公开(公告)号：KR1020070014079A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：KR1020060070372

申请日：2006-07-26

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  가부시키가이샤 퓨쳐비전

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  세키노부아키 ,  이케다사토시 ,  니이쿠라고우이치

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/022 ,  C23C14/205 ,  C23C14/345 ,  C23C14/584 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/36 ,  G02B6/0055

Abstract: A high reflectivity visible light reflection member, a liquid crystal display backlight unit using the same, and a method for manufacturing the same are provided to increase reflectivity at low wavelength of visible light and improve durability, and use the reflection member for a large reflector and a reflector for a projection television. A reflection member(100) includes a silver thin film(102) formed on a substrate(101), and a silicon nitride film(103) formed on the silver thin film. A 99% of the silver thin film has a plane as a primary plane direction. The silver thin film has over 96% of reflectivity at a wavelength of 430nm. The film thickness of the silver thin film is in a range from 100nm to 350nm.

Abstract translation: 提供高反射率可见光反射构件，使用该反射率的可见光反射构件的液晶显示器背光单元及其制造方法，以增加可见光的低波长的反射率并提高耐久性，并且使用反射构件用于大反射器和 用于投影电视的反射器。 反射构件（100）包括形成在基板（101）上的银薄膜（102）和形成在银薄膜上的氮化硅膜（103）。 99％的银薄膜具有作为主平面方向的平面。 银薄膜在波长430nm处具有超过96％的反射率。 银薄膜的膜厚在100nm〜350nm的范围内。

公开(公告)号：KR101322549B1

公开(公告)日：2013-10-25

申请号：KR1020077028920

申请日：2006-06-16

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 니혼 세라떽꾸

Inventor： 오미다다히로 ,  시라이야스유키 ,  모리나가히토시 ,  가와세야스히로 ,  기타노마사후미 ,  미즈타니후미카즈 ,  이시카와마코토 ,  기시유키오

IPC: C23C28/00 ,  C25D11/16 ,  C23C8/10

CPC classification number: C23C4/02 ,  C23C8/80 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042 ,  C25D11/02 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 반도체 또는 평판 디스플레이 등의 제조 장치의 처리실 내벽 등에 대한 반응 생성물 퇴적, 내벽 등의 부식에 의한 금속 오염, 방출 가스에 의한 프로세스의 변동 등을 억제한 복수의 프로세스를 가능하게 하는 다기능 제조 장치 시스템 및 거기에 이용되는 보호 피막 구조를 제공한다. 금속 재료의 표면에, 하지층으로서 모재의 직접 산화에 의해 형성된 1μ 이하의 막 두께인 산화물 피막을 갖는 제 1 피막층을 갖고, 추가로 200㎛ 정도의 제 2 피막층을 형성한다. 이들의 구성에 의해, 이온이나 라디칼의 조사에 대한 내식성을 제 2 층째의 보호막에 갖게 하여, 분자나 이온이 2 층째 보호막 중을 확산하는 것에 의해 모재 금속 표면을 부식시키는 것을 방지하는 보호층의 효과를 제 1 층째 산화물 피막에 갖게 할 수 있고, 각 금속 부재, 프로세스 챔버 내 표면에서 발생하는 기판에 대한 금속 오염을 저감시킨다. 모재와 2 층째의 보호막 계면의 부식에 의한 2 층째 보호막 밀착력의 저하에 의한 2 층째 보호막의 박리를 억제할 수 있다.
금속 부재의 보호막

公开(公告)号：KR101297489B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：KR1020077030392

申请日：2006-05-09

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  시라이야스유키 ,  모리나가히토시 ,  가와세야스히로 ,  기타노마사후미 ,  미즈타니후미카즈 ,  이시카와마코토

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/18 ,  C25D11/06 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 알루미늄을 주성분으로 하는 금속의 보호에 적합한 금속 산화물막을 제공한다. 알루미늄을 주성분으로 하는 금속의 산화물로 이루어지는 막으로서, 막 두께가 10㎚ 이상이고, 상기 막으로부터의 방출 수분량이 1E 18 분자/㎠ 이하인 금속 산화물막, 및 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 pH 4 ∼ 10 의 화성액 중에서 양극 산화시켜 금속 산화물막을 얻는 금속 산화물막의 제조 방법.

