公开(公告)号：KR100676038B1

公开(公告)日：2007-01-29

申请号：KR1020000047160

申请日：2000-08-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C11/08

Abstract: 웨이퍼의 주위에 설치하는 컵의 상부측을 사각통형상, 하부측을 원통형상으로 하고, 이 컵은, 위쪽에서 보았을 경우, 원통형상을 형성하는 부분이 사각통형상을 형성하는 부분의 내측에 위치하는 형상으로 되어 있다. 컵은 승강기구를 갖추고, 공급노즐의 스캔(scan)시에는 컵 상부측이 웨이퍼의 옆쪽으로, 세정액 및 현상액을 떨쳐 떨어뜨릴 때에는 컵 하부측이 웨이퍼 위쪽 레벨(level) 및 아래쪽 레벨에 걸치는 위치로 되도록 제어부에 의해 제어된다. 공급노즐의 스캔은, 상부측 컵 내부에 공급노즐을 위치시켜 행한다.

公开(公告)号：KR100637943B1

公开(公告)日：2006-10-23

申请号：KR1019990027673

申请日：1999-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67748 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67178 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137

Abstract: 웨이퍼를 반송하는 제 1 반송장치와 제 2 반송장치를 서로 대향하여 배치하고, 제 1 반송장치와 제 2 반송장치의 사이에 냉각처리장치군을 배치한다. 제 1 반송장치의 양측에 제 1 열처리장치군과 제 2 열처리장치군을 배치하고, 제 2 반송장치의 양측에 제 1 액처리장치군과 제 2 액처리장치군을 배치한다. 제 1 반송장치는 냉각처리장치군과 제 1 열처리장치군 및 제 2 열처리장치군에 속하는 각 장치와의 사이에서 웨이퍼를 반송하고, 제 2 반송장치는 냉각처리장치군과 제 1 액처리장치군 및 제 2 액처리장치군에 속하는 각 장치와의 사이에서 웨이퍼를 반송한다.

Abstract translation: 用于传送晶片的第一传送装置和第二传送装置被布置为彼此面对，并且一组冷却处理装置被布置在第一传送装置和第二传送装置之间。 第一热处理设备组和第二热处理设备组设置在第一输送设备的两侧，第一液体处理设备组和第二液体处理设备组设置在第二输送设备的两侧。 一次转印装置在属于第一热处理装置组和第二热处理装置组的各冷却处理装置组与各装置之间交接晶片，第二转印装置在冷却处理装置组与第一液处理装置组之间交接晶片 并且属于第二液体处理装置组的每个装置。

公开(公告)号：KR1020000017293A

公开(公告)日：2000-03-25

申请号：KR1019990033277

申请日：1999-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67098 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/141

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent a change of a resist film thickness according to the increase of a size of a heating and cooling apparatus due to the increase of a diameter of a wafer. CONSTITUTION: The apparatus comprises a solution process device for supplying a solution on a substrate, a heating device for heating the substrate at a desired temperature and cooling device for cooling the substrate at a desired temperature. The solution process device and the cooling device are comprised a solution process system. A main conveying device and a sub-conveying device for conveying the substrate are placed between the heating device and the cooling device. The sub-conveying device is disposed at the solution process device and conveys the substrate between the solution process device and the cooling device. The solution process unit is provided with a heat shielding member wrapping a portion adjacent to the heating device. Thereby, the heat generated from the heating device is blocked by heat shielding member so as not to be transferred to the solution process device.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于防止由于晶片直径的增加而导致的加热和冷却装置的尺寸的增加而导致抗蚀剂膜厚度的变化。 构成：该装置包括用于在基板上提供溶液的溶液处理装置，用于在所需温度下加热基材的加热装置和用于在所需温度下冷却基材的冷却装置。 溶液处理装置和冷却装置包括溶液处理系统。 用于输送基板的主输送装置和副输送装置被放置在加热装置和冷却装置之间。 副输送装置设置在溶液处理装置处，并且在溶液处理装置和冷却装置之间输送基板。 溶液处理单元设置有包围与加热装置相邻的部分的隔热构件。 由此，由加热装置产生的热量被隔热部件阻挡，不会被转移到溶液处理装置。

公开(公告)号：KR100618264B1

公开(公告)日：2006-09-04

申请号：KR1020010024605

申请日：2001-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  기타노준이치 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 도포막을 형성하는 도포처리장치와, 기판의 현상을 행하는 현상처리장치와, 기판의 열처리를 행하는 열처리장치와, 이들 도포처리장치, 현상처리장치 및 열처리장치에 대하여 기판의 반입출을 행하는 제 1 반송장치를 갖는 처리부와, 적어도 처리부와 기판에 대하여 노광처리를 하는 시스템외의 노광처리장치와의 사이의 경로로 기판의 반송이 행하여지는 인터페이스부와, 처리부와 인터페이스부를 거두는 케이싱과, 인터페이스부내에 불활성기체를 공급하는 기체공급장치와, 인터페이스부의 분위기를 배기하는 배기부를 갖고, 인터페이스부에 열처리장치와, 이 열처리장치와 노광처리장치의 사이의 경로로 기판의 주고받음을 하는 제 2 반송장치가 배치되어 있다.
본 발명에 의하면, 산소, 염기성물질, 오존, 유기물등의 분자레벨의 불순물이 기판에 부착하는 것이 방지할 수 있기 때문에, 기판의 처리가 적합하게 행하여진다.

