公开(公告)号：KR1020010076373A

公开(公告)日：2001-08-11

申请号：KR1020010003099

申请日：2001-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: PURPOSE: A developing treatment equipment is provided to prevent dropping of developer from a coating liquid supply nozzle on a substrate on which the developer has been already supplied. CONSTITUTION: A developer supply nozzle(70) which is installed so as to move freely in the X direction in a chamber(60) begins to move from a cleaning tank(85) as a waiting position(T) to the positive X direction. The nozzle(70) crosses a part above a wafer(W) without supplying developer and stops at a position(P') which proceeds a little from an end portion(P) of the wafer(W). The nozzle(70) then moves in the reverse direction, i.e., the negative X direction while supplying developer to the wafer(W). After that, the nozzle(70) stops supply of developer at a position(Q') which proceeds a little from an end portion(Q) of a cleaning tank(85) side of the wafer(W), and is returned to the cleaning tank(85).

Abstract translation: 目的：提供一种显影处理设备，以防止显影剂从已经供应显影剂的基底上的涂料液体供应喷嘴掉落。 构成：在室（60）中沿X方向自由移动的显影剂供给喷嘴（70）开始从作为等待位置（T）的清洗槽（85）向正X方向移动。 喷嘴（70）在不供应显影剂的情况下与晶片（W）上方的部分交叉，并停止在从晶片（W）的端部（P）稍微延伸的位置（P'）处。 然后，喷嘴（70）在将显影剂供应到晶片（W）的同时沿相反方向，即负X方向移动。 之后，喷嘴（70）在从晶片（W）的清洗槽（85）侧的端部（Q）稍微进行的位置（Q'）停止供给显影剂，返回到 清洗槽（85）。

公开(公告)号：KR1020010030017A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000043292

申请日：2000-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치 ,  아사카고이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67103 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate processor and a method therefor are provided to increase uniformity of processing, when a substrate, e.g. a wafer is subjected to development processing, etc. CONSTITUTION: In a state where a wafer is held by a wafer holding section and a temperature controlled liquid is discharged to a rim area on a rear face of the wafer from flow channels, a developing solution is heaped on a front face of the wafer. Thereafter, the wafer is rotated for a predetermined period of time in a state where the temperature controlled liquid is discharged to the rim area on the rear face of the wafer from the flow channels, whereby developing is performed. The wafer is heated by the wafer holding section with a large heat capacity in an area close to a center of the wafer, and a liquid film of the temperature controlled liquid is formed in the rim area of the wafer, whereby the wafer is heated. At this time, the wafer is rotated, so that the developing solution is stirred.

Abstract translation: 目的：提供一种衬底处理器及其方法，以增加处理的均匀性。 晶片经受显影处理等。构成：在晶片保持部保持晶片并且温度控制液体从流路向晶片背面的边缘区域排出的状态下，显影液 堆积在晶片的正面上。 此后，在温度受控液体从流路向晶片背面的边缘区域排出的状态下，将晶片旋转预定时间，由此进行显影。 在靠近晶片的中心的区域中，晶片被晶片保持部分加热，并且在晶片的边缘区域形成温度控制液体的液膜，由此加热晶片。 此时，晶片旋转，从而搅拌显影液。

公开(公告)号：KR1020000017187A

公开(公告)日：2000-03-25

申请号：KR1019990032538

申请日：1999-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67098

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent a change of a resist film thickness according to the increase of a size of a heating and cooling apparatus due to the increase of a diameter of a wafer. CONSTITUTION: The apparatus comprises a resist coating unit (23, 24) for coating a resist solution on a substrate, a developing unit (33, 34) for supplying a developing solution to the substrate, a plurality of cooling units for cooling the substrate, a plurality of heating units for heating the substrate and a conveying unit (11) for conveying the substrate. The cooling units are stacked into multi-steps and comprised a cooling system and the heating units are stacked into multi-steps and comprised a heating system. The cooling system is arranged adjacent to the resist coating unit and the heating system is arranged adjacent to the developing unit. The conveying unit is placed between the resist coating unit and the developing unit. Thereby, since the heating units are apart from the resist unit, the heat generated from the heating system do not have an influence on the resist coating.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于防止由于晶片直径的增加而导致的加热和冷却装置的尺寸的增加而导致的抗蚀剂膜厚度的变化。 构成：该装置包括用于在基板上涂覆抗蚀剂溶液的抗蚀涂层单元（23,24），用于将显影液供给到基板的显影单元（33,34），用于冷却基板的多个冷却单元， 用于加热基板的多个加热单元和用于输送基板的输送单元（11）。 冷却单元被堆叠成多级并且包括冷却系统，并且加热单元被堆叠成多级并且包括加热系统。 冷却系统布置成与抗蚀剂涂层单元相邻，并且加热系统布置成与显影单元相邻。 输送单元被放置在抗蚀涂层单元和显影单元之间。 因此，由于加热单元与抗蚀剂单元分离，所以从加热系统产生的热量对抗蚀剂涂层没有影响。

公开(公告)号：KR1019980071751A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980006111

申请日：1998-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네미즈아키라 ,  마쓰야마유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판의 양면세정장치는, 기판의 표면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 스크러브 세정하는 제1 세정유니트(21)와, 기판의 이면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 스크러브 세정하는 제2 세정유니트(23)를 갖는 프로세스부(2)와, 이 프로세스부내에서 적어도 제1 및 제2 세정유니트로 기판을 각각 출입시키는 메인아암기구(4)와, 상기 프로세스부의 한쪽에 설치되어, 기판수납용의 복수의 카세트가 로드/언로드되는 제1 카세트부(1)와, 상기 프로세스부의 다른쪽에 설치되고, 또한 상기 프로세스부를 사이에 두고 상기 제1 카세트부와 마주 대하며, 기판수납용의 복수의 카세트가 로드/언로드되는 제2 카세트부(3)와, 상기 제1 카세트부의 카세트로 부터/에 기판을 출입시키며, 상기 메인아암기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제1 서브아� ��기구(11)와, 상기 제2 카세트부의 카세트로 부터/에 기판을 출입시키고, 상기 메인아암기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제2 서브아암기구(31)와, 상기 제1 카세트로부터 취출한 제1 기판에 대해서는, 그 표면을 상기 제1 세정유니트로 세정한 후에, 그 이면을 상기 제2 세정유니트로 세정하고, 상기 제2 카세트로부터 취출한 제2 기판에 대해서는, 그 이면을 상기 제2 세정유니트로 세정한 후에, 그 표면을 상기 제1 세정유니트로 세정하도록, 상기 메인아암기구 및 상기 프로세스부를 각각 제어하는 제어기(90∼93)를 구비한다.