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公开(公告)号：CN104339090A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381467.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/064 , H01L33/00 , H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/2686 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法。沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件，在对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，实施发光层除去工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近并分割预定线从单晶基板的背面侧进行照射，沿着分割预定线除去发光层，然后实施盾构隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近并沿着分割预定线从光器件晶片的单晶基板的背面侧进行照射，从单晶基板的正面到背面使细孔和遮蔽该细孔的非晶质生长并形成盾构隧道。
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公开(公告)号：CN104148816A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410192756.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/064
CPC classification number: H01S3/10 , H01L21/00 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , B23K26/046 , B23K26/38 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。
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公开(公告)号：CN101890579B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010185045.2
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/67092 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种器件加工方法，其能够提高器件的抗弯强度。该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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公开(公告)号：CN110648906B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910525334.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 武田昇
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。该晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而照射脉冲激光束，沿着分割预定线形成由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对晶片赋予外力，沿着分割预定线对形成有保护通道的晶片进行分割，脉冲激光束具有沿着与分割预定线平行的方向的两个以上的聚光点，聚光点间的距离小于3μm。
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公开(公告)号：CN110039204B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910018345.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 提供被加工物的激光加工方法，即使是较厚的被加工物也能够保证良好的分割性并且能够高效地进行分割。该方法包含如下步骤：第1盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质构成的多个盾构隧道；聚光区域位置变更步骤，在该被加工物的厚度方向上变更向该被加工物照射的脉冲激光束的聚光区域的位置；以及第2盾构隧道形成步骤，将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光区域定位于被加工物的内部并沿着分割预定线进行照射，从而沿着该脉冲激光束的入射方向以与该第1盾构隧道并排的方式形成第2盾构隧道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108568601B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810193730.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/067 , B23K26/0622 , B23K26/70 , H01L21/78 , H01L21/67
Abstract: 提供激光加工方法和激光加工装置，实现激光加工品质的进一步提高。激光加工方法包含：第一照射工序，照射具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的第一激光光线(LB1)；和第二照射工序，在电子激发时间内照射接下来的第二激光光线(LB2)。激光加工装置(2)包含：保持单元(6)，其对被加工物进行保持；和激光光线照射单元(10)，其对保持在保持单元上的被加工物照射激光光线(LB)。激光光线照射单元具有激光振荡器(44)，该激光振荡器振荡出具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的脉冲激光光线(LB)，该激光加工装置在对被加工物照射第一激光光线而产生的电子激发的时间内照射接下来的第二激光光线。
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公开(公告)号：CN105097679B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510255893.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。
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公开(公告)号：CN108568600A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810191012.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/70 , B23K26/0622
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0624 , B23K26/0665 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , H01L21/268 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/681 , H01L21/6838 , H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/0608 , B23K26/402 , B23K26/702
Abstract: 提供激光加工装置，实现激光加工的品质的进一步提高。激光加工装置的激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出具有比通过对被加工物照射激光光线而产生的电子激发的时间短的脉冲宽度的脉冲激光，并且设定重复频率以使得在电子激发时间内振荡出至少两个脉冲激光；聚光器，其对保持在卡盘工作台上的被加工物照射激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线；以及间除单元，其配设在激光振荡器与聚光器之间，通过按照规定的周期对脉冲激光光线进行间隔剔除而将加工所需的脉冲激光光线引导至聚光器。
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公开(公告)号：CN105269159B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510292401.3
申请日：2015-06-01
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C03B33/023 , B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/0622 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种芯片的制造方法，能够从玻璃基板等板状被加工物高效地生成所希望的形状的芯片。芯片的制造方法是从板状被加工物生成所希望的形状的芯片的方法，其中，包括：遮护隧洞形成工序，利用照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长而形成遮护隧洞；和芯片生成工序，通过对实施了遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片。
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公开(公告)号：CN104022080B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410072031.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，可将晶片沿着分割预定线高效率地分割成各个芯片、并且不使芯片的品质下降。晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片，晶片加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待分割区域的内部进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，通过使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂对沿着分割预定线形成的非晶质的纤丝进行蚀刻，将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片。
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