Abstract translation: 本发明与用于在基板上形成涂膜，和显影装置进行基板的发展涂布装置，和用于热处理的衬底，衬底输出对于这些涂敷装置的转移，以及显影装置和热处理装置的热处理装置 所述壳体具有一个携带装置中，至少一个处理单元和接口单元，以比所述衬底的曝光处理的系统中的其它的曝光装置之间的路径收割1和处理单元进行的基板的传送，以及处理单元，和接口单元和执行， 2，所述和用于供给惰性气体到所述接口部分，其具有排气的部分以排出界面环境部的气体供给装置中，热处理装置的接口部分，给予和取所述衬底的与所述的加热处理装置和曝光装置之间的路径 传送装置被布置。

公开(公告)号：KR100535714B1

公开(公告)日：2005-12-09

申请号：KR1019990032538

申请日：1999-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67098

Abstract: 레지스트도포장치군의 근방에, 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 각종 냉각계 처리장치를 가지는 제 1 냉각처리장치군 및 제 2 냉각처리장치군을 배치하고, 현상처리장치군의 근방에, 웨이퍼(W)를 가열처리하는 각종 가열계의 처리장치를 가지는 제 1 가열처리장치군 및 제 2 가열처리장치군을 배치한다. 냉각처리장치군의 사이에는 제 1 반송장치를, 가열장치군의 사이에는 제 2 반송장치를 각각 구비하며, 반송장치의 사이에는 웨이퍼(W)를 자유롭게 재치할 수 있는 주고받음대를 구비한다. 제 1 반송장치는 레지스트도포장치군과, 주고받음대와, 냉각처리장치군의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 따라서 기판의 대형화에 따라 가열처리장치가 대형화 되어도 온도에 의한 레지스트막의 막두께 변화를 억제한다.

公开(公告)号：KR100515740B1

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：KR1019990033277

申请日：1999-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67098 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/141

Abstract: 레지스트도포장치와, 냉각장치군과, 레지스트도포장치와 냉각장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 1의 부반송장치로 레지스트 도포장치유니트를 구성한다. 현상처리장치와, 냉각장치군과, 현상처리장치와 냉각장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 2의 부반송장치로 현상처리장치유니트를 구성한다. 유니트의 가열장치측에 단열 패널을 각각 부착시킨다. 유니트의 사이에 제 1의 주반송장치와 제 2의 주반송장치를 배치하고, 제 1의 주반송장치를 사이에 두고 제 1의 열처리유니트 및 제 3의 열처리유니트를 배치하고, 제 2의 주반송장치를 사이에 두고 제 2의 열처리유니트 및 제 4의 열처리유니트를 배치한다. 따라서, 가열장치로부터의 열로 인하여 막두께가 변화하는 일이 없다.

公开(公告)号：KR1020010050036A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1020000046281

申请日：2000-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  하마다마사히토

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: PURPOSE: A development device is provided to prevent strain caused by temperature difference and improve the uniformity of the process. CONSTITUTION: A current plate(6) is arranged above a wafer holder(2) to hold a wafer W, and the roof(62) and the bottom plate(63) of this plate(6) are set so that each circulation port(62a,63a) may lie over the other in vertical direction, and a developer(D) is heaped upon the surface of the wafer. Then, the bottom plate(63) of the plate(6) is slid laterally so that the the circulation ports(62a,63a) may not lie upon the other in vertical direction, prior to development. By doing it this way, at development, the circulation ports(62a,63a) of the plate(6) are blocked in vertical direction, which intercept the air current to the wafer(W), so the occurrence of the temperature distribution of the developer(D) within the surface of the wafer, which is caused by the flow of the air to the wafer, is suppressed, and the occurrence of the unevenness in development caused by temperature difference is suppressed, and equal development treatment can be performed.