公开(公告)号：KR101247876B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020077029218

申请日：2006-06-16

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 본 발명에 의한 반도체 장치는, SOI 기판 상에 형성한 반도체층 (SOI 층) 과, 상기 SOI 층 상에 형성된 게이트 전극을 구비하고, 상기 게이트 전극과 상기 SOI 층의 일 함수차에 의한 공핍층의 두께가 상기 SOI 층의 막두께보다 커지도록, 상기 SOI 층의 막두께를 설정하여 노멀리 오프로 한 MOS 트랜지스터를 적어도 일 종류 구비한다.
MOS 트랜지스터, 반도체 장치

Abstract translation: 根据本发明的半导体器件包括：形成在SOI衬底上的半导体层（SOI层）;以及形成在SOI层上的栅电极，其中栅电极和SOI层之间的功函数差的耗尽层 提供至少一个MOS晶体管，其将SOI层的厚度设定为常关，使得SOI层的厚度变得大于SOI层的厚度。

公开(公告)号：KR101185757B1

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：KR1020107029176

申请日：2006-06-20

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 과제는, 저유전율이고 또한 CF
x , SiF
4 등의 가스 발생이 없어 안정적인 반도체 장치의 층간 절연막과 그것을 구비한 배선 구조를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 배선 구조는, 하지층 상에 형성된 절연막을 구비한 층간 절연막에 있어서, 상기 층간 절연막은, 실효 유전률이 3 이하이다. 배선 구조는, 층간 절연막과, 층간 절연막에 형성된 컨택트 홀과, 상기 컨택트 홀 내에 충전된 금속을 구비하고, 상기 절연막은, 상기 하지층 상에 형성되며, 표면이 질화된 플루오로카본막을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110014665A

公开(公告)日：2011-02-11

申请号：KR1020107029176

申请日：2006-06-20

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 과제는, 저유전율이고 또한 CF
x , SiF
4 등의 가스 발생이 없어 안정적인 반도체 장치의 층간 절연막과 그것을 구비한 배선 구조를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 배선 구조는, 하지층 상에 형성된 절연막을 구비한 층간 절연막에 있어서, 상기 층간 절연막은, 실효 유전률이 3 이하이다. 배선 구조는, 층간 절연막과, 층간 절연막에 형성된 컨택트 홀과, 상기 컨택트 홀 내에 충전된 금속을 구비하고, 상기 절연막은, 상기 하지층 상에 형성되며, 표면이 질화된 플루오로카본막을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020080090503A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020087019229

申请日：2007-01-30

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로 ,  모리나가히토시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02074

Abstract: Surface treatment is performed with a liquid, while shielding a semiconductor surface from light. When the method is employed for surface treatment in wet processes such as cleaning, etching and development of the semiconductor surface, increase of surface microroughness can be reduced. Thus, electrical characteristics and yield of the semiconductor device are improved.

Abstract translation: 用液体进行表面处理，同时将半导体表面从光屏蔽。 当在诸如清洁，蚀刻和半导体表面的显影的湿法中使用该方法进行表面处理时，可以降低表面微粗糙度的增加。 因此，提高了半导体器件的电特性和产量。

公开(公告)号：KR1020080036984A

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020087000784

申请日：2006-08-18

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  모리모토아키히로

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0254

Abstract: A multilayered circuit board which is provided with a low-permittivity interlayer insulating film, and which can significantly improve the performance such as signal transmission characteristics of the multilayered circuit board such as a package and a printed board, because the surface in contact with the interlayer insulating film of the circuit board has no unevenness to eliminate the lowering of production yield and the deterioration of high-frequency signal transmission characteristics; and electronic equipment using the circuit board. The multilayered circuit board (10) comprises, mounted on a substrate, a plurality of wiring layers and a plurality of insulating layers positioned between the plurality of wiring layers, wherein at least part of the plurality of insulating layers are composed of a porous insulating layer (1) containing at least any of materials selected from a porous material group consisting of porous material, aerogel, porous silica, porous polymer, hollow silica and hollow polymer, and a non-porous insulating layer (2) that is the porous insulating layer (1) not containing the porous material group on at least one surface thereof. This multilayered circuit board is used in electronic equipment.

