公开(公告)号：KR101119627B1

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020097022751

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 소정의플라즈마처리가실시되는기판을수납하는감압배기가능한처리실과, 플라즈마를생성하기위해마이크로파를발생시키는마이크로파발생기와, 상기마이크로파발생기로부터의마이크로파를상기처리실로전파하는도파관과, 상기도파관의일단에연결된도파관-동축관변환기와, 마이크로파가상기도파관-동축관변환기로부터상기처리실로전파되는라인을형성하는동축관을포함하는플라즈마처리장치가개시된다. 상기동축관의내부도전체는, 중공부와, 상기동축관의내부도전체의중공부를통해상기처리실로처리가스를공급하는제 1 처리가스공급부를구비한다.

公开(公告)号：KR1020060106736A

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020060028274

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 한다. 탑재대 온도 제어 장치는, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 여러 종류의 모드를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060046605A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050029159

申请日：2005-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  우케이도모아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마 처리에 있어서, 간단하고 저비용으로 고주파 방전의 개시를 용이하게 하여 방전을 안정되게 유지하는 것이다. 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
M )는, 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(M
E )의 하면(S극)에 도달한다. 또한, 세그먼트 자석(m
E )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
m )는 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 원주방향 근처의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다. 더욱이, 외측 세그먼트 자석(M
0 )의 하면(N극)으로부터 나온 자력선의 일부(B
c )가 바로 아래의 주변 플라즈마 영역(PS
B )으로 내려와서 상방으로 U턴하여 반경방향 옆의 내측의 세그먼트 자석(m
0 )의 하면(S극)에 도달한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是便于在等离子体处理中以简单和低成本的方式开始高频放电，从而稳定地保持放电。 段磁铁

公开(公告)号：KR100539095B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020040009005

申请日：2004-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신덴겐코교 가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  이와사키마사히데 ,  다카히라준이치 ,  와타나베가즈요시 ,  고마츠신이치 ,  사사키유이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 내부가 감압 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 배치된 제1전극, 상기 처리용기 내에 처리가스를 공급하기 위한 처리가스 공급수단, VHF대의 주파수를 갖는 고주파전력을 출력하는 고주파 전원부, 상기 고주파 전원부와 상기 제1전극에 전기적으로는 피처리기판이 배치 가능하고, 상기 제1전극에 전송되는 상기 고주파전력에 의해 발생하는 플라즈마에 의해, 당해 피처리기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 상기 전송선로는, 상기 고주파전력의 제3고조파의 공진상태가 발생할 수 있는 최단의 길이 보다도 짧다.