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/3584 , B23K26/0613 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/36 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/60 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供激光加工方法以及激光加工装置，对由透明部件构成的被加工物照射脉冲激光光线来高效地实施激光加工。对由透明部件构成的被加工物照射脉冲激光光线来实施激光加工的激光加工方法包含如下工序：第1激光加工工序，对被加工物的加工区域照射第1脉冲激光光线来破坏加工区域；以及第2激光加工工序，紧接在第1脉冲激光光线之后，对因第1脉冲激光光线的照射而被破坏的加工区域照射第2脉冲激光光线来形成凹槽，通过反复实施第1激光加工工序和第2激光加工工序来连续地实施凹槽加工。
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