Abstract translation: 目的：提供一种开发装置，以防止由温差引起的应变，并提高工艺的均匀性。 构成：当前板（6）布置在晶片保持器（2）上方以保持晶片W，并且该板（6）的顶板（62）和底板（63）被设置成使得每个循环端口 62a，63a）可以在垂直方向上彼此叠置，并且显影剂（D）堆积在晶片的表面上。 然后，板（6）的底板（63）横向滑动，使得循环口（62a，63a）在显影之前不能在垂直方向上位于另一个上。 通过这种方式，在显影时，板（6）的循环端口（62a，63a）在垂直方向上被阻挡，从而截断到晶片（W）的气流，从而发生温度分布 由晶片的空气流引起的晶片表面内的显影剂（D）被抑制，并且抑制由温度差引起的显影不均匀的发生，可以进行同样的显影处理。

公开(公告)号：KR1019980071710A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980005995

申请日：1998-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네미즈아키라 ,  마쓰야마유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판의 양면세정방법은, (a) 회전중인 기판의 표면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 세정하는 제1 세정공정과, (b) 회전중인 기판의 이면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 세정하는 제2 세정공정과, (c) 적셔진 기판을 가열하여 건조시키는 가열건조공정과, (d) 상기 제1 및 제2 세정공정(a),(b) 사이의 시기 및 상기 제2 세정공정(b) 후의 시기에서 상기 가열건조공정(c)을 각각 실시하든지, 또는 상기 제2 세정공정(b) 후의 시기에만 상기 가열건조공정(c)을 실시하든지, 또는 상기 가열건조공정(c)을 실시하지 않든지, 이중에서 어느 하나를 선택하는 레시피 선택공정과, (e) 상기 레시피 선택공정(d)에서 선택된 레시피에 따라 상기 가열건조공정(c)을 실행하든지 또는 실행하지 않는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100646515B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020010024831

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  기타노쥰이치 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 대하여 도포 현상 처리를 실시하기 위한 도포 현상 처리 시스템으로서, 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치와, 기판을 현상하는 현상 처리 장치와, 기판을 열처리하는 열처리 장치와, 이들 도포 처리 장치, 현상 처리 장치 및 열처리 장치에 대하여 기판의 반입반출을 하는 제 1 반송 장치를 갖는 처리부를 갖고 있다.
본 발명은 더욱 처리부와 기판에 대하여 노광 처리를 하는 시스템 외부의 노광 처리 장치 사이의 경로로 기판의 반송을 하는 제 2 반송 장치를 갖는 인터페이스부를 갖고 있다. 본 발명은 기판이 노광 처리되기 전에, 기판의 도포막에 부착한 불순물을 챔버내에서 흡인하여 제거하는 감압 제거 장치를 더욱 갖는다.
본 발명에 의하면, 노광 처리전에, 기판의 도포막에 부착한 산소, 오존, 유기물 등의 분자 레벨의 불순물이나 미립자 등의 불순물을 제거할 수 있으므로, 적합하게 노광 처리가 행하여져, 생산 수율의 향상이 도모된다.

公开(公告)号：KR100597287B1

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：KR1020000043292

申请日：2000-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치 ,  아사카고이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67103 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼를 웨이퍼 유지부에 유지시키고, 웨이퍼 이면의 주연영역으로 유로(流路)로부터 온도조정액을 토출한 상태에서, 웨이퍼 표면에 현상액의 액덩어리(퍼들, puddle)를 형성시킨다. 이후, 웨이퍼의 이면의 주연영역으로 유로로부터 온도조정액을 토출한 상태에서, 소정시간 웨이퍼를 회전시킴으로써 현상을 행한다. 이와 같이 하면, 웨이퍼 중앙부 근방영역에서는 열용량이 큰 웨이퍼 유지부에서 웨이퍼가 가열되고, 웨이퍼 주연영역에는 온도조정액의 액막이 형성되어, 이에 의해 웨이퍼가 가열된다. 이때, 웨이퍼를 회전시키고 있기 때문에 현상액이 교반(攪拌)되고, 이에 의해 웨이퍼면내에 있어서의 현상액의 온도분포의 발생이 억제되어, 온도차가 원인으로 되는 현상 흐트러짐의 발생이 억제되어 균일한 현상처리를 행할 수 있다.

Abstract translation: 同时保持在晶片保持部上的晶片和从晶片背面状态的周边区域中的温度调节液体（流路）的排出通道，以形成显影溶液到晶片表面的液体物料（水坑，水坑）。 之后，在将温度调节液从流路排出到晶片背面的周边区域的状态下，使晶片旋转规定时间而进行显影。 以这种方式，在晶片中心区域和所述晶片的所述热容量的附近是在一个大晶片保持部，将晶片周边区域加热时，形成在温度调节液，由此将晶片加热的液体膜。 此时，由于晶片旋转，所以显影剂被搅拌（搅拌），由此抑制了晶片表面中显影剂的温度分布的发生，抑制了由温度差引起的显影干扰的发生， 它可以被执行。