Abstract translation: 具有低介电常数层间绝缘膜的多层电路板，能够显着地提高诸如封装和印刷电路板的多层电路板的信号传输特性等性能，因为与中间层 电路板的绝缘膜没有不均匀性，消除了生产成本的降低和高频信号传输特性的恶化; 和使用电路板的电子设备。 多层电路板（10）包括安装在基板上的多个布线层和位于多个布线层之间的多个绝缘层，其中多个绝缘层的至少一部分由多孔绝缘层 （1），其含有选自由多孔质材料，气凝胶，多孔二氧化硅，多孔聚合物，中空二氧化硅和中空聚合物构成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，以及作为多孔绝缘层的无孔绝缘层（2） （1）在其至少一个表面上不含多孔材料组。 该多层电路板用于电子设备。

公开(公告)号：KR1020080036204A

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：KR1020087004218

申请日：2006-08-14

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  주식회사 쿠라레 ,  샤프 가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  시라이야스유키 ,  다케히사기와무 ,  마츠모토미츠오 ,  이카리도쿠오 ,  사토도시아키 ,  오니시이쿠오 ,  나카자토에츠오 ,  야마다유이치로 ,  시노미야도키히코 ,  이시즈미다카시 ,  아지치유사쿠

IPC: G02F1/13357 ,  F21V8/00

CPC classification number: G02B6/0046 ,  G02B6/002 ,  G02B6/0053 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615

Abstract: A large liquid crystal display (100) comprises a light guide plate (3) arranged on the back side of a liquid crystal panel (1). The front surface of the light guide plate (3) is flat, while the back surface thereof is concave. The upper and lower end faces of the light guide plate (3) respectively facing hot cathode fluorescent lamps (2a, 2b) have a convex shape projecting toward the respective lamps. White light from the fluorescent lamps is incident on the upper and lower end faces of the light guide plate directly or by being reflected by reflectors (4a, 4b), and propagates within the light guide plate while being reflected by the front and back surfaces of the light guide plate. At the front surface of the light guide plate, a part of the white light is directed toward the back side of the liquid crystal panel (1) by a light guide portion (5).

Abstract translation: 大型液晶显示器（100）包括布置在液晶面板（1）背面的导光板（3）。 导光板（3）的前表面是平坦的，而其后表面是凹形的。 分别面向热阴极荧光灯（2a，2b）的导光板（3）的上端面和下端面具有向各个灯突出的凸形。 来自荧光灯的白光直接入射到导光板的上端面和下端面，或者被反射器（4a，4b）反射，并在导光板内传播，同时由导光板的正面和背面反射 导光板。 在导光板的前表面，一部分白光通过导光部（5）指向液晶面板（1）的背面。

公开(公告)号：KR1020080034119A

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：KR1020087000427

申请日：2006-07-12

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  가부시키가이샤 니혼 세라떽꾸

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  모리나가히토시 ,  기시유키오 ,  오타키히로미치 ,  츠타이요시후미

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: It has been difficult to provide a large-sized ceramic member quickly and economically. A multilayer structure is produced by forming a ceramic film on a base which is made of a material that can be shaped comparatively easily. The ceramic film is formed by a plasma spraying method, CVD method, PVD method, sol-gel method or the like. Alternatively, the ceramic film may be formed by a method combined with a spray deposit film.

Abstract translation: 很难快速，经济地提供大型陶瓷件。 通过在可以相对容易地成形的材料制成的基底上形成陶瓷膜来制造多层结构体。 陶瓷膜通过等离子喷涂法，CVD法，PVD法，溶胶 - 凝胶法等形成。 或者，陶瓷膜可以通过与喷雾沉积膜结合的方法